GIS中矢量图形的结构分析与VC++中的实现

简要讨论了GIS各类矢量图形元素间的空间拓朴结构及基位置关系 ,并用VC 6 . 0及MFC具体分析了圆弧与多边形区域的相交关系及实现。为利用VC开发专用图形软件提供了有用帮助。     

三种无线通信技术基本原理和性能比较

本文讨论了三种3G通信中最有竞争力的无线通信技术:OFDM、CDMA和MC-CDMA(前面两种技术的结合)。OFDM(OrthogonalFrequencyDivisionMultiplexing)是多载波通信系统的一个特例,它可以有效的对付多径时延带来的符号间的干扰。在频率选择性信道下,采用OFDM技术的高比特速率通信系统也有较好的抗误码性能。CDMA(CodeDivisionMultipleAccess)是3G通信系统中看好的一种技术。它采用PN序列来进行扩展信号频谱,相对于窄带信号来说,它可有效的对付深衰落,提高多用户接入的能力。MC-CDMA是前面两种技术的结合,作者比较了CDMA和MC-CDMA技术,从而给出了MC-CDMA的优点。     

锁相技术在电子束曝光机工件台稳速控制中的应用

采用锁相技术，对电子束曝光机工件台运动实现速度环的全数字控制。设计了数字差频积分回路和数字差频比例控制器，能有效消除速度的静态误差和改善系统的动态特性。     

高频单线圈双调谐NMR单晶探头的研制

本文报道了一种测角单晶NMR探头。该探头采用单线圃双调谐电路,工作频率在90MHz-110 MHz连续可调,可进行交叉极化大功率去耦实验。文中提出了一种简单而有效的测角装置,可使单晶绕三个互相垂直轴转动实现单晶的NMR测量。作为典型的应用例子,本文利用该探头实现了单晶DGO(2NH₂CH₂COOH·H₂C₂O₄)屏蔽张量的测量。     

分离流动的脉冲热线测量方法研究与应用

1引言分离流动经常出现在许多实际流动中，对流体机械和飞行器产生重大影响。但由于这种流动具有方向性，变化快，给测量带来了困难。到目前为止，主要有以下三种测量方法：山激光多普勒测速治（＊D川；（2）飞行热线（F坊In含＊。卜w让e）；O）脉冲热线技术（PulsedAVire。‘脉冲热线”比“激光多普勒测速仪”价格低一个数量级，操作简单，是一种比较理想的测量技术。其原理最初由Baner山提出，随后经过BradburyP］，Eaton问，Castro＊和Fernholz问等人不断发展与完善，目前国外正推广应用在分离流动的研究中。但在国内，尚不多见其…     

Ca原子的Penning离化

用614.3nm染料激光照射以Ne为缓冲气体的Ca空心阴极灯,观察到了Ca原子的Pen-ning离化效应。对比在Li空心阴极灯中获得的光电流信号,解释了Ca原子的彭宁离化。     

碱性焊条焊接气溶胶的电子显微研究

碱性焊条焊接气溶胶的电子显微研究熊玉峰，施雨湘，杨世柏，肖诗祥（武汉交通科技大学船机系，武汉４３００６３）本文系统地研究了结构钢焊接用碱性低氢型Ｊ－５０７焊条焊接气溶胶粒子的物相分布和微观形态特征、以期揭示焊接溶胶的形成机制，为研制新型低尘低毒焊条提...     

A Comparison of Different Measures for Dynamical Event Mean Transverse Momentum Fluctuation

Various measures for the dynamical event mean transverse momentum fluctuation are compared with the real dynamical fluctuation using a Monte Carlo model. The variance calculated from the G-moments can reproduce the dynamical variance well, while those obtained by subtraction procedures are approximate measures for not very low multiplicity. Фpt, proposed by Gadzicki M and Mrowczynski S [Z. Phys. C 54 (1992)127], can also serve as an approximate measure after being divided by the square root of mean multiplicity.     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。