128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器

报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40 μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100％截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109 cmHz1/2 W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.     

InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8,晶格失配a/a=1.510-4。研制的p?鄄i?鄄n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.541010 cmHz1/2W,峰值探测率达到1.751011 cmHz1/2W。     

固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试

利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品.通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示：停电自然降温后,在固液界面附近存在一个明显的组份过度区,正常凝固的晶体组份分布比较均匀,而快速凝固的结晶区域轴向组份分布梯度较大,同时,通过X-Ray测试结果进一步准确判断固液界面的位置.     

大孔吸附树脂分离纯化夏枯草中黄酮

通过静态吸附、静态解吸及吸附动力学研究,对比分析了AB-8、D101、NKA-Ⅱ和NKA-9等4种大孔吸附树脂对夏枯草乙醇提取物中总黄酮的分离纯化效果,并且考察和优化了AB-8树脂分离纯化夏枯草中总黄酮的工艺条件。结果表明,弱极性树脂AB-8的吸附率为90.29%,解吸率为81.29%,是性能良好     

p＋-ZnSe：N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.     

分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究

报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBE HgCdTe材料的研究结果．利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主．对原位As掺杂MBE HgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBE HgCdTe材料．     

无机粉体对微发泡聚丙烯复合材料力学行为的影响

通过改性的不同形状（针状MgSO4晶须、片状云母粉、球形状SiO2）无机粉体材料,以5％含量加入到聚丙烯中,在二次开模条件下制备微发泡PP复合材料;测定PP／无机粉体材料复合体系接触角,联合粘接理论计算液-固界面的黏附功;以异相成核理论和填充增强机理为基础,分析了不同形状的无机粉体材料对微发泡PP材料力学行为的影响规律...     

微孔对HDPE缺口冲击强度及断面形貌特征的影响研究

在-196℃～+23℃的温度范围内,系统测试了微孔发泡和未发泡高密聚乙烯(HDPE)的Izod缺口冲击强度,进行了动态粘弹谱(DMA)和冲击断口系统观察分析.根据实验结果,研究了外加冲击力场作用下微发泡高密度聚乙烯变形断裂过程和机理,揭示了微孔的存在导致一定实验温度下的材料变形断裂机制发生了变化,微孔的引入一方面减小了试样(材料)的有效承载面积,另一方面导致HDPE试样芯部基体材料的应力状态改变为平面应力状态,易于在冲击载荷下产生塑性变形或在低温脆断条件下裂纹尖端钝化阻止裂纹扩展,其综合作用的结果导致微孔发泡和未发泡HDPE的Izod缺口冲击强度随实验温度的变化规律存在差异,且实验温度高于-35℃时,微孔发泡HDPE的缺口冲击强度低于未发泡的,实验温度低于-35℃后,微孔发泡HDPE的缺口冲击强度高于未发泡的.     

超高效液相色谱-串联质谱法测定稻田水产品中毒死蜱残留

以QuEChERS作为样品前处理手段，采用超高效液相色谱-串联质谱（UPLC-MS/MS）检测技术，建立了稻田水产品中毒死蜱残留的检测方法。样品经乙腈提取，由0.2 g乙二胺-N-丙基硅烷（PSA）和1.2 g无水硫酸镁分散萃取净化，采用Hypersil GOLD C₁₈色谱柱（100 mm×2.1 mm，5 μm）进行分离，用加热大气压电喷雾电离源、正离子模式进行扫描，在选择反应监测模式下检测，基质匹配标准曲线外标法定量。结果表明，毒死蜱在0.5~100.0 μg/L范围内线性关系良好，相关系数大于0.999；毒死蜱的加标回收率为86.2%~103.6%，相对标准偏差为3.5%~7.6%（n=6），检出限为0.25 μg/kg，定量限为0.5 μg/kg。该方法简单、快速、灵敏，能够满足稻田水产品中毒死蜱残留的检测需求。     

四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算

在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb II类超晶格材料的能带结构.同时, 计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量, 以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算, 并与实验结果进行比较, 超晶格材料响应截止波长的结果更为接近实验值.不同的界面也会引起能带结构的变化, 带来截止波长的变化.对于应变补偿的InAs/GaSb超晶格材料, 非对称InSb界面相比对称界面有更大的截止波长.