InP/GaAs材料和器件的直接键合

采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过X-射线光电子谱(XPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析.结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富集,而Ⅲ族元素具有较深的扩散.因此提出界面层以InGaAs、InGaP为主,这种界面化学态的变化对样品的Ⅰ-Ⅴ特性和键合强度都具有实质意义的影响,同时由于异质结带阶的存在,要获得良好的电学性质和强度,键合温度并不是越高越好,而是存在一个最佳温度.最后,在GaAs衬底上成功地键合了InGaAs/InP光电探测器.     

自由电子能带中的平均键能与费米能级

根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果有助于了解平均键能 Em 的物理实质 ,同时也为自由电子系统提供一种通过自由电子能带计算费米能级 EF(或费米半径 k F)的方法     

基于分类非线性预测的高光谱图像无损压缩

高光谱数据的有效压缩成为遥感技术发展中需要迫切解决的问题.提出了一种基于分类非线性预测的高光谱图像无损压缩算法.针对不同频谱波段间相关性不同的特点,根据相邻波段相关性大小进行波段分组.为提高谱间预测性能,对各组波段进行最优排序.采用自适应波段选择算法对高光谱图像进行降维,并利用k-means算法对降维后波段的谱向矢量进行分类.在参考波段和预测波段中选取具有相同空间位置的上下文结构,在分类结果的基础上,对当前波段进行谱间非线性预测.参考波段采用JPEG-LS标准进行压缩,预测残差进行Golomb-Rice编码.对AVIRIS型高光谱图像的实验结果表明,该算法可显著降低压缩后的平均比特率.     

一种新型双频宽负载整流电路

提出一种新型双频宽负载整流电路,它能有效回收环境中的微波电磁能量.该整流电路主要由阻抗压缩匹配网络、肖特基二极管和低通滤波器构成.其中,阻抗压缩匹配网络由一个L型阻抗调节器和一个Ⅱ型阻抗匹配器组成,该网络能够在200 ～ 4000Ω的负载区间内减小输入阻抗的变化范围,从而提高整流电路的匹配性能.ADS 2017软件仿真...     

一种快速时变自适应信道估计盲方法

提出了一种新的信道估计最小均方(LMS)盲方法--时变步长理想加权判决信道估计盲方法.该方法通过对常规LMS算法进行改进,实现自适应跟踪信道特征变化;同时利用接收机判决误差信息函数作为权系数的理想加权判决,从而解决了常规LMS盲方法收敛速度慢、信道估计性能不高的缺点.仿真证明,对于不同的多普勒频移、时延扩展以及时间,该方法均表现出了比常规LMS方法更优的性能.同时,该方法还可用于航天、雷达等领域估计其他特征参数.     

多孔硅光致发光峰值能量随HF浓度变化的台阶行为

研究了在不同HF浓度下用电化学方法生成的非简并P型多孔硅的光致发光谱,发现多孔硅荧光谱的峰值能量随HF浓度的变化是“台阶”式的非连续跃变。我们用多孔硅量子线的限制效应并结合多孔硅的形成机制解释了这种“台阶”现象、分析表明,“台阶”现象反映了量子限制效应在多孔硅荧光和形成过程中必然存在的量子化行为。     

掺La的Bi—2201相材料的拉曼散射研究

本利用激光拉曼光谱研究了Ｌａ替代Ｓｒ对Ｂｉ－２２０１相材料的微结构和氧含量的影响。实验表明，随着Ｌａ含量的增加，体系中额外氧增加，晶体的结构畸变加剧，晶格的无序程度增大，本利用调制的晶格失配模型对这种由Ｌａ替代Ｓｒ所造成的结构畸变行为进行了讨论。     

沟道辐射中一些现象的理论分析

本文用W、K、B方法求解了相对论沟道负电子、正电子波动方程; 采用Moliére沟道势, 得到了与实验结果符合的负电子平面沟道辐射频谱; 预言了相对论正电子沟道辐射的多频谱现象; 解释了正电子平面沟道辐射的单峰实验结果. 并用微扰论求得了沟道粒子更为精确的波函数, 得到了沟道辐射的选择定则, 计算了负电子沟道辐射负电子沟道辐射谱线的相对强度. 还讨论了超相对论正、负电子沟道辐射频谱的退后量子效应.     

在共振吸收介质隐化氰甲醇溶液中的简并四波混频

本文报导在隐化氰甲醇溶液中用简并的四波混频获得位相复共轭后向反射波的首次实验。利用该吸收介质在四波混频中的共振增强作用获得了高效率的反射波。实验表明,转换效率在作用长度为15毫米时达18％。在泵浦光束强度不变的情况下,入射物被强度与复共轭反射波成线性关系。拍摄了后向波的场图,研究了它的位相复共轭特性。在有严重位相畸变介质存在的情况下,获得了好的再现象。     

制造气体激光管的简单可靠的工艺方法——模拟放电可调镜小孔迭象准直法

在制造固定内腔式气体激光管的工艺中,除反射镜膜层的蒸镀和管子的真空处理等之外,最主要的和关键性的工艺是谐振腔的准直及反射镜片和放电管外壳粘贴.反射镜片和管壳粘贴固定后的位置应当使谐振腔构成准直状态,即谐振腔轴线应与放电管轴线重合并且镜面严格垂直于轴线,如图1(a).其他两种情形都会使输出功率下降(图1(b)、(c)).