布尔矩阵的振荡条件与振荡指数

首先将常用类型的模糊矩阵都纳入到了二阶占优模糊矩阵的统一框架之内,然后利用模糊矩阵的有向伴随图,指出了强连通布尔矩阵振荡的一个充要条件,依次证明了强连通的二阶占优布尔矩阵的振荡指数为2n-2,非强连通的二阶占优布尔矩阵的振荡指数为3n-4.     

IP视频会议MCU组播功能实现与应用

论述了组播技术在视频会议系统中应用的特点和实现方法，介绍了支持组播传输的视频会议MCU的功能特点及应用实例。     

LD泵浦Nd:YVO_4/Cr:YAG激光器的被动调Q锁模

报道了实验中发现的可饱和吸收被动调Q晶体Cr:YAG的调Q锁模现象,在插入不同透过率的Cr:YAG片以及注入不同的泵浦电流时,得到了不同的调Q锁模输出波形,并对这一现象作了初步的讨论,总结出一些规律。     

对角线为4英寸的表面放电等离子体显示器

作者介绍了一种具有80×80个腔(象素)、腔距为1mm 的4英寸全色表面放电交流等流离子体显示器(SD—PDP)。实验结果表明三相驱动方式对提高器件的亮度和发光效率及改善存储系数有明显的效果。在4英寸和1英寸的全色 SD—PDP 屏中保     

LD泵浦Nd:YVO4/LBO临界相位匹配腔内倍频瓦级绿光激光器

报道了一种光纤耦合LD泵浦Nd:YVO₄晶体、腔内Ⅰ类临界相位匹配(角度匹配)LBO倍频、瓦级输出的全固态绿光激光器的设计方法和实验结果.采用短三镜折叠腔结构,通过对热透镜焦距的估算及计算机优化设计选取合适的谐振腔参量,在8 W的泵浦功率下,获得了1.6 W绿光基模输出,光-光转换效率达20%.经测量,绿光的偏振比超过400:1,4 h功率稳定度为±1.6%.     

宽带隙半导体GaN的快速反应原子束蚀刻

本文描述了宽带隙半导体 GaN 的快速反应原子束蚀刻。(0112)取向蓝宝石上 GaN膜蚀刻深度与蚀刻时间成正比,衬底温度在80—150℃范围内,用 Cl_2蚀刻的速率为0.10—0.12μm/分。该值小于 GaAs(100)的蚀刻速率,但比蓝宝石衬底的蚀刻速率要大十几倍。氮化镓是具有纤锌矿结构的宽带隙半导     

数据仓库技术的研究现状和未来方向

数据仓库(Data Warehouse)和联机分析处理(On-Line Analytical Processing,OLAP)是信息技术新兴的研究领城.国际上对数据仓库体系结构、数据组织、视图维护、多维数据库建模、数据立方体计算等问题进行了广泛和深入的研究.阐述了斯坦福大学、IBM Almaden研究中心、威斯康辛大学以及微软和AT&T公司在该领域近几年的研究,以此描述数据仓库技术的研究状况和发展方向.     

基于ISP芯片的数字编码波形发生器设计

介绍了一种可程控的编码波形发生器,并重点讨论了用Synplicity的VHDL和在系统可编程逻辑器件ispLSI5KVE的实现方法.