太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制（英文）

研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 640 m S/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率f_(max)分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的f_(max)更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm.     

L波段350W AlGaN/GaN HEMT器件研制

基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料.室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950cm2/ (V·s),方块电阻为350 Ω,电阻均匀性为3％.通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率.采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压.优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力.采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗.最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaNHEMT器件.直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V.微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81％,功率增益大于13 dB.     

基于小波滤波的激光陀螺SINS晃动基座初始对准

激光陀螺捷联惯导系统在晃动基座上进行初始对准时,由于激光陀螺信号中存在着很大的随机噪声,导致对准时间变长,对准精度降低。为解决此问题,提出一种基于小波实时阈值滤波的预处理方法,选取了合适的小波基和分解层数,对陀螺信号进行小波预处理,然后利用滤波后的陀螺信号进行姿态粗对准,最后使用速度误差作为观测量进行卡尔曼滤波精对准。半实物仿真试验结果表明:本文提出的小波预处理方法在满足陀螺信号实时性的条件下,能够有效地减小激光陀螺信号中的各项随机噪声,利用预处理后的陀螺信号进行初始对准时,对准时间显著缩短,航向角在精对准7 min左右收敛,其1σ值在39"以内,在工程上有一定的参考价值。     

两种取代咔咯的合成与表征

以吡咯和3-硝基苯甲醛为原料,在无溶剂、无催化剂条件下固相合成了5,10,15-三(3-硝基苯基)咔咯(a),然后利用SnCl2还原得到了5,10,15-三(3-氨基苯基)咔咯(b).测定了种两化合物在二氯甲烷中的紫外-可见光谱、荧光光谱,并借助红外、核磁共振和质谱等技术对化合物的结构进行了表征.发现化合物a和b的Soret带吸收分别位于418和416nm,Q吸收峰则分别位于576,614,646nm和572,614,646nm波长处;而化合物a和b的荧光发射光谱的最强峰分别位于674nm和671nm波长处.     

非晶硅锗电池性能的调控研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了非晶硅锗薄膜太阳电池. 针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性, 通过调控硅锗合金中硅锗的比例, 实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制. 借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计, 获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池. 关键词： 非晶硅锗薄膜太阳电池 短路电流密度 开路电压 带隙梯度     

电信运营商智能管道建设策略探讨

随着移动互联网的高速发展,传统的电信运营商正面临着越来越大的挑战。本文基于中国移动现有网络,从用户、网络、资源3个维度,着重探讨了智能管道的建设策略,以期为网络的下一步部署提供参考。     

基于SNMP的数字电视前端设备监控系统的设计

随着“三网融合”的逐步深入和数字通信技术的迅猛发展,广电数字电视网络日趋复杂。当前基于WEB的单一设备网络管理显现出效率低、操作慢的缺点,利用SNMP标准协议,开发研究数字电视前端设备集中式网络监控系统,通过网络拓扑形式实现数字电视设备参数及运行状态的信息采集与监控处理,从而使广电用户对数字电视设备网络实现可视性、实现性和综合性的监控管理。     

分组光传送网（POTN）技术及标准进展

分组传送网（POTN）是深度融合分组传送和光传送技术的一种传送网,它基于统一分组交换平台,可同时支持L2交换（Ethernet／MPLS）和L1交换（OTN／SDH）,使得POTN在不同的应用和网络部署场景下,功能可被灵活地进行裁减和增添。     

“热线电话”别凉了民心

近年来,“市长信箱”、“市(县)长热线”很流行。对于“市长信箱”,业界已有讨论,结果是“毁誉参半”;对于“市(县)长热线”,笔者做了一个小调查,结果令人感慨万千。一年前,笔者发现,各地的一些领导干部纷纷搞起了自己的接待日,什么“市(县)长热线”、“局长热线”等等,频频在媒体上曝光,又是上报纸,又是上电视,很是热闹了一阵子。当时,笔者多     

透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应

在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.