PrO-C*-代数的顺从性和核性

研究了Pro—C^*-代数的顺从性和核性．主要证明了(1)顺从Pro—C^*代数的闭理想是顺从的；(2)核Pro—C^*代数类对归纳极限封闭；(3)交换σ-C^*-代数和核C^*-代数都是核，σ-C^*-代数并且核σ-C^*-代数类对于商运算、张量积运算和可数逆向极限封闭．进一步得到核，σ-C^*-代数的扩张保持核性的条件。     

A Mathod to Solve Systems of Fuzzy Linear Equations

§１．　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｗｅｗｉｌｌｃｏｎｃｅｒｎｗｉｔｈｓｏｌｖｉｎｇｔｈｅｓｙｓｔｅｍｓｏｆｆｕｚｚｙｌｉｎｅａｒｅｑｕａｔｉｏｎｓＡｘ＝ｂｆｏｒｘ，ｗｈｅｒｅＡｉｓａｍａｔｒｉｘｏｆｆｕｚｚｙｎｕｍｂｅｒｓ；ｘａｎｄｂａｒｅｖｅｃｔｏｒｓｏｆｆｕｚｚｙｎｕｍｂｅｒｓ．Ｉｎ［２］，ｕｓｉｎｇｔｈｅｎｅｗｓｏｌｕｔｉｏｎｃｏｎｃｅｐｔ，ｓｉｘｎｅｗｓｏｌｕｔｉｏｎｓａｒｅｄｅｆｉｎｅｄ．Ｔｈｉｓｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｗａｓｒｅｓｔｒｉｃｔｅｄｔｏｓｑ…     

1.55μm拉通型Ge-APD

1.引言Ge是间接跃迁型半导体。如图1所示,在吸收端附近,存在着直接跃迁型半导体所没有的缓慢拖尾现象。另一方面,在吸收端附近,迄今所报导锗的吸收系数是不尽一致的。例如,在λ～1.55μm波长下,吸收系数为2×10~2-6×10~2cm~(-1)。根据这个理由,在吸收端附近,Ge的有实用价值的波长敏感区直到现在尚不能确定。     

砷化镓微波单片集成电路的失效分析

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。     

GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１７ｃｍ－３．对一些ＧａＮ膜进行了变温Ｈａｌ测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Ｈａｌ迁移率随温度的变化研究了ＧａＮ外延膜的导电机理．结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主．     

快速冷却条件下银的比热及玻璃化过程的分子动力学模拟

本文采用以嵌入原子模型为基础的分子动力学方法对液态银快速冷却条件下的比热及玻璃化过程进行了模拟，得到了银的比热及其与温度的关系．同时，对快速冷却条件下银的结构特性以及动力学特性进行模拟和分析，结果表明在所模拟的冷却速率下，银在从 １２００ Ｋ冷却到 １０００ Ｋ的过程中发生了玻璃化转变，其玻璃化温度在 １０００ Ｋ左右．     

依据可靠性理论设计光纤通信系统

主要研究了可靠性理论在波分复用光纤通信系统中的应用，并依据可靠性理论对光纤通信系统进行了初步设计。首先给出光纤通信系统的可靠性理论模型，通过对这个基本模型进行理论分析和计算，得出的相关结论对光通信系统、设备的研制具有参考价值。     

例析递推数列与数学建模

数学建模是高中数学新课标的一个新内容,为学生提供了自主学习的空间,有助于学生体验综合运用数学知识和方法解决实际问题的过程,增强应用意识、创新意识和实践能力,但目前也是数学教学中的一个薄弱点.本文就几个实际问题结合常见的递推数列作简单的分析.     

第62届流变学学会年会在美举行

第62届流变学学会年会于1990年10月21～25日在美国圣菲市举行。会议共发表学术论文171篇,内容涉及理论流变学、实验方法、加工流变学与数值方法、聚合物溶液与熔体、非线性及大变形响应等共30个专