集成电路封装用绝缘胶漏电失效分析

在电子元器件封装领域中,塑封器件正逐步替代气密性封装器件。目前工业级塑封器件已不能满足器件的高可靠性要求,工业级塑封器件在严酷的环境应力试验中经常出现失效。研究了工业级塑封器件在可靠性筛选试验中出现失效的问题,通过X射线观察和芯片切面分析等方法,查明了造成器件失效的原因,并提出了优化改进措施。     

一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5 μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。     

碱式碳酸镁为新结合相的薄膜梯度扩散技术原位富集测定富营养水体中的磷

薄膜扩散梯度技术(Diffusive gradients in thin films technique, DGT)是近年来应用于自然水体、沉积物和土壤中活性磷原位测定的一种新技术。利用含碱式碳酸镁的聚丙烯酰胺凝胶膜为 DGT 新结合相,探讨了初始浓度、放置时间、pH 值及离子强度对组装后 DGT 吸附性能的影响。用10 mL 0.25 mol/ L H2 SO4对结合相进行洗脱,洗脱率为85%±5%。组装后 DGT 对磷的测定不受溶液 pH 值(4.10~9.15)和离子强度(0.001~0.05 mol/ L)的影响。在温度25℃,pH 7.00,磷初始浓度为2 mg/ L 时, DGT 对磷的最大吸附容量为20.4μg。初始磷浓度为0.001~20 mg/ L 时,新 DGT 测定值与磷钼蓝比色法测定值一致。本方法对磷的检出限为102.4 ng/ L。将碱式碳酸镁-DGT 和商品化的 Ferrihydrite-DGT 应用于合成海水、厦门近岸海水、易海、巢湖水和南淝河中的对比检测,结果表明,碱式碳酸镁-DGT 能更准确测定不同水体中磷浓度。     

基于校园网的虚拟电工电子实验技术研究

由于虚拟技术与基于网络的远程遥控技术的发展，使以虚拟实境电工电子实验技术取代传统的硬件实验室用于实验教学成为可能。现对基于校园网的虚拟电工电子实验所涉及的一些关键技术进行了讨论。     

浅谈电源的散热设计

电源变压器、整流二极管、开关V-MOS管等都是电源的主要器件.在加电过程中,如果这些器件产生的热量过高,就会造成器件不能正常工作,甚至毁坏电源.因此,电源的散热设计是保证电源正常工作的重要因素之一.在分析热源产生、热能传递基础上,着重探讨了电源的散热设计.     

蝎子毒素多肽WaTx的高效化学合成及氧化折叠研究

相比于1-羟基-7-氮杂苯并三氮唑(HOAt)、1-羟基苯并三唑(HOBt)等传统偶联试剂, 新型多肽偶联试剂2-肟氰乙酸乙酯(Oxyma)具有安全、偶联效率高、消旋率低等优势, 在多肽合成特别是微波固相合成中得到广泛应用. 但是, 不同反应温度(例如28、50和75 ℃)对N,N'-二异丙基碳二亚胺(DIC)/Oxyma的偶联效率以及对甲硫氨酸(Met)等易氧化氨基酸的影响尚有待研究. 瞬时受体电位锚蛋白1(TRPA1)通道在感受温度、听觉和炎症痛中发挥重要作用. 蝎子毒素多肽芥末受体毒素(WaTx)是一种新型、非共价结合的TRPA1特异性激动剂. 本研究利用6-氯苯并三氮唑-1,1,3,3-四甲基脲六氟磷酸酯(HCTU)/N,N'-二异丙基乙胺(DIEA)和DIC/Oxyma缩合体系, 首次探索了不同温度下线性WaTx的合成效率以及Met残基的氧化情况. 通过一次氧化折叠和两次氧化折叠策略, 实现了WaTx的体外快速复性折叠, 利用圆二色谱和钙荧光检测等技术评价WaTx的结构和活性. 本研究建立了WaTx的温和、高效合成以及复性折叠方法, 为固相多肽合成特别是手动固相合成WaTx等含有易氧化基团的二硫键构象锁定多肽提供了重要参考.     

Ultraviolet Luminescence Depending on Zn Interstitial in ZnO Polycrystalline Films

The ultraviolet emission line at 3.315eV is observed at 8K in ZnO polycrystalline films and investigated by temperature-dependent photolumineseence spectra and cathodoluminescence spatial image. The relative intensity of 3.315 eV emission line depends strongly on growth and annealing conditions. The cathodoluminescence image shows that the 3.315 eV emission localizes on the surface and ridge of ZnO grain. These results suggest that the 3.315 eV emission attributes to Zn interstitials at the grain surface and ridge. This emission is stable in the range from 8 K to 300 K and contributes to the room temperature ultraviolet band.     

CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌

利用具有特定温度梯度的CVD设备,以锌粉和氧气为原料,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。研究发现,锌粉中加入某些氯化物后可以改变ZnO薄膜的生长取向。用FESEM观察ZnO薄膜的表面形貌,发现Zn和氯化物的量比为1∶1时,生长的ZnO薄膜表面晶粒呈菱形或三角形({101}面),当二者的量比为10∶1时薄膜表面晶粒呈六棱台形({001}面)。XRD分析结果证实,前者只观察到(101)和(202)衍射峰,而后者出现(002)衍射峰且其强度大于(101)衍射峰。改变衬底或温度后得到的结果相同。因此,作者认为氯化物改变薄膜生长取向的现象与衬底和生长温度无关,添加的氯化物起到降低ZnO{101}面表面能的作用,随着氯化物浓度的增加,薄膜从沿[001]方向生长逐渐转向沿[101]方向生长。     

重要性采样方法与自由能计算

分子动力学模拟与自由能计算已经在化学、生物学与材料学等领域得到广泛的应用。然而,由于在传统分子动力学模拟的时间尺度内,体系很难跨越较高的自由能能垒,在相空间内的采样大大受限,采样困难使自由能计算难以收敛。增强采样是解决这一问题的有效途径,重要性采样方法就是其中一类。本文综述了四种广泛应用的重要性采样方法--伞状采样方法、metadynamics方法、自适应偏置力方法和温度加速分子动力学方法的原理和进展,其中重点概述了自适应偏置力方法的最新发展--扩展自适应偏置力方法和扩展广义自适应偏置力方法,并对这四种重要性采样方法的优缺点进行了比较。最后,讨论和展望了重要性采样与自由能计算方法面临的挑战和前景,并提出了对自适应偏置力方法可能的改进,如与加速分子动力学（aMD）或弦方法结合以提高在高维度空间中的采样效率。     

基于LabVIEW的多数据采集器自动监控软件设计与开发

数据采集器作为飞机训练用设备,实现对载机飞行、目标探测、电子对抗、武器控制和飞行员操控等数据的实时采集,其性能指标一直是关键的验收指标。在人力成本逐渐增大、自动化信息产业高速发展的时代下,自动测量系统成为测量测试领域的重要角色,它可实现整个实验过程的自动监控和测试数据的自动存储。为了最大限度的满足采集器的批量生产与测试,本文基于LabVIEW平台,通过1553B总线和RS422总线实现数据传输,设计多数据采集器自动监控软件。试验证明,软件操作简单、运行稳定,最多可同时对8台数据采集器进行测试。