MEMS封装V形腔阵列的研究与制备

MEMS器件封装时,为了给具有活动装置的MEMS器件提供足够的空间,需要在封装的帽层上刻蚀出V形腔结构。本文利用V形槽工艺,制作出适合于硅片上大面积MEMS芯片封装用V形腔阵列。SEM照片表明,所做V形腔阵列结构整齐,图形清晰。     

基于纳米/微米VO2红外探测器光电响应对比研究

新型纳米结构的二氧化钒(VO2)热敏薄膜具有平均粒度为8 nm和在半导体相区电阻温度系数(TCR)为-6%～7%/K.而通常用于非致冷红外探测器的VO2具有微米结构,粒度为1～2μm、TCR约为-2%/K.采用同样的器件设计,制备了基于纳米结构和微米结构的VO2薄膜128元线列器件,并对两种器件的光电性能进行了对比研究.测试结果表明:基于纳米结构VO2的器件响应率较基于微米结构的VO2器件高近3倍,前者器件的探测性能较后者得到了明显的改善.     

不同波段近紫外光在SU-8胶中穿透深度的研究

通过对SU—8胶近紫外波段下透射光谱的分析，得到不同波长近紫外光在SU—8胶中的穿透深度，并分析了不同波段近紫外光对SU—8胶微结构的影响，结果表明穿透深度大的近紫外波段曝光出来的图形质量好，深宽比大，侧壁陡直。