高砷酸性浸出液中回收铜的试验研究

采用市场上比较有代表性的三种醛肟类萃取剂AcorgaM5640、N902和Mextral5640H对含铜量为8.4 g/L高砷酸性废水进行萃取回收铜.通过考察三种萃取剂在不同条件下的萃取率,结合三种萃取剂的市场价格,以高效、低价的原则选择出最佳的萃取剂Mextral5640H.萃取铜的最佳条件为:室温下,萃取剂Mext...     

大规模数据场的并行可视化

大规模数据场的并行可视化一直是科学计算可视化中极具挑战性的一个研究领域。本文介绍了我们设计与实现的一个面向大规模工程设计的小型并行可视化系统,该系统采用了场特征分析技术来提高可视化的质量。可支持计算和可视化在计算服务器上同时进行,并可将可视化结果－可视的图形元素简化后输出到用户端进行显示。为用户提供了大量的并行可视化算法,其中一些是其它商品化软件所未包括的,实验结果表明该系统在大规模数据场的可视化中具有较高的性能。     

DFT Study on the Bilayer Pentaprismane C15H10

1INTRODUCTIONInrecentyears,agreatnumberofachievementshavebeenacquiredforthemoleculeswithcage-likestructures,suchasfullerenesandpolyhedralhydro-carbon.Pentaprismane,firstlysynthesizedbyEaton,OrandBranca[1]in1981,isatypicalpolyhedralhy-drocarbon.Owingtoitssymmetricalandstrainedstructure,manystudiesincludingMM2andMM3molecularmechanicscalculations[2,,semi-empiri-3]calMNDOandAM1molecularorbitalcalcula-tions[4],abinitioHFcalculations[5～7]andDFTcal-culation[8]havebeencarriedoutonit.Recen…     

气流床粉煤气化的Gibbs自由能最小化模拟

用Gibbs自由能最小化方法对粉煤气化过程进行了热力学平衡分析。对一混合煤种,在3.0 MPa和气化温度限制在1 200 ℃～1 450 ℃时,研究了氧-煤比、蒸气-煤比对气化炉出口气体组成、温度和有效气产率的影响,并由此确定了可行的操作域是氧-煤比545m3/t～605 m3/t、蒸气-煤比为152.64 kg/t～313.92 kg/t及其对应的工艺指标。从操作域中选择有代表性的工艺条件为氧-煤比578 m3/t、蒸气-煤比为187 kg/t,对应的气化炉出口温度1 358 ℃,CO+H2干基体积分数为91.5%,有效气产率为2.123(CO+H2)m3/kg。同时,研究了碳转化率和热损失对气化工艺指标的影响,其影响是显著的。     

一种应用于卫星电视调谐器的宽带射频放大器

本文给出了一种应用于直接变频结构的卫星电视调谐器接收机的射频放大器的设计和测试结果。射频放大器由一个宽带低噪声放大器和一个带增益补偿的两级可变增益放大器组成。为了满足系统对线性度的要求,低噪声放大器采用了一种失真抵消技术并增加了大信号输入旁路工作模式。射频放大器采用电阻负反馈和片外电容电感阶梯网络实现宽带匹配。可变增益放大器实现超过80dB的增益控制范围,并带有工艺、电压和温度补偿及增益线性化电路。射频放大器采用3.3V单电源供电,总共消耗26mA电流。芯片采用0.35μm锗硅双极CMOS工艺制成,硅片面积仅0.25mm²。     

基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。     

FSO通信误码测试仪硬件设计

介绍了一种基于AT89S52单片机和EP1K30 FPGA的FSO通信误码测试系统的设计与实现方案.系统以FPGA为处理核心,实现高速误码检测;单片机完成控制逻辑.详细讨论了伪随机码发生模块、同步模块、误码检测模块及单片机与FPGA接口的软硬件设计.并利用设计的样机进行了本地光纤环回和实验室内近距离无线激光通信的误码测试实验,实验结果表明此设计工作稳定可靠,可以实现对FSO通信质量进行检测的设计要求.     

2.4GHz带片上非平衡变压器射频前端的设计与优化

本文介绍了一种工作在2.4GHz频段的低功耗、低噪声、高线性射频接收机前端电路,该接收前端电路使用新型的带三种增益模式的LNA,并提出一种新的片上非平衡变压器优化技术。前端电路采用了直接变频结构,使用片上非平衡变压器实现低噪声放大器与下变频混频器之间的单端-差分转换,优化设计以提高前端电路的噪声性能。本文使用锗硅0.35um BiCMOS工艺,所采用的技术同样适用于CMOS工艺。前端电路总的最大转换增益为36dB;在高增益模式下的双边带噪声系数为3.8dB;低增益模式下,输入三阶交调点位12.5dBm。为了获得最大的输入动态范围,低噪声放大器采用三种可调增益模式,低增益模式使用by-pass结构,大大提高了大信号输入下接收前端的线性度。下变频混频器在输出端使用可调R-C tank,滤除带外高频杂波。混频器输出使用射极跟随器作为输出极驱动片外50ohm负载。该接收前端在2.85-V电源供电下,功耗为33mW,芯片面积为0.66mm2。     

完整的安卓系统框架层调用图生成方法

目前安卓系统框架层调用图静态分析局限在Java框架层,忽略了C++框架层中的多种媒体服务和传感器服务,基于调用图的安卓系统安全分析完整性较差.本文基于对安卓系统框架层机制和源码的深入分析,提出了一种完整的安卓系统框架层调用图生成方法,主要包括Java框架层调用图、C++框架层调用图和JNI连接生成完整调用图三个部分,重点分析了远程进程调用、消息处理机制和Java本地接口处的调用链.