全文获取类型
收费全文 | 267篇 |
免费 | 73篇 |
国内免费 | 76篇 |
专业分类
化学 | 65篇 |
晶体学 | 6篇 |
力学 | 3篇 |
综合类 | 8篇 |
数学 | 26篇 |
物理学 | 63篇 |
无线电 | 245篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 18篇 |
2021年 | 16篇 |
2020年 | 17篇 |
2019年 | 28篇 |
2018年 | 11篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 19篇 |
2014年 | 25篇 |
2013年 | 11篇 |
2012年 | 13篇 |
2011年 | 22篇 |
2010年 | 17篇 |
2009年 | 19篇 |
2008年 | 24篇 |
2007年 | 22篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 15篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 10篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 3篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有416条查询结果,搜索用时 31 毫秒
71.
72.
在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,H桥高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达18.8V,从而实现对D类功放H桥高端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款3-W的立体声D类功放已在TSMC06BCD工艺线投片,芯片效率高达89.67%,H桥高端和低端的导通电阻为320mΩ,电源抑制比(PSRR)为-62dB,THD低至0.1%,测量结果表明该驱动电路工作良好. 相似文献
73.
74.
制备了一种三维多孔镍钼硫化物纳米花修饰碳纳米管(CNT)的复合材料(NiMoS@CNT). 通过扫描电子显微镜和X射线衍射表征所合成材料的形貌和结构. 利用循环伏安法和计时电流法对所制备材料的电化学催化性能进行研究. 基于NiMoS@CNT对过氧化氢(H2O2)优异的电催化性能,构建了一种检测脑利钠肽的夹心型电化学传感器. 在最优条件下,电流响应强度和脑利钠肽质量浓度的对数在0.20~20 ng/mL范围内呈线性关系. 结果表明免疫传感器具有高的灵敏度、选择性和稳定性,可用于实际样品的检测. 相似文献
75.
76.
77.
78.
介绍根据Youla,WEai-Kai Chen宽带匹配理论将复杂的带通均衡器设计简化成为求解三次方程的数学问题。该方法避免了应用Dalinggton-E结构,不需要解非线性方程开利用设计图表,合理鱼利用计算机进行辅助设计,给出了设计例子并在微机上进行了仿真实现。 相似文献
79.
80.