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镍球银基低真空镀汞膜电极的研制及性能考察 总被引:1,自引:0,他引:1
汞膜电极用于伏安法中具有较高的灵敏度和分辨力,近年来应用较广。常用的玻璃碳电极虽灵敏度高,但使用前需作处理,且处理后很难保证重现性。铂球真空镀汞膜电极,灵敏度高,重现性好,但使用寿命仅10天,银球蘸汞膜电极重现性好,使用寿命长,但被蘸汞膜厚度无法控制,且蘸上的汞膜一般比较厚,灵敏度受到一定的限制。用纯银作基体,在低真空中将汞膜蒸发镀到银球表面,通过镀汞膜时间来控制 相似文献
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压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X 方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y 方向的位移输出、应力强度和放大倍数等性能的影响规律,优化了结构参数,并制作了样品。测试数据表明,位移放大结构实现了5.3倍以上的位移放大;分析了放大结构在高频电压驱动下的瞬态响应,模拟了驱动信号频率对位移输出的影响,结果表明,在周期0.01 s的交变电压驱动下,结构的位移输出未出现失真。 相似文献
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随着空间科学的发展,低轨(LEO)卫星的宽带业务需求不断增大,其使用频段向Ka等高频段扩展,不可避免地与静止轨道(GEO)卫星系统产生同频干扰.文中对GEO卫星系统受到LEO卫星系统的干扰及其规避措施进行了研究,通过建立上、下行同频干扰模型,对GEO卫星系统受到的干扰进行了仿真分析;进而,提出了基于空间隔离角和基于屏蔽... 相似文献
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在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,H桥高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达18.8V,从而实现对D类功放H桥高端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款3-W的立体声D类功放已在TSMC06BCD工艺线投片,芯片效率高达89.67%,H桥高端和低端的导通电阻为320mΩ,电源抑制比(PSRR)为-62dB,THD低至0.1%,测量结果表明该驱动电路工作良好. 相似文献
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提出了一种带有精准调谐结构的有源RC低通滤波器的设计方案,其截止频率为5MHz,并在0.18μm标准CMOS工艺线上流片得到验证.调谐精度达到(-1.24%, +2.16%) ,测试中得到验证.调谐系统所占芯片面积仅为主滤波器面积的1/4.调谐系统完成调谐功能后会自动关闭,降低了功耗以及对主滤波器的串扰.以50Ω作为源阻抗,滤波器带内3阶交调量(IIP3)好于16.1dBm.滤波器输入参考噪声为36μVrms.滤波器群延迟时间波动测试结果为24ns.滤波器功耗为3.6mW.带有这种调谐结构的滤波器容易被实现,可以用于很多无线低中频应用中,例如全球定位系统、全球通和码分多址等芯片系统中. 相似文献