超低压差CMOS线性稳压器的设计

设计出一种输出电流为300mA且具有微功耗超低压差低噪声性能的单片CMOS线性稳压器,对其电路结构及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计。该稳压器具有过流过热保护,工作电压范围为2．5V～6V。基于现代公司的0．6μm CMOS工艺模型,Hspice模拟结果表明其输入输出压差的典型值分别为0．4mV@1mA和120mV@300mA,静态电流的典型值为90μA。     

有线电视光链路技术维护浅析

近年来随着有线广播电视事业的飞速发展,全国地市级以上有线电视都先后完成了有线电视光缆网络升级改造。商丘有线广播电视光缆传输网总体规划为双向860MHz系统,城区网络设计为1310系统,市区到六县一市远距离网络设计为1550系统。城域网区设睢阳、农行、道北分前端,采用“环-星-树”型光缆拓扑结构,充分体现冗余备份,提高网络运行的可行性,即在城区的一级主干网上采用环型网络拓扑结构,在支干网络上采用大量型加小环型拓扑结构通过环网上的主节点(主前端、分前端)。经支干线网呈全星型拓扑到光节点,城区已建设光节点300个,每个光节点所带用…     

一种用于双波段GPS接收机的低功耗宽带CMOS频率合成器

提出了一种用于双波段GPS接收机的宽带CMOS频率合成器.该GPS接收机芯片已经在标准O.18μm射频CMOS工艺线上流片成功,并通过整体功能测试.其中压控振荡器可调振荡频率的覆盖范围设计为2～3.6GHz,覆盖了L1,L2波段的两倍频的频率点.并留有足够的裕量以确保在工艺角和温度变化较大时能覆盖所需频率.芯片测试结果显示,该频率综合器在L1波段正常工作时的功耗仅为5.6mW,此时的带内相位噪声小于-82dBc/Hz,带外相位噪声在距离3.142G载波1M频偏处约为-112dBc/Hz,这些指标很好地满足了GPS接收芯片的性能要求.     

基于STIRPAT模型的南昌市城市扩张时空动态研究

在城市化进程的推动下,南昌市城市空间快速扩展,土地利用格局发生了显著的改变。通过选取1989—2015年间6期遥感影像,运用监督分类法将土地类型进行5类划分,评估各阶段土地利用类型的转变,基于STIRPAT模型分析影响南昌城市扩张的驱动因素。结果表明,南昌城市建设规模显著扩大,建设用地逐年增加,2015年面积约为1989年的2.3倍。自2000年,南昌市城市扩张速度趋于平缓、扩张强度降低,扩张模式由外延式逐渐转变为填充式。从空间格局上看,南昌市城区仍在不断扩张,但建成区规模趋于稳定并相对集中,城市边界愈加整齐规则。南昌城市中心发生迁移,重心向东南方向迁移了近4268.9 m。从城市扩张驱动力分析结果来看,经济发展是导致南昌市城市扩张的第一驱动力,除此之外,工业产值比重、人口、国家宏观政策、地理特征和交通也是城市扩张的重要驱动因素。     

基于FPGA的数字复接系统的设计与实现

本文提出了基于FPGA技术实现数字复接系统的设计方案,并介绍了基群与二次群之间的复接与分接的系统总体设计。硬件电路调试证明,该方案是行之有效的。     

Discrete Alfvn eigenmodes in international thermonuclear experimental reactor operations with negative magnetic shear

Discrete Alfvén eigenmodes in steady-state operation scenarios with negative magnetic shear in the international thermonuclear experimental reactor are investigated in this paper. These magnetohydrodynamic eigenmodes are trapped by the α -induced potential wells along the magnetic field line. Here α =-q²Rdβ/d r with q being the safety factor, β the ratio between plasma and magnetic pressures, and R the major radius, and r the minor radius. Due to negligible continuum damping via wave energy tunneling, these Alfvén eigenmodes could be readily destabilized by energetic particles.     

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对在光滑水平面上可自由移动的圆弧形凹槽内作纯滚动的圆柱体的运动进行了分析,给出了 圆柱体的质心及其边缘上任意一点在静止参考系中的运动轨迹方程和圆柱体严格等时摆动的 条件,并绘出了它们相应的轨迹. 求出了圆柱体在槽内作纯滚动的运动周期,并与圆柱体被 简化为质点时的周期作了比较.     

五个吡嗪缩氨基硫脲过渡金属配合物的合成、结构和荧光性质

合成并通过单晶衍射、元素分析及红外光谱表征了配合物[NiL_2](1),[Zn(HL)_2](NO_3)_2(2),[Cd(HL)_2](NO_3)_2(3),[Cu_2L_2(NO_3)_2](4)和[Cu_2(L)_2(SO_4)]·4CH_3OH (5)的结构(HL为2-乙酰-3-甲基吡嗪-缩N-乙基氨基硫脲)。单晶衍射结果表明,配合物1中,Ni(Ⅱ)离子中心与2个脱氢的缩氨基硫脲配体中的N_2S供体配位,形成扭曲的八面体配位构型。在配合物2和3中,中心Zn(Ⅱ)和Cd(Ⅱ)离子与配合物1中Ni(Ⅱ)离子配位构型相同,但缩氨基硫脲为三齿中性配体。而配合物4和5中均存在双核的Cu_2S_2中心,每个Cu(Ⅱ)均采取扭曲的四方锥配位构型,所不同的是外轴向配位点分别由单齿配位的硝酸根和μ_2-桥联的硫酸根所占据。此外,荧光光谱表明配合物1～5与DNA的相互作用强于配体。     

多基团功能化氧化石墨烯协同催化CO2环加成反应

基于氢键给体、阴离子和胺协同催化CO_2环加成反应的设计思想,以廉价、无毒、富含三级胺的六次甲基四胺为前驱体,采用原位固载的方法制得了硅羟基、季铵盐和三级胺功能化的氧化石墨烯(GO)。随后,利用正溴丁烷进一步季铵化合成多阳离子季铵盐功能化的GO(F-GO)无金属多相催化剂。采用红外光谱、元素分析和光电子能谱分析了催化剂表面的组成和含量,证明多阳离子化的策略有利于提高GO表面离子液体的固载量,所制备的F-GO表面季铵盐和三级胺负载量分别为2.23和2.49mmol·g~(-1)。F-GO在无溶剂和无助剂条件下可高效催化CO_2和环氧丙烷环加成反应,碳酸丙烯酯收率可达99.2%(100℃,2 MPa,4 h)。此外,F-GO材料具有较好的耐水性和稳定性,循环6次后活性几乎不变。     

硅衬底上共面线的特性及应用

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果.测试结果表明:在深亚微米CMOS高速集成电路中,用共面线实现电感是一种行之有效的方法.