一株砷抗性钩端螺旋菌的分离与鉴定

以含砷金尾矿样品作为浸矿微生物生长的能源物质,利用富集培养方法从江西银山铜矿尾矿矿坑酸性废水中分离得到一株砷抗性细菌AS-1,该菌株革兰氏染色阴性,其最适生长温度在35℃~40℃之间,最适生长pH1.0~2.0。16SrDNA系统发育分析表明,该菌与嗜铁钩端螺旋菌(Leptospirillum ferriphilum)的相似度达99%,属于同一类群。浸矿试验结果显示,试验组分离菌AS-1脱砷率达到61.2%,对照组砷元素含量浸矿前后无显著差异,表明分离的AS-1浸矿菌具有较强的脱砷能力。     

Limits on light WIMPs with a 1 kg-scale germanium detector at 160 eVee physics threshold at the China Jinping Underground Laboratory

We report results of a search for light weakly interacting massive particle(WIMP) dark matter from the CDEX-1 experiment at the China Jinping Underground Laboratory(CJPL). Constraints on WIMP-nucleon spin-independent(SI) and spin-dependent(SD) couplings are derived with a physics threshold of 160 eVee, from an exposure of 737.1 kg-days. The SI and SD limits extend the lower reach of light WIMPs to 2 GeV and improve over our earlier bounds at WIMP mass less than 6 GeV.     

Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.     

Cd Zn Te晶体中位错分布特性研究

用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂对ＣｄＺｎＴｅ材料的位错进行了腐蚀显示和观察,并对产生的腐蚀坑密度（ＥＰＤ）进行了统计分析,结果发现在同一样品表面不同位置上或在同一晶锭中不同区域内的位错密度分布都满足修正的瑞利分布．根据这一分布规律,从理论上得到了如何正确计算ＣｄＺｎＴｅ材料ＥＰＤ值的抽样检查方法,并就这一分布规律对材料性能及其探测器光敏元大小选取的影响进行了讨论．     

发泡天然橡胶复合材料发泡行为及力学性能的研究

采取模压成型的方式制备发泡天然橡胶复合材料,以相容性技术和硫化与发泡匹配机理为基础,分析了不同弹性体和LDPE对天然橡胶发泡质量及力学性能的影响规律。结果表明:弹性体与LDPE的加入使得发泡天然橡胶复合材料的泡孔结构发生明显的变化,在天然橡胶中添加EVA所形成的发泡复合材料,其发泡质量较理想,泡孔直径最小为114.83μm,泡孔密度最大为每立方厘米达4.17×106个;对于力学性能,天然橡胶中添加BR所形成的发泡复合材料综合性能较好,其邵氏硬度15,压缩永久变形3.56%,冲击回弹性55%。从发泡质量和力学性能的角度来看,天然橡胶中添加EVA适合于发泡天然橡胶制品的开发。     

分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究

报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度, 与用红外透射谱得到的薄膜禁带宽相近; 其半峰宽和带尾能量较小, 显示了较高的薄膜质量。样品经过退火后带尾能量降低, 双晶衍射的半峰宽也有明显的变窄     

高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响

对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究.研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变,从而破坏原生结构.这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制.同时,对热退火前后P-on-N结构变化进行了二维数值模拟,研究了不同变化对其能带结构和光电流的影...     

Cd1-xZnxTe合金的退火研究

用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ,选择合适的退火温度和退火时间 ,可以有效地消除晶片中大尺寸的 Te沉淀 ,却难以消除晶片中小尺寸的微量 Te沉淀     

Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温 显微光致发光平面扫描表征

用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量．对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度等参数,其平面分布对应于CZT中Zn的组分分布．统计的结果给出禁带宽度的不均匀性．对样品进行溴抛光后重复类似的测量,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善,接近了材料组分的真实分布．     

Cd1-xZnxTe合金的退火研究

用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对Cd1-xZnxTe晶片中Te沉淀的影响．研究结果表明,红外透射谱只对大尺寸的Te沉淀较为敏感,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的Te沉淀,两者互为补充．在Cd气氛下对晶片进行退火处理,选择合适的退火温度和退火时间,可以有效地消除晶片中大尺寸的Te沉淀,却难以消除晶片中小尺寸的微量Te沉淀．