基于SiO2溶胶的稳定性的Cu/SiO2催化体系在化学机械抛光中的应用研究

There is a lot ofhydroxyl on the surface ofnano SiO2 sol used as an abrasive in the chemical mechanical planarization （CMP） process, and the chemical reaction activity of the hydroxyl is very strong due to the nano effect. In addition to providing a mechanical polishing effect, SiO2 sol is also directly involved in the chemical reaction. The stability of SiO2 sol was characterized through particle size distribution, zeta potential, viscosity, surface charge and other parameters in order to ensure that the chemical reaction rate in the CMP process, and the surface state of the copper film after CMP was not affected by the SiO2 sol. Polarization curves and corrosion potential of different concentrations of SiO2 sol showed that trace SiO2 sol can effectively weaken the passivation film thickness. In other words, SiO2 sol accelerated the decomposition rate of passive film. It was confirmed that the SiO2 sol as reactant had been involved in the CMP process of copper film as reactant by the effect of trace SiO2 sol on the removal rate of copper film in the CMP process under different conditions. In the CMP process, a small amount of SiO2 sol can drastically alter the chemical reaction rate of the copper film, therefore, the possibility that Cu/SiO2 as a catalytic system catalytically accelerated the chemical reaction in the CMP process was proposed. According to the van＇t Hoff isotherm formula and the characteristics of a catalyst which only changes the chemical reaction rate without changing the total reaction standard Gibbs free energy, factors affecting the Cu/SiO2 catalytic reaction were derived from the decomposition rate of Cu （OH）2 and the pH value of the system, and then it was concluded that the CuSiO3 as intermediates of Cu/SiO2 catalytic reaction accelerated the chemical reaction rate in the CMP process. It was confirmed that the Cu/SiO2 catalytic system generated the intermediate of the catalytic reaction （CuSiO3） in the CMP process through the removal rate of copper film, infrared spectrum and AFM diagrams in different pH conditions. FinalLy it is concluded that the SiO2 sol used in the experiment possesses stable performance; in the CMP process it is directly involved in the chemical reaction by creating the intermediate of the catalytic reaction （CuSiO3） whose yield is proportional to the pH value, which accelerates the removal of copper film.     

MIMO-OFDM系统同步技术研究进展

多输入多输出正交频分复用(MIMO-OFDM)系统对定时偏移和频率偏差极其敏感,并且对时间同步精度要求极高。分析比较了29种具有代表性的MIMO-OFDM系统同步算法的优缺点,指出针对数据辅助类的同步方法,采用共轭、取反等特性构造优良正交性的训练序列是提高时间同步性能的关键,可在时域进行频偏估计和降低参数维数来降低系统计算复杂度;针对非数据辅助类的同步方法,构造计算复杂度较低的代价函数是提高频率同步性能的关键,这些都是MIMO-OFDM系统同步方法值得研究的方向。     

氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究

采用钽针尖氮化法首次制得了氮化钽场发射阴极。在加速电压为6.8kV,尖端温度为1300℃时,热场发射电流达210μA,相应的亮度可达3×10~8A/cm~2·str,角电流密度为5×10~3μA/str。在真空度为10~(-8)托时,能得到较为稳定的发射,30分钟内发射电流的漂移在2.5％以下。典型的场发射图象由中央为暗区,二侧有二叶对称的明区所构成。采用俄歇谱仪对阴极表面进行了组成分析。     

高频用的ZnO薄膜表面波器件

研究了表面波器件用的薄膜材料及其在甚高频-超高频带上的应用,结果证明ZnO薄膜是最佳的簿膜材料.这些薄膜是采用射频溅射法制作的.在这种情况下,形成在玻璃基片上的C轴取向的多晶膜,温度系数为15×10~(-6)/℃以下,可在300兆赫以下的频率范围内作成温度稳定性好的表面波器件.另一方面,在蓝宝石基片上外延生长的ZnO单晶膜的相速度是6,500—10,000米/秒,而这种速度在块状单晶体内是不能得到的,并且已证明这种膜能有效地使用到千兆赫频带以上的高频范围.本文着重叙述关于使用这些薄膜制作的甚高频-超高频频带的表面波带通滤波器、谐振器、振荡器等的工作特性与薄膜材料特性相比较的结果.     

CCD摄象器件[11]——新的转移方式

一、电阻栅转移方式CCD摄象器件用于彩色电视摄象机时,主要问题是兰光灵敏度低以及因过量入射光产生的电晕。克服这方面缺点的一种方法是采用电阻栅转移方式。图1是这种方式的截面图,图2是这种转移方式的结构。在这种转移方式中,光信号电荷积分后在横方向转移,然后流入垂直方向的BCCD。该BCCD由剖面(profiled)PCCD构成,沟道在垂直方向,由电阻栅电极形成,下面具有倾斜的电势面。信号电荷在垂直沟道中移动,然后流入移位寄存器而读出。     

CCD摄象器件(6)——单片式CCD彩色摄象机①

对于单片式CCD彩色摄象机,就象素数目而言,如果将来的目标是垂直方向为480,水平方向为500～600,那未,当片子面积为10mm~2时,则CCD芯片上的元件集成度相当于256K的动态MOS随机存取存储器。为实现这个目标,需要使超大规模集成(LSI)技术中的最小加工线宽小于2μm。目前,各家公司正在考虑使用3～4μm的加工线宽进行试验和生产。但超LSI技术的发展以及将新技术引入生产的速度是非常迅     

液晶矩阵大屏幕显示

人们早已盼望实现平板显示,因此发明了各种新型显示器件,液晶显示也作为一种很好的显示方式,在国内外进行了研究。 一般,液晶显示的特点有如下几点:1)耗电量少,较低电压可以驱动;2)被     

DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器(PCDPLBT).     

T1－2223超导体的制备工艺与稳定性研究

本文研究了预烧结与后处理条件对获得单相Ｔ１－２２２３化合物的影响，当预烧结温度在７５０℃左右时，Ｔ１－２２２３相开始形成．低温预烧结可以减少Ｔ１的损失．后处理有利于晶体的进一步完善和提高．在不同气氛的热处理条件下，对Ｔ１－２２２３相的热稳定性进行了初步的研究．     

P6（D6h）和P12（D6h的从头算研究

利用Ｇａｕｓｓｉａｎ－９２从头算程序，在６－３１Ｇ￣＊基组下优化Ｐ_６（Ｄ_６ｈ）分子和Ｐ_（１２）（Ｄ_（６ｈ））原子簇，并进行了振动频率的计算．得到２Ｐ_６（Ｄ_（６ｈ））→Ｐ_（１２）（Ｄ_（６ｈ））总能量的相对值，即△Ｅ＝Ｅ_Ｐ_（１２_（Ｄ_（６ｈ））－２ＥＰ_６（Ｄ_（６ｈ））＝－１．１９７ｅＶ．　Ｐ_（１２）（Ｄ_（６ｈ））原子簇较２Ｐ_６（Ｄ_（６ｈ））分子在热力学上更为稳定。基组下，Ｈｐ＝ＨＰ优化的Ｐ＝Ｐ双键键长为０．２００５ｎｍ，Ｈ２Ｐ─ＰＨ２优化的Ｐ─Ｐ单键键长为０．２２１４ｎｍ，显然，Ｐ６（Ｄ６ｈ）分子中的键长比优化双键长０．００９１ｎｍ，比优化单键短０．０１１８ｎｍ，对于Ｐ６（Ｄ６ｈ）分子而言，其键长介于单、双键之间且相等。Ｐ６分子前线轨道的第３９条分子轨道形式估算为：联系人及第一作者：冯健男，男，２５岁，博士研究生。