基于桥域理论的Cu单晶纳米切削跨尺度仿真研究

桥域方法是一种典型的跨尺度仿真研究方法.基于桥域理论,本文分析了原子和连续介质耦合区域的处理问题,即在耦合区采用不同的权重计算系统的能量,通过Lagrange乘子法对原子和连续介质位移进行约束.采用桥域方法,建立了单晶Cu米纳切削的跨尺度仿真模型,获得了单晶Cu纳米切削的材料变形机理.同时,研究了不同切削速度对纳米切削过程和原子受力分布的影响,仿真结果表明:随着切削速度的提高,切削区原子所受的力值增大,切屑变形系数减小,已加工表面变质层厚度增加.本文基于桥域理论,实现了Cu单晶纳米切削跨尺度的建模和仿真, 关键词： 桥域法 纳米切削 单晶Cu 切削速度     

西部IC制造业整体水平有待于进一步提高

西安微电子研究所是从事专用微计算机、半导体集成电路、混合集成电路三大专业的研制开发、批产配套定点单位．是全国唯一的集计算机与集成电路科研生产为一体的大型专业研究所。     

米氏理论下悬浮粒子对水下激光传输的影响

针对海洋悬浮粒子引起水下激光传输信道的复杂性问题,采用等效球形粒子米氏散射理论和蒙特卡罗数值模拟方法,研究海洋悬浮粒子对水下光通信链路的影响。分析了悬浮粒子特性及入射光波长与光学系数的关系,研究了粒子尺寸和复折射率对接收归一化能量、接收光强、信道传输长度、信道时延的影响。理论分析和仿真结果表明:粒子的光学系数会随着粒子尺寸增大而增大,使相同信道长度的接收归一化能量减小,接收光强减弱,信道时延增大;粒子复折射率虚部越小,接收的归一化能量越强,接收光强峰值越大,但复折射率虚部相同而实部不同时,接收光强峰值的大小取决于反照率,反照率越大,接收光强越大。     

染料分子吸附在正、负电性纳米银上的荧光增强及荧光猝死现象

制备了两种不同表面电性的胶态纳米银，选取阴离子型染料分子荧光素钠、既有阴离子基团又有阳离子的染料分子罗丹明B，研究其在两种纳米银表面的荧光增强及荧光猝死现象，当罗丹明B（RhB）分子分别吸附在这两种纳米银上时，对负电性纳米银，观察到荧光猝死、荧光峰红移现象，且在分子的浓度适当时，加入KBr可获得较强的表面增强拉曼光谱：在正电性纳米银上，当分子的浓度较大时观察到荧光猝灭，当分子的浓度较小时观察到荧光增强，而当荧光素钠分子（FS）分别吸附在这两种纳米银上时，在负电性纳米银，观察到荧光猝死；在正电性纳米银上观察荧光急剧增强现象，从分子的结构及纳米银表面局域场增强或无辐射通道的增加对增强和猝灭的原因作了讨论。     

单层MoS2悬浊液的制备及其摩擦学行为研究

用插层法制备了单层MoS2在水中的悬浊液，采用X射线衍射仪、透射电子显微镜以及扫描电子显微镜表征了单层MoS2的结构，用四球长时摩擦磨损试验机考察了单层MoS2在水中的悬浊液的摩擦学行为．结果表明：MoS2经剥层一重堆过程处理后形成单层MoS2，单层MoS2在水中以单片或者多片重叠形式存在，其间距由0．615nm增大为0．622nm；所合成的单层MoS2悬浊液在一定添加量范围内表现出良好的减摩能力．这是因为其在钢球磨损表面生成含FeS的保护膜，而保护膜的剪切强度较低，因而表现出良好的减摩性能，但活性元素S易导致钢的过度腐蚀而使抗磨性能反而变差．     

基于高速DDS芯片的宽带低杂散信号产生器的设计与实现

介绍了在现代雷达接收领域中的一种高性能信号产生器的设计方法。利用高性能直接数字频率合成器(DDS)芯片及单片机构成频率、幅度及相位可控的宽带低杂散信号产生器。实验证明该设计应用于雷达系统中的可行性。     

傅里叶变换红外光谱法研究核辐照对三七总皂苷粉成分的影响

采用傅里叶变换红外光谱(卷积谱)法对经不同剂量y-射线核辐照的三七总皂苷粉进行了对比研究.辐照剂量不高于9kGy时,三七总皂苷粉样品的化学成分几乎没有发生变化;三七总皂苷粉样品经15kGy及以上的辐照剂量辐照后,可能产生新的化学成分;经21kGy的剂量辐照,三七总皂苷粉产生了人参、三七粉所含的普通成分(非三七总皂苷成分...     

Er:SGB晶体主轴折射率测量

根据Er:Sr3Gd(BO3)3(Er:SGB)的透过率曲线粗略估计了该晶体的折射率,再利用自准直法,精确测量了30~170℃范围内,0.4880μm、0.6328μm、1.0640μm、1.338μm等波长下Er:SGB晶体的主轴折射率,得到Sellm e ier方程并计算了1.319μm下Er:SGB晶体的主轴折射率,与实验测量的结果进行比较,两者的差异不大于2×10-4,处在测量误差的范围内,验证了实验结果的可靠性。