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Interface states in Al_2O_3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique
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Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE). 相似文献
112.
庞玉娜冯庆霞董宝田宫斌张照飞孙彩虹 《化学分析计量》2021,(5):28-31
建立高效液相色谱法快速测定过氧化氢工作液中2-乙基蒽醌、2-戊基蒽醌及其氢化物含量的方法.选择ZorbaxXDB–C18色谱柱(250 mm×4.6 mm,5μm)为分离柱,以甲醇–水溶液(体积比为75:25)为流动相,流量为0.8 mL/min,柱温为40℃,紫外检测器检测,检测波长为254 nm,外标法定量.2-乙... 相似文献
113.
基于CCD与FPGA的全自动电脑验光仪图像系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了全自动电脑光仪的测量原理,其中光学图像处理系统是产品设计的核心。为了提高测量精度,着重论述了一种基于CCD和FPGA共同完成的一套光学图像处理系统。该系统主要由图像采集和图像处理系统组成,CCD把采集到的人眼底图像送至FPGA,FPGA通过其内部强大的对数字图像的处理能力,对眼底图像进行分析、计算、处理、最终得出理想的测量结果。经验证,该系统能准确测量人眼屈光度,技术指标达到国家相关检验标准。 相似文献
114.
栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取 总被引:2,自引:2,他引:2
采用恒定电压和恒定电流试验方法对20nm栅氧化层进行了TDDB可靠性评价试验,并完成了1/E模型参数提取,给出了恒定电流应力下描述氧化层TDDB退化的统计模型,较好地解释了试验结果。 相似文献
115.
前视阵高速雷达空时处理方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多普勒严重模糊,训练样本有限是高速平台雷达面临的重要问题,协方差矩阵估计误差以及目标约束误差将使处理器性能严重下降。针对上述问题,该文对前视阵杂波自由度进行了研究,分析表明杂波特征谱与孔径带宽积、时宽带宽积以及空时耦合特性有关。该文提出基于主瓣区域空时多波束的鲁棒空时处理方法,首先通过空时多波束降低杂波自由度,然后利用多普勒区间约束的方法,提高了处理器的性能和系统鲁棒性。仿真实验证明了该文方法的有效性,当样本中存在目标信号时,该文方法相比传统固定约束矢量的方法输出信杂噪比性能平均提高5 dB左右。 相似文献
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使用最新版本的Space Radiation 7.0软件对典型卫星轨道(包括地球同步轨道、中地轨道和低地轨道)的空间辐射环境进行提取和计算,分析不同空间天气和屏蔽条件下的轨道离子通量-能量谱和通量-线性能量沉积(LET)谱特点。以一款SOI SRAM为例,结合地面加速器重离子试验获得的单粒子翻转截面-LET值关系曲线,预计该器件的在轨软错误率(SER),并分析关键参数对预计结果的影响规律和内在机理。结果表明,使用Space Radiation软件的四种输入模式获得的预计结果可相差5倍左右;灵敏区厚度的增大导致在轨SER降低数个数量级,原因为灵敏区厚度的设置与灵敏区平均投影面积和符合条件的空间离子通量的大小直接相关;漏斗长度的大小对预计结果有一定的影响。最后,对SER预计模型的适用性和发展趋势进行了讨论。 相似文献
117.
Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy
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The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode. 相似文献
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