基于FPGA和51单片机信号发生器设计与实现

为了降低传统函数信号发生器成本,改善函数信号发生器低频稳定性,本文结合FPGA和51单片机设计并实现了产生以0.596Hz频率精度各种函数信号。函数信号频率、波形、幅度由51单片机控制,并用LCD显示函数信号相关信息。本文设计的信号发生器易维护、可以软件升级,从而得到更高频率精度的函数信号满足不同场合设计的需要。     

H2+和H3+系统的电子频谱与高次谐波谱

针对单电子H2+和双电子H3+系统,采用对称分裂算符法求解波函数的时间演化。计算了电子的含时频谱和体系的高次谐波谱,结果表明:电子频谱和高次谐波谱呈互补规律,即电子频谱峰值出现在基波的偶数倍频率位置,高次谐波则出现在奇数位置。对高次谐波谱随软化库仑参数的变化规律进行了数值研究,发现只在软化库仑参数的一定范围内才产生高次谐波,对该现象作了解释。     

普通物理实验“三层次”开放式教学模式中设计性实验研究

结合教学实践,探讨如何利用现有仪器设备和技术手段开发设计性实验项目,如何为学生自主选择设计性实验项目提供更宽泛的参考思路,从而更加有效地开展设计性实验课程.     

5G无线告警数据增强研究

<正>5G技术提升了大带宽业务的峰值速率,降低了实时业务的端到端时延,保障了高可靠业务的稳定性,扩大了物联网业务的连接规模,给个人用户和行业用户带来了全新的体验。但随着网络大规模部署,现网运行的5G基站数量大大增加,网络告警次数也随之增长。在海量告警数据中,仅有部分告警需要一线维护人员尽快修复,如何快速识别亟待处理的告警信息,并定位到故障根因,是长期困扰一线维护人员的问题。     

相位加扰对DDFS合成频谱的改善

DDFS系统中,由于波表容量的限制,带来了相位截断误差.同时,有限的数据宽度也会带来舍入误差.相位截断误差和舍入误差在频谱中的分布特点是不同的.针对相位截断误差的特点,采用相位加扰可以对合成波形质量加以改善.仿真表明,采用适当的加扰幅度后,合成波形的SFDR得到约10～20 dB的改善.     

改进加顶结构的甚低频发信天线阻抗特性分析

针对甚低频发射天线输入电抗高、输入电阻小而导致的天线Q值高、带宽窄、输入功率受限、天线系统效率低等问题,研究了伞型和T型甚低频发射天线的顶负载在不同电气连接方式下的天线输入阻抗,提出在不改变天线总体结构的情况下,改变顶负载电气连接方式可优化天线的输入阻抗的方法．计算结果和理论分析均表明,优化后的天线顶负载连接方式可降低甚低频发射天线的输入容抗、提高天线的输入电阻,从而可提高天线系统效率和功率容量、增加天线带宽,对改善甚低频发射天线性能和提高天线电气工作安全性具有重要意义．     

基于逐步非线性回归的血管紧张素转化酶抑制肽QSAR建模

线性特征选择方法可提升定量构效关系(QSAR)模型的预测能力,但易忽略特征(理化属性)与分子活性间的非线性关系。本文提出基于支持向量回归(SVR)的逐步非线性回归(SSNR)特征选择算法并用于降血压药物血管紧张素转化酶(ACE)抑制肽的QSAR研究。首先以具有不同背景的5组分子描述符分别表征肽序列,以SSNR实施特征选择,再通过智能一致性模型(ICM)对各组描述符对应子模型的预测活性进行加权整合,获得最终活性预测值。在ACE抑制二肽与三肽两个数据上的应用结果表明,SSNR获得的特征子集结合ICM策略可有效提升模型预测能力(二肽的平均Q■为0.675±0.002,三肽为0.663±0.013),优于遗传算法-偏最小二乘(0.538±0.049、0.599±0.047)与逐步线性回归(0.583±0.041、0.675±0.010)。最后基于抑制活性已知肽序列预测所有活性未知肽的活性,分析了高活性肽及其氨基酸偏好性,为人工合成潜在高活性ACE抑制肽提供可能的序列组合。     

建设大型4K超高清全媒体新闻制播系统的方案设计

随着媒体融合的推进以及4K超高清电视技术的发展,省级电视台建设节目生产系统不仅要具备4K超高清电视节目的制作能力,还需兼顾电视台媒体融合发展的全媒体生产需求,本文介绍了贵州广播电视台4K超高清全媒体新闻制播系统的方案设计,解析了如何运用新技术、新应用解决各项技术难点和生产需求.     

基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计

采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压（VBE）的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度。整个电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.2mm2。在Cadence环境下使用Spectre对电路进行了模拟仿真,仿真结果表明：该基准电路可在低至1.1V的电源电压下正常工作;在-20℃～120℃温度范围内,温度系数为9.1&#215;10-6/℃,PSRR为-78dB。在典型的1.5V电源电压下,基准输出电压可调节范围为0.165～1.25V。     

NiFe2O4/(0.8BaTiO3-0.2Na0.5Bi0.5TiO3)异质结层状复合薄膜的磁电性能

采用脉冲激光沉积法在(001)-SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)衬底上生长了2-2型NiFe2O4/(0.8BaTiO3-0.2Na0.5 Bi0.5TiO3)(NFO/BT-NBT)磁电复合薄膜.X射线衍射仪(XRD)结果显示所有薄膜均为(00l)择优取向结构.物理性能测试结果表明:NFO/BT-NBT复合薄膜同时具有良好的铁磁性和铁电性,但不同的沉积顺序对复合薄膜的磁电耦合性能产生重要影响.以铁磁材料NFO为顶层的NFO/BT-NBT/SRO/STO异质结的磁电耦合系数(αE～110 mV·cm-1·Oe-1)大于以铁电材料BT-NBT为顶层的BT-NBT/NFO/SRO/STO异质结的磁电耦合系数(αE～80 mV·cm-1·Oe-1),这是NFO层受到衬底束缚作用不同的结果.