太赫兹波在一维反铁磁/电介质准周期光子晶体的传输性质

本文利用传递矩阵方法研究了电磁波倾斜入射时,一维反铁磁/电介质准周期光子晶体的透射性质.反铁磁层和电介质层按Fibonacci数列排列构成准周期光子晶体.通过数值模拟发现光子禁带中有透射峰出现, 而且随着准周期光子晶体级数的增加透射峰的数目也在增加.此外,透射峰受电介质层的介电常数、入射角度和电磁波偏振影响明显. 关键词： 反铁磁层 准周期光子晶体 太赫兹波传输性质     

电信网与互联网架构技术对比研究

网络体系结构和架构技术对网络的业务支撑能力、服务质量等方面存在决定性的影响。电信网与互联网在设计理念、架构技术、标准体系和商业模式方面存在较大差异。在三网融合的大背景下,比较分析两者的异同,有助于我们借鉴两种网络的技术优势,构建安全可控开放的业务平台,支撑更加丰富多彩的业务应用。     

能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面

 用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm²的锆靶中的平均路径长度。     

叶绿素及其Cu、Zn衍生物的伪装性能研究

研究了类叶绿素活性颜料在伪装应用中的光谱性能及光稳定性问题。从绿色植被的色素着手,分析了叶绿素的性质及影响其降解的原因,用Cu2+、Zn2+金属离子替代天然叶绿素中的Mg2+,制备了叶绿素衍生物,并通过光谱特性和光稳定性对叶绿素衍生物的特性进行了比较分析。研究结果表明,从光谱性能和稳定性两方面综合考虑,Cu叶绿素更适合作为叶绿素修饰目标来提高颜料的稳定性,从而为新型光学伪装涂料的制备提供材料基础。     

Ka波段GaN HEMT功率器件

设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用AlN插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度.采用场板结构提高了器件击穿电压.采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益.采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率.采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益.基于国产SiC外延材料及0.15 μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件.对栅宽300 μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43％,功率密度达到3.3 W/mm.     

正交匹配追踪算法的迭代残差重建方法

正交匹配追踪(Orthogonal Matching Pursuit, OMP)算法是一种重要的压缩感知重构算法. OMP算法在每次迭代中选择与当前残差最相关的原子. 针对每次迭代需要重新计算残差的问题, 本文考虑偶数次迭代下残差未知的情况. 首先, 研究了奇数次迭代的残差与下一次迭代的残差之间的关系, 得到了一种偶数次迭代时选择原子的标准. 然后, 引入一种回溯机制来处理前面所得的迭代结果, 这种机制通过剔除其中多余的原子来实现精确重建. 据此, 提出了可减少计算残差的改进型正交匹配追踪算法.     

时间周期边界条件下聚焦Kundu-Eckhaus方程的渐近孤子

本文研究四分之一平面上的聚焦Kundu-Eckhaus方程,其初始数据在无穷远处消失,同时边界数据是时间周期的,它的形式为ae^iδe^2iωt.首先,推导出一个Riemann-Hilbert问题,它的解能够产生初边值问题的解.此外,研究结果表明,当ω<-3a²/2-3β²a⁴时,初边值问题的解在不同的区域有不同的渐近行为.特别地,对于渐近孤子区域,初边值问题的解是渐近孤子序列的渐近解.     

一种新的低压直流耦合1.25 Gb/s激光二极管驱动电路

文中提出一种输出结构能克服传统的激光二极管驱动电路在直流耦合方式下不支持低电源电压操作的问题。新的APC能稳定输出平均光功率和消光比分别在0.3dBm和±0.4dB(-40°C~100°C)范围内。此外,快速二分查找算法使APC初始化时间不超过0.6μs,突发开启和突发关断延时小于5ns,满足PON要求。样片采用TSMC0.8μmBiCMOS工艺实现,芯片面积为1.56mm×1.67mm,功耗为105mW。     

基于小波变换的红外图像去噪

提出一种基于新型阈值函数的小波域红外图像去噪法,其阈值函数表达式简单且连续,既克服了硬阈值函数不连续的缺点,又克服了软阈值函数中估计小波系数与含噪小波系数间存在恒定偏差的缺陷。同时新的阈值函数还有效地利用了小波系数的成串性,即在小波系数的估计计算中考虑了邻域小波系数的大小。仿真结果表明,在去噪红外图像视觉效果和峰值信噪比两个方面,文中提出的去噪法优于已有的各种门限去噪法和Matlab-wiener2滤波算法。     

高温退火工艺对直流反应磁控溅射制备蓝宝石基氮化铝模板的影响

采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板,并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析.结果 表明:采用磁控溅射制备膜厚为200 nm的模板经高温退火后晶体质量得到显著提升,退火前后整片(0002)面和(10-12)面高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽分别从632 ～ 658 arcsec和2 580 ～2 734 arcsec下降至70.9 ～ 84.5 arcsec和273.6 ～ 341.6 arcsec;模板5 μm×5μm区域内均方根粗糙度小于1 nm;紫外波段260 ～280 nm吸收系数为14 ～20 cm-1;高温退火前后拉曼图谱E2(high)声子模特征峰半高宽从13.5 cm-1降至5.2 cm-1,峰位从656.6 cm-1移动至657.6 cm-1,表明氮化铝模板内的拉应力经高温退火后得到释放,接近无应力状态.