基于T-MPLS分组传送网的组网和演讲

传送网分组化对下一代传送网的结构、功能和运营成本等方面均有很大的影响,是当前在通信产业界受人关注的技术热点.本文讨论了分组化传送网的特点,T-MPLS网络的模型、网络的结构,伪线技术的应用以及向分组传送网演进的方法.     

相思树聚戊糖含量近红外光谱分析模型的建立及修正

建立适应不同产地相思树化学组分含量的近红外光谱分析模型对预测木材化学组分含量具有重要的意义。用常规化学法测量了取自广西78个和福建33个相思树样品的聚戊糖含量,并结合近红外光谱数据用偏最小二乘法建立了广西相思树聚戊糖含量的近红外光谱模型。校正模型的决定系数R2cv为0.947,内部交叉验证均方差RMSECV为0.464,验证模型Rv2al为0.925,RMSEP为0.455。为了扩大模型的适用范围,用福建不同数量样品对该模型进行修正。结果表明:在广西模型的基础上加入一个有代表性的福建样品就能大大降低直接用广西模型预测福建样品的误差。加入3个有代表性的福建样品后能够得到较好的模型。用该模型预测未参加建模的福建样品,预测模型的Rv2al为0.904,RMSEP为0.759。用4组(每组3个样)不同的福建样品修正广西模型,用固定的20个未参与修正广西模型的样品来验证,预测误差略有不同,表明样品的选择在一定程度上影响着修正模型的质量。     

高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究

采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明：能反映材料晶化程度的I_［SiH^*］/I_［Hβ^*］比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势,且反应气体总流量T_fl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5 min时I 关键词： 高速沉积 微晶硅薄膜 电子温度     

莫教乱花迷人眼，须得浅草露马蹄--关于甄选解题思路作为教学方案的思考

数学问题因为着眼点不同会有不同的解法，此即一题多解，在一些教研文章和课堂教学中，常常会见到全面展示、多多益善的教学思路。笔者认为每种解题思路作为教学方案予以展示前，必须要有一个甄选的过程。下面通过具体案例谈谈自己对于甄选解题思路作为教学方案的思考。     

计算机网络安全的防范措施探讨

信息技术在各领域内日益推广和重要性，引发的网络安全问题开始受到关注。本文主要客观分析了我国网络安全产的原因，针对性的提升网络安全的措施。     

WLAN与GSM/TD网络融合中业务连续性方案研究

文章通过对wLAN与GSM/TD网络融合技术的跟踪和研究，深入探讨了网络融合中的业务连续性解决方案，并对各方案的优劣进行了分析对比，给出了基于融合架构的应用建议。     

“超级球”在水平板上一次碰撞弹回现象的研究

通过理论推导和实验探究,阐述了"超级球"与水平板发生一次碰撞后速度与角速度的变化规律,从平板的粗糙程度和"超级球"入射方式研究,找到影响"超级球"弹回的主要因素为球板间的摩擦力和角速度方向。并得出均质超级球只有在下旋入射且与粗糙水平板一次碰撞后线速度与角速度及半径R满足v_(1x)/ω_18R/3e_x+5时才会弹回,同时分析了其他条件下不能弹回的原因。     

带有大滞后的玻璃窑炉液位控制系统设计

本文针对带有大滞后环节的玻璃窑炉液位控制系统的研究和设计,提出将模糊控制和Smith预估控制相结合。结合玻璃窑炉液位升降的特点和现场实际情况,设计出了合理的位自动控制方案,利用MATLAB中的Simulink对系统进行仿真。     

90 nm T型栅工艺在高频GaAs PHEMT MMIC中的应用

采用PMMA/P (MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌.利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构.通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的问题.开发了90 nm自对准双凹槽T型栅电子束三层胶光刻工艺技术.应用90 nm T型栅工艺制作了W波段GaAs PHEMT功率放大器及V波段GaAs PHEMT低噪声放大器.测试结果表明,在频率为90～96 GHz、源漏电压5V、栅源电压-0.3V、输入功率13 dBm时,功率放大器电路输出功率为20.8 dBm,功率增益为7.8dB;在频率为57～64 GHz、源漏电压2.5V、漏极电流55 mA时,低噪声放大器增益大于24 dB,带内噪声系数小于3.5 dB,验证了该工艺技术的可行性和可应用性.     

毫米波GaN基HEMT功率MMIC

基于标准的SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了毫米波段单片微波集成电路(MMIC)芯片.首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构.以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路线图的方法建立了人工神经网络模型,更好地表征了器件特性,提高了模型在毫米波下的精度.基于器件模型,进行了毫米波MMIC的设计,运用网络综合设计出简洁的电路拓扑和最优的宽带性能.芯片工艺采用0.2 μm介质栅场板结构提高器件的微波性能.研制的2级功率MMIC在27～ 30 GHz频段,工作电压25 V时,输出功率大于2.6W,功率附加效率大于15％,功率增益大于9 dB.