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用张量方法定义了三维不可分离变量的椭圆平顶高斯光束(EFGB),通过级数分解法把EFGB分解成多个椭圆厄米-高斯模(EHGB)的叠加形式,利用椭圆厄米-高斯模的传输公式导出了EFGB通过非轴对称光学系统的传输公式,该公式和直接用矢量积分方法得出的结果是等效的.利用导出的公式,我们研究了EFGB通过轴对称透镜和非轴对称透镜的聚焦特性.结果表明,EFGB通过轴对称透镜和非轴对称透镜的聚焦后光强演化的规律不同.EFGB聚焦后,近场光强分布变化很快,特别是焦点前后,同时光强分布会发生旋转.结果还表明,不同阶次的EFGB经过透镜后的光强演化的快慢不同,阶次大的变化较慢.另外,轴上相对光强分布也跟阶数有关.(PG1) 相似文献
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环境样品中硒的形态分析方法研究 总被引:10,自引:2,他引:10
基于2,3-二氨基萘(DAN)试剂对四价硒的选择性测定,同时选择了4N盐酸作为还原剂将溶液样品中的六价硒定量还原到四价,用硝酸-高氯酸体系将以负二价形式存在的有机硒氧化到四价后分别测定,用差减法获得样品中不同形态硒的含量,并讨论了最佳实验条件。实验部分测定方法:待测溶液调整到PH1.5左右,再加入5ml 0.1%DAN的0.1N盐酸溶液,混合物在50℃下恒温避光反应20分钟后取出冷却到室温。加入5ml环己烷回旋萃取5分钟,分离 相似文献
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采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. 相似文献
769.
770.