相干超反斯托克斯喇曼效应(CHARS)产生机理

我们设计了一种取代受激超喇曼效应,产生相干超喇曼光谱的实验方法。即用两束频率分别为ω_1、ω_O的激光束入射到某种介质上,产生频率为ω_3=3ω_1-ω_2的非线性多光子散射效应,称之为相干超反斯托克斯喇曼散射效应。这是一种四阶非线性过程,它要求所测材料为非中心对称,当入射光频率满足与材料共振能级频率ω_(ab)的一定关系时,即满足:ω_(ab)=3ω_1,或ω_(ab)=2ω_1-ω_2,或ω_(ab)=ω_1-ω_2,或ω_(ab)=2ω_1,会产生频率为ω_3=3ω_1-ω_2的共振光谱。     

MOCVD生长GaAs/AlGaAs量子阱研究

利用常压MOCVD技术在较低生长速率下生长出多种GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,利用低温PL谱和TEM对材料结构进行了表征。所得势阱和势垒结构厚度均匀平整,最窄阱宽为1.8nm。本研究表明,低速率(γ≤0.5nm/s)连续生长工艺能够避免杂质在界面富集,优于间断生长工艺,且在掺si n~+-GaAs衬底上所得量子阱发光强度高于掺Cr SI-GaAs衬底上的结果。     

STUDY ON THE STABILITY OF GaAs/AlGaAs SUPERLATTICE STRUCTURE

This paper reports the stability of GaAs/AlGaAs superlattice structures after theorem annealing, Zn diffusion and MeV Si⁺ ion implantation. The MeV Si⁺ ion implantation induced damage in GaAs/AlGaAs superlattices, its annealing properties, and the effects on superlattice structure stability are reported as well. Thermal annealing at 650℃ for 30min has little effect on superlattice structure. Zn diffusion may induce superlattice layer disordering. And annealing at 650℃ for 30min can eliminate damage caused by 2.3MeV,1.5×10¹⁵ cm^-2 Si⁺ ion implantation, which cannot induce superlattice layer disordering.     

兰州冷却储存实验环高可靠性低电平控制系统

为控制高频加速腔体产生具有稳定的幅度、相位和频率的射频加速电场,设计了实验环高频低电平控制系统。为保证控制的稳定性、可靠性和实时性,系统各功能模块以硬件模拟电路为主体,同时为了协调控制各功能模块的工作并补偿某些功能模块的非线性误差,增加了数字模块。该系统由相位稳定、幅度稳定和频率调谐3个子系统组成,采用高频鉴相、PID控制、DSP和FPGA等技术。目前,控制系统通过了长期稳定性的实验和高功率实验,幅度控制精度±3％,相位控制精度±2°,频率调谐精度±5°。     

晶体和频效应非共线匹配理论推导

分析了晶体非共线匹配和频效应的特点,利用晶体中折射率曲面的特点和位相匹配条件,研究了一般情况下参加和频的二束基波与二次谐波的空间传播关系,推导了正负单轴晶体和频各种匹配条件计算公式。还给出了各种特殊情况的匹配公式,最后给出了一匹配曲面的计算结果。     

MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．