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Girard V Farrenq R Sorokin E Sorokina IT Guelachvili G Picqué N 《Chemical physics letters》2006,419(4-6):584-588
The spectral dynamics of a mid-infrared multimode Cr(2+):ZnSe laser located in a vacuum sealed chamber containing acetylene at low pressure is analyzed by a stepping-mode high-resolution time-resolved Fourier transform interferometer. Doppler-limited absorption spectra of C(2)H(2) in natural isotopic abundance are recorded around 4000 cm(-1) with kilometric absorption path lengths and sensitivities better than 3 10(-8) cm(-1). Two cold bands are newly identified and assigned to the ν(1)+ν(4) (1) and ν(3)+ν(5) (1) transitions of (12)C(13)CH(2). The ν(1)+ν(5) (1) band of (12)C(2)HD and fourteen (12)C(2)H(2) bands are observed, among which for the first time ν(2)+2ν(4) (2)+ν(5) (-1). 相似文献
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本文从极冠模型出发导出辐射束的强度分布和新的光度公式.新的光度公式无需对磁倾角和视线扫过辐射束的部位作出假定,采用新的射电光度值来研究光度的演化规律,发现在周期和周期变率的整个取值范围内射电光度可以用关系式L∝(B/P2)1.1和L∝Q’-1.4来描写.这和近几年流行的光度规律不同. 相似文献
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We report a non-destructive characterization of planar two-dimensional(2D)photonic crystals(PhCs) made in silicon on insulator(SOI)wafers using ellipsometric or Fourier transformed infrared(FTIR) spectroscope.At large wavelengths,devices behave as homogeneous isotropic materials defined by an effective filling factor.The experimental results related to the PhC limited dimensions confirm this characterization. 相似文献
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已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。 相似文献
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LIUXiang XUZengyu S.Tamura N.Yoshida 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2002,(1):66-69
Since tungsten was chose as the divertor tiles of 1TER, the investigation of tungsten and its coating as plasma facing material (PFM) have been paid more attentions by fusion scientists all over the world. Recent years, tungsten coatings have been successfully 相似文献