f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究（英文）

采用再生长n~+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n~+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(R_(on))仅为0.41Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(f_T)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.     

混合信号集成电路的衬底耦合噪声分析

本文系统分析了混合信号集成电路的衬底噪声耦合的研究进展.简要分析了衬底噪声的基本机理,及其对混合信号电路的影响,在此基础上分析比较了目前已提出的几种主要的衬底耦合噪声模型.通过分析不同类型衬底内的噪声耦合,介绍了一些电路设计中的去耦方法.最后讨论了衬底耦合噪声研究的发展方向.     

应力对ZnO/Si异质结构的光致发光的影响

研究了ZnO薄膜中应力对发光的影响.实验样品为ZnO体单晶、在Si基片上直接生长的ZnO薄膜以及通过SiC过渡层在Si基片上生长的ZnO薄膜.测量了这三种样品的X射线衍射图形、喇曼光谱和光致发光光谱.由X射线衍射图形可以看出,由于SiC过渡层缓解了ZnO与Si之间的晶格失配,使得通过SiC过渡层在Si上生长的ZnO薄膜的结晶质量好于直接在Si上生长的ZnO薄膜的质量.进一步通过喇曼谱测量发现,与ZnO体单晶相比,直接在Si上生长的ZnO薄膜的E2(high)峰红移1.9cm-1,根据喇曼谱峰位移与应力的关系可以推出薄膜中存在0.4GPa的张应力;而通过SiC过渡层在Si上生长的ZnO薄膜的E2(high)峰红移0.9cm-1,对应着0.2GPa的张应力.对照X射线衍射图形的结果可以看出,薄膜中张应力的大小与薄膜的结晶质量密切相关,表明张应力来源于外延层和基片间的晶格失配,晶格失配越大,外延层中产生的张应力越大.有无SiC过渡层的两种薄膜样品的PL光谱中都存在紫外和绿光两种谱带,随样品热处理时氧气分压增加,两种样品都出现绿光增强的相似的变化规律,但有SiC过渡层的样品的变化幅度较小.这一结果说明,绿色发光中心与薄膜的质量,也就是与薄膜中存在的张应力大小有关.在以往研究中得出的非故意掺杂ZnO薄膜的绿色发光中心来源于氧反位缺陷(Ozn),文中研究的结果正好可以解释氧反位缺陷形成的原因.由于薄膜中存在张应力,使得样品的能量升高,其结果必然会产生缺陷来释放张应力,以便降低系统能量.而氧离子半径大于锌离子半径,氧替位锌有利于释放张应力,也就是说,在存在张应力的情况下,Ozn的形成能降低.这一结果进一步证明Si上生长的ZnO薄膜中的绿色发光中心与氧反位缺陷有关.     

一种基于水冷系统的先进IGBT散热模块设计

鉴于目前IGBT模块功率越来越大,传统风冷散热模块难以满足其散热要求,以磁悬浮列车牵引变流器中的单个IGBT模块为研究对象,设计了一款新型热管嵌入式IGBT水冷散热模组。通过ANSYS?Icepak软件对该冷却系统和设计的水冷模组的压力损失进行仿真分析,研究了增加圆柱形翅片和扁平翅片与不同入口流量对模块性能的影响。结果表明：与传统水冷模组相比,新型热管嵌入式IGBT水冷散热系统使IGBT模块芯片最高温度从81.51℃降低到75.34℃,降低了约7.4%;最大温差从12.81℃降低到9.92℃,进一步提高了IGBT模块的芯片温度均匀性,验证了新型水冷系统具有良好的散热性能,满足IGBT模块的要求,为后续先进的水冷系统设计奠定了基础。     

网络空间安全一级学科中白盒密码的教学与科研探讨

随着Internet和云计算的出现,网络空间安全变得越来越重要,这使得网络空间安全人才的培养变得日益迫切.国家于第一批和第二批分别批准了网络空间安全一级学科硕士点和博士点单位.在网络空间安全一级学科中,密码学的教学必不可少.白盒密码作为密码学的一个重要分支,可用来确保在不可信的环境下密码算法的安全性,保护密钥的机密性....     

万具在线监控系统设计

通过研究切削力,主电机功率在切削过程中的变化以及对已加工表面进行跟踪检测分析,设计了刀具在线磨损 ,破损预报系统,并对其可靠性进行了分析。     

应变率有关理论中Symonds模型的工程应用

讨论了在结构碰撞数值计算中遇到的应变率效应问题。进行碰撞过程模拟计算时,分别将静态弹塑性理论和应变率有关理论中的Ｓｙｍｏｎｄｓ模型引入材料的本构关系。     

钼(Ⅵ)-7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸钠络合吸附波研究及应用

在pH4.8的0.013mol/L的HAc-NaAc介质中,钥(Ⅵ)-7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸钠体系在滴汞电极上,于-0.46V(vs.SCE)电位处得到良好的吸附还原波,其二阶导数峰电流I_p与Mo(Ⅵ)在2.5×10~(-8)～4.5×10~(-7)mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检测限为1.25×10~(-8)mol/L Mo(Ⅵ),方法用于钢样中微量钼的测定,结果较好.对电极机理进行了研究.     

N,O-二酰化羟基苯胺衍生物的红外光谱特征

研究了Ｎ,Ｏ － 二酰化羟基苯胺衍生物分子中的两个酰羰基及相关化学键的特征红外光谱, 讨论了这些红外光谱特征随化学结构变化的关系。     

菌紫质在银膜表面的共振增强Raman光谱

本文用表面共振增强Raman方法,研究了菌紫质在不同条件下吸附在镀银玻璃上的Raman光谱,结果表明菌紫质吸附在银膜上,代表菌紫质分子循环中间体M412特征谱带的1565cm-1Raman位移明显增强,说明银膜对M412态有一定表面共振增强作用。