GPON在全业务运营中的应用模型研究

GPON技术是新一代的接入网技术,本文通过对GPON技术的介绍,和对全业务时代接入网的分析,针对不同的应用场景,提出了多种GPON技术的应用模型。     

基于∑-Δ调制的分数频率综合器杂散分析

详细介绍了∑-Δ调制技术,并对其抑制分数频率综合器杂散的性能进行了深入分析。     

基于∑-△调制的分数频率综合器杂散分析

详细介绍了∑-△调制技术并对其抑制分数频率综合器杂散的性能进行了深八分析。     

基于∑△ 调制的分数频率综合器杂散分析

分数频率综合器能在提供小步进跳频距离的同时达到比较好的相噪指标，故得到了广泛的应用。但是，由于分数频率综合器会在跳频步进处出现特有的分数杂散，故其性能受到了分数杂散的影响而恶化。因此，减小分数杂散的影响成为了分数频率综合器应用中的重要内容。∑-△调制技术来源于高速的A／D、D／A转换技术，该技术已广泛应用于现代PLL芯片中，文章详细介绍了∑-△调制技术，并对其抑制分数频率综合器杂散的性能进行了深入分析。     

基于初相匹配滤波的有源欺骗干扰抑制

针对有源欺骗干扰提出了一种新型的基于初相匹配滤波的干扰抑制方法.首先,基于相参雷达接收机匹配滤波器得到脉压信号矩阵.其次结合该矩阵中目标和干扰脉压尖峰矢量,基于最大平均信号干扰能量比（信干比）输出推导出了初相匹配滤波的响应函数解析式,形成了基于有源欺骗干扰抑制的初相匹配滤波算法.该算法在保证目标脉压尖峰矢量不损失的前提下具有较好的抗干扰改善因子.仿真结果表明当雷达发射脉冲串脉冲数为60时,在Swerling I目标起伏下,该算法抗干扰改善因子（干扰抑制深度）为20dB左右.在SwerlingⅡ目标起伏下,该算法干扰抑制深度为19dB左右.     

热电子阴极材料LaB6的单晶制备工艺与热发射性能研究

采用Al助熔剂法成功制备出高质量LaB₆单晶,系统地研究了不同升降温速率对LaB₆单晶生长的影响,确定了升降温速率对于LaB₆单晶形状及尺寸的调控规律:在100℃/h升温,110℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB₆单晶比例最大;而在100℃/h升温,90℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB₆单晶尺寸最大,可达7 mm×0.133 mm×0.133 mm。同时,热电子发射性能测试表明制备的LaB₆单晶具有良好的热电子发射性能。     

Two Superconducting Phases and Their Characteristics in Layered BaTi2（Sb1-xBix）2O with x=0.16

Two correlated superconducting phases are identified in the layered superconductor BaTh （Sb1-xBix）2O （x = 0.16）, with the superconducting transition temperatures of Tc = 6K （the high Tc phase） and 3.4K （the low Tc Phase）, respectively. The 6K superconducting phase appears first in the as-prepared sample and can decay into the low TC phase by exposure to an ambient atmosphere for a certain duration. Specially, the high Tc phase can reappear from the decayed sample with the low Tc phase by vacuum annealing. It is also found that the CDW /SDW order occurs only with the 6 K superconducting phase. These notable features and alteration of the superconductivity due to the post-processing and external pressure can be explained by the scenario of electronic phase separation.     

磁电阻/超导复合式磁传感器:原理及发展

弱磁探测在科研、工业生产以及日常生活中已起到越来越重要的作用。近年来,利用超导技术与磁电阻传感器相结合,人们研制成功一种新型的磁电阻材料/超导复合式磁传感器,其探测精度有望达到f T量级,并在弱磁探测领域具有大规模应用的潜力。文章介绍了该类磁传感器的结构及工作原理,并根据磁电阻材料的不同,分别对巨磁电阻(GMR)和由作者所在实验室制备的隧道磁电阻(TMR)/超导复合式磁传感器的发展及应用进行了说明。