对奥运会开、闭幕式无线电监测管理的思考

1概述 在2008年北京奥运会和残奥会无线电监测保障工作中,对开幕式和闭幕式的保障至关重要。在举行开、闭幕式时,由于各种无线电设备大量集中使用,无线电监测保障工作的难度很大。为了在奥运会开、闭幕式期间有效实施无线电监测,确保各种无线电业务的正常运行,无线电监测部门需要全面掌握监管区域内现有频率的使用情况．     

一种长波长MOEMS可调谐滤波器的结构设计和分析

提出了一种微光机电系统(MOEMS)可调谐滤波器结构,该结构采用GaAs/AlGaAs作为下分布布拉格反射镜(DBR),GaAs和SiO2/Si介质膜作为上DBR,空气作为腔.按照波分复用系统的性能要求对MOEMS可调谐滤波器各项参数,如带宽、峰值透射率、挠度和调谐速度等进行了分析和设计.研究了挠度和调谐速度与梁厚度、宽度、长度等参数的关系.结果表明挠度与长度成正方向变化,同梁厚度、宽度成反方向变化,而调谐速度与各参数的关系恰好相反.     

基于聚类的高光谱图像无损压缩

高光谱海量数据的有效压缩成为遥感技术发展中需要迫切解决的问题。该文提出了一种基于聚类的高光谱图像无损压缩算法。针对高光谱图像不同频谱波段间相关性不同的特点,根据相邻波段相关性大小进行波段分组。由于高光谱图像波段数量较多,采用自适应波段选择算法对高光谱图像进行降维,以获取信息量较大的部分波段,利用k均值算法对降维后的波段谱矢量进行聚类。采用多波段预测的方案对各组中的波段进行预测,对于各个分类中的每个像素,分别选取与其空间相邻的已编码的部分同类点进行训练,从而获得当前像素的谱间最优预测系数。对AVIRIS型高光谱图像的实验结果表明,该算法可显著降低压缩后的平均比特率。     

一种改进的高功率GaN 放大电路设计方法

传统的功率放大器设计,大都将功率管设计在绝对稳定的状态,再进行匹配电路的设计,这样可以避免振荡的发生,但是同时也会减小放大器的增益,降低1dB压缩点的输出功率。本文提出了一种改进的放大电路设计方法,提出在潜在振荡条件下详细分析振荡区域,准确设计匹配电路,使匹配阻抗避开振荡区域,从而在保证放大器稳定工作的同时,能够提高增益和输出功率。这种方法首次应用于GaN HEMT功率放大器的设计,并且取得了很好的效果。     

SSD的现状及发展前景

半导体硬盘SSD(固态硬盘)由NAND闪存、NAND控制器以及用作缓冲存储器的DRAM所构成(见图1)。在SSD中,坏块管理、纠错编码(ECC)及单元调整等处理都由NAND控制器的闪存转换层(FTL)来执行。SSD的性能不仅取决于NAND闪存的性能,而且在很大程度上还会受到NAND控制器算法的影响。因此,在优化NAND控制器的设计时,需要考虑到NAND闪存的特性。本文将基于NAND闪存的器件技术及电路技术,以NAND控制器技术为中心,论述SSD技术的现状和今后的挑战等。     

多能级闪存的总剂量辐射效应

介绍了一种新型的存储技术——多能级存储,并对应用此技术的多能级闪存进行γ射线辐射,研究了多能级闪存的阈值电压及存储单元的电性能曲线等随辐射剂量、辐射剂量率以及时间的关系规律.对实验结果进行了理论解释和讨论     

化合物半导体晶片和器件键合技术进展

半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 ,针对目前的研究工作和应用做了展望     

基于双向预测的高光谱图像无损压缩

提出了一种基于双向预测的高光谱图像无损压缩算法。该算法首先采用自适应波段选择算法选出信息量较大的波段,然后利用聚类算法对这些波段的谱向矢量进行分类预处理。为了便于组织谱间预测过程,根据相邻波段相关性大小进行自适应波段分组,采用双向预测的方法去除谱间相关性。通过在参考波段和预测波段中定义三维上下文预测结构,在聚类结果的基础上,对各个像素分别训练最优的预测系数,从而实现当前波段的有效预测。对AVIRIS型高光谱图像的实验结果表明,该方法可获得较好的无损压缩性能。     

基于PVDF压电膜片的光声探测器制备及应用

非共振光声红外气体检测系统因其结构简单,成本低和检测灵敏度高的特点,具有较好的应用前景。该文提出了以聚偏氟乙烯(PVDF)压电膜片为微压敏感元件的非共振光声探测器,利用ANSYS对压电膜片进行了有限元分析,设计制备了双膜片结构微压敏感元件,其中PVDF压电膜片厚度为20 μm,尺寸为10 mm×5 mm。设计了包含吸收腔和补偿腔的双腔室结构,并完成了光声探测器的封装。将光声探测器应用于非分光红外(NDIR)气体检测系统,探测器的输出信号与CO2气体浓度有较好的线性关系,最低理论检测浓度约为29×10-6。     

碳化硅薄膜的力学性能理论研究

目前,SiC薄膜在极端苛刻环境下的力学性质尚不明确,相关力学参数仍需进一步研究.文章采用模拟软件ANSYS对微尺寸的SiC薄膜在不同条件下的力学性能进行了理论分析.研究了SiC薄膜的面积和厚度对刚度的影响,结果表明,其刚度与薄膜面积成反比,与薄膜厚度的三次方成正比.其次,研究了材料中缺陷的尺寸及其位置对SiC薄膜力学性能的影响,模拟结果表明,缺陷的位置越接近薄膜中心,对刚度的影响越大;缺陷的尺寸越大,密度越高,薄膜的刚度越小.根据实验测得高温下杨氏模量数据,模拟计算发现SiC薄膜的刚度在290～2 500 K范围内,随温度升高呈准线性下降趋势.