荧光猝灭研究芳醚树枝形聚合物构象

本工作分别合成了外围修饰一个芘基团和核心修饰一个芘基团两个系列的芳醚树枝形聚合物Py-Gn-OH和Gn-CH₂-Py(n=1~4)。Py-Gn-OH和Gn-CH₂-Py的发光随代数增加而增强,荧光寿命增加。荧光猝灭实验结果表明,树枝形聚合物Py-Gn-OH和Gn-CH₂-Py的双分子猝灭速率常数均随代数增加而减小,表明树枝形聚合物发生了构象折叠,位于核心和外围的芘基团均被树枝形聚合物骨架包裹,随代数增加树枝形聚合物骨架增大,对芘基团包裹作用增强,导致猝灭剂接近芘基团的位阻增大。Gn-CH₂-Py体系的双分子猝灭速率常数均比相应代数Py-Gn-OH体系略小,说明树枝形聚合物骨架对连接在核心的芘基团的包裹程度比对连接在外围的芘基团略强。本工作为新型功能芳醚树枝形聚合物设计和应用提供了参考。     

基于新型负指数期望效用的投资组合选择模型

结合现有文献对最优投资决策问题的讨论, 提出了一类满足单调性和凹性的新型负指数效用函数, 并给出数学和经济学上的合理解释. 通过多种类型的加权函数以及对尾部的恰当描述, 损失分布的厚尾现象得到更加有效地控制. 利用$-统计量估计新型期望效用, 并说明其合理性. 进一步地, 构建了兼顾多种市场摩擦因素的实际投资组合选择模型. 选用中国和美国股票市场的数据进行实证研究. 结果表明了新期望效用的优越性和鲁棒性.     

Investigation of the thermal adaptability for a mobile cold atom gravimeter

The cold atom gravimeter offers the prospect of a new generation of inertial sensors for field applications. We accomplish a mobile atom gravimeter. With the compact and stable system, a sensitivity of 1.4×10~(-7)g·Hz~(-1/2)is achieved.Moreover, a continuous gravity monitoring of 80 h is carried out. However, the harsh outdoor environment is a big challenge for the atom gravimeter when it is for field applications. In this paper, we present the preliminary investigation of the thermal adaptability for our mobile cold atom gravimeter. Here, we focus on the influence of the air temperature on the performance of the atom gravimeter. The responses to different factors(such as laser power, fiber coupling efficiency,etc.) are evaluated when there is a great temperature shift of 10℃. The result is that the performances of all the factors deteriorate to different extent, nevertheless, they can easily recover as the temperature comes back. Finally, we conclude that the variation of air temperature induces the increase of noise and the system error of the atom gravimeter as well, while the process is reversible with the recovery of the temperature.     

A novel P-channel SOI LDMOS structure with non-depletion potential-clamped layer

A novel structure is proposed for doubling the vertical breakdown voltage of silicon-on-insulator(SOI) devices. In this new structure, the conventional buried oxide(BOX) in an SOI device is split into two sections: the source-section BOX and the drain-section BOX. A highly-doped Si layer, referred to as a non-depletion potential-clamped layer(NPCL), is positioned under and close to the two BOX sections. In the split BOXes and the Si region above the BOXes, the blocking voltage(BV) is divided into two parts by the NPCL. The voltage in the NPCL is clamped to be nearly half of the drain voltage. When the drain voltage approaches a breakdown value, the voltage sustained by the source-section BOX and the Si region under the source are nearly the same as the voltage sustained by the drain-section BOX and the Si region under the drain. The vertical BV is therefore almost doubled. The effectiveness of this new structure was verified for a P-channel SOI lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(LDMOS) and can be applied to other high-voltage SOI devices. The simulation results show that the BV in an NPCL P-channel SOI LDMOS is improved by 55% and the specific on-resistance(Ron,sp) is reduced by 69% in comparison to the conventional structure.     

S波段多注速调管电子枪设计

介绍了一种应用于S波段同轴腔高功率多注速调管的电子枪设计方案。该电子枪总电子注数目为40个(内层19个,外层21个),工作电压为60 kV,总电流为300 A(平均分配在40个电子注上),单注导流系数为0.51μP,总导流系数为20.4μP,设计的阴极电流发射密度小于12 A/cm²,电子枪内最大场强为16.6 kV/mm。为使系统小型化,采用周期反转永磁聚焦系统约束电子注,聚焦系统由四组磁钢形成三个磁场均匀区,三个均匀区的磁场逐级增大,最小磁场强度为0.11 T,最大磁场强度为0.12 T。采用三维计算软件对电子注静电轨迹、磁场分布及聚焦轨迹进行了计算和优化,设计的多注电子枪电子注通过率达到了100%。     

淤浆工艺用聚乙烯催化剂溶解析出过程研究

研究了淤浆工艺用溶解析出体系聚乙烯催化剂的制备过程中各组分的物理化学变化。探索了该体系的溶解过程,首次通过动态光散射对溶解液进行了动态追踪,结合扫描电子显微镜与液体核磁等表征手段,证明了溶解过程中形成了氯化镁-乙醇(MgCl₂-EtOH)微晶。还分析了催化剂的析出过程,发现催化剂中存在以氯化镁为主的晶相和以烷氧基钛(Ti(OC₂H₅)_nCl_4-n)为主的无定形相的双相结构。这一结果加深了对于该催化剂的认识,为其进一步优化和新催化剂体系的开发打下基础。     

双基地合成孔径声呐时间同步误差分析

远探测声波测井技术目前正成为复杂油气藏勘探开发的有力手段,而反射方位信息对于储层评价以及工程措施都至关重要。利用集成了测量单偶极不同方位多分量波场功能的多分量远探测声波测井仪器,研究了单偶极远探测联合识别反射方位的方法。由于仪器的影响,单极子不同方位反射波存在振幅差异,据此可以快速判断反射界面方位,但是其准确性依赖于方位接收器个数。偶极SH反射波幅度反映了反射界面的走向变化,但是存在180◦的不确定性。结合单偶极远探测方法的优势,可以快速准确地识别出反射界面方位。理论模拟和实际数据处理表明,两种方法的联合识别,提高了结果的可靠性。     

介质存在时利用镜像法求解电势的讨论

镜像法是解析求解静电定解问题时一种比较简单的方法,即在所求解的空间之外引入镜像电荷,并使得由镜像电荷与源电荷激发的场的叠加形成的总场满足边界条件及边值关系即可.当将这种方法应用于介质存在的情形时,本文发现可以选择两种不同的镜像电荷,最终求得空间中同样的电势解.这也符合静电问题的唯一性定理,因为无论哪种镜像电荷,均没有改...     

PVT法同质外延制备大尺寸Al极性氮化铝晶体生长工艺及其表征分析研究

本文基于自主设计的氮化铝生长炉,开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征研究。研究发现:不同工艺条件下生长的晶体的拉曼图谱E₂(high)特征峰峰位表明,晶体内部均存在较小的拉应力;在坩埚顶部在相对较高温度2 210 ℃、坩埚底部与顶部温差42 ℃的低过饱和度生长条件下,晶体表面光滑,呈现阶梯流生长形貌,并具有典型的氮化铝单晶生长习性面,晶体初始扩张角大于40°,高分辨率X射线衍射(HRXRD)测得0002、1012反射摇摆曲线及拉曼光谱检测结果表明,该条件下生长的氮化铝晶体结晶质量优异,并可实现快速扩径。基于该生长条件,通过外延生长后成功获得尺寸ϕ45~47 mm的氮化铝单晶锭,相关表征结果表明生长的氮化铝晶体具有优越的结晶性能。     

零电流双电位滴定法连续测定工业碳酸锶中钡钙

碳酸锶作为重要的化工原料用途极为广泛.而其中钡钙含量多少是产品质量优劣的关键指标.目前测定Ba(Ⅱ)、Ca(Ⅱ)的方法很多,但不适于碳酸锶样品,Ba(Ⅱ)的测定,采用重量法,所需时间长,操作繁琐.Ca(Ⅱ)的测定采用原子吸收光谱法.需大型仪器.本文采用双修饰电极进行零电流双电位滴定.对用18-冠醚-6萃取锶后的溶液中Ba(Ⅱ)、Ca(Ⅱ)含量进行测定.并对测定条件及干扰进行了讨论.该法适用于工业碳酸锶中钡钙的测定.1 基本原理零电流双电位滴定法采用两个指示电极指示滴定终点时两电极间电位差△E的突变.终点时两电极间存在的电位差△E来源于两个电极达到平衡时速度上的差异.因此△E是时间的函数,终点时一滴滴定剂产生△E的瞬时值很大,可用酸度计为终点指示.利用△E-V曲线确定终点.