不间断电源采用磷酸铁锂电池技术潜力分析

文的主题是阐述不间断电源采用磷酸铁锂电池的技术潜力分析。对磷酸铁锂电池用于不间断电源的一次采购成本、总TCO年均成本和其存在哪些风险/缺点进行了分析。     

移动通信基站能耗分析与综合节能解决方案

随着我国信息技术水平的不断提升,网络得到了快速发展,移动通信基站目前已经成为促进我国经济发展的主要动力。因此,将针对移动通信基站能耗情况展开重点研究,通过制定节能方案的方式,降低移动通信基站的能源损耗量,同时提升基站的整体运行效率,减少基站的断站概率,最终达到提高移动通信基站运行安全性和高效性的目的。     

一种基于深度学习的自适应医学超声图像去斑方法

针对传统医学超声图像去斑方法的不足,该文提出一种自适应多曝光融合框架和前馈卷积神经网络模型图像去斑方法。首先,制作超声图像训练数据集;然后,提出一种自适应增强因子的多曝光融合框架,增强图像进行有效特征提取;最后,通过网络训练去斑模型并获得去斑后的图像。实验结果表明,该文较已有的方法,能更有效地滤除医学超声图像中的斑点噪声并更多的保留图像细节。     

太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制（英文）

研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 640 m S/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率f_(max)分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的f_(max)更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm.     

L波段350W AlGaN/GaN HEMT器件研制

基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料.室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950cm2/ (V·s),方块电阻为350 Ω,电阻均匀性为3％.通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率.采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压.优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力.采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗.最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaNHEMT器件.直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V.微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81％,功率增益大于13 dB.     

基于小波滤波的激光陀螺SINS晃动基座初始对准

激光陀螺捷联惯导系统在晃动基座上进行初始对准时,由于激光陀螺信号中存在着很大的随机噪声,导致对准时间变长,对准精度降低。为解决此问题,提出一种基于小波实时阈值滤波的预处理方法,选取了合适的小波基和分解层数,对陀螺信号进行小波预处理,然后利用滤波后的陀螺信号进行姿态粗对准,最后使用速度误差作为观测量进行卡尔曼滤波精对准。半实物仿真试验结果表明:本文提出的小波预处理方法在满足陀螺信号实时性的条件下,能够有效地减小激光陀螺信号中的各项随机噪声,利用预处理后的陀螺信号进行初始对准时,对准时间显著缩短,航向角在精对准7 min左右收敛,其1σ值在39"以内,在工程上有一定的参考价值。     

两种取代咔咯的合成与表征

以吡咯和3-硝基苯甲醛为原料,在无溶剂、无催化剂条件下固相合成了5,10,15-三(3-硝基苯基)咔咯(a),然后利用SnCl2还原得到了5,10,15-三(3-氨基苯基)咔咯(b).测定了种两化合物在二氯甲烷中的紫外-可见光谱、荧光光谱,并借助红外、核磁共振和质谱等技术对化合物的结构进行了表征.发现化合物a和b的Soret带吸收分别位于418和416nm,Q吸收峰则分别位于576,614,646nm和572,614,646nm波长处;而化合物a和b的荧光发射光谱的最强峰分别位于674nm和671nm波长处.     

非晶硅锗电池性能的调控研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了非晶硅锗薄膜太阳电池. 针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性, 通过调控硅锗合金中硅锗的比例, 实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制. 借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计, 获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池. 关键词： 非晶硅锗薄膜太阳电池 短路电流密度 开路电压 带隙梯度