一种雷达干扰技术—灵巧噪声干扰

由于脉冲多普勒（PD）雷达采用超低副瓣天线，或者使用相干旁瓣对消器或匿影器等技术，旁瓣干扰会变得极为困难，使得传统的噪声干扰或欺骗干扰的效能大大降低，介绍了一种兼有噪声干扰和欺骗干扰特点的灵巧噪声干扰技术，给出一种该干扰机的组成原理框图，简述了其工作原理并分析了其干扰效能。     

薄膜干涉型光学全通滤波器的设计与分析

设计并分析了用于多信道色谱补偿的薄膜Gires-Tournois干涉仪（GTI）型光学全通滤波（OAPF），讨论了反射镜的膜层结构对器件 的群延迟谱和反射谱的影响，。以及大角度入射引起的偏分离现象和幅度畸变现象，给出了单级和多级串拉OAPF的初步设计结果。     

基于时分处理的FIR内播滤波器的设计与实现

本文从设计原理和硬件结构两个方面对FIR内插滤波器的设计与实现方法进行了分析。以降低年开销和提高处理速度为目标，提出了基于滤波器时分处理的多相滤波器设计方法，并针对具体器件就算法的实现进行了讨论。最后，以第三代移动通信系统WCDMA中基带成形滤波器为实例比较了几种方法之间的差异。     

Ablation of GaN Using a Femtosecond Laser

We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter.     

Reversible Decoherence of a Mesoscopic Superposition Driven by a Time—Dependent External Field

By using the normal-ordering technique in the coherent state representation,we discuss the dynamical evolution of the coherence of a Schrodinger cat state in a high Q cavity coupled to another resonator in the presence of external fields.During the progression of the coherence,we pay particular attention to the effect of the external fields,as well as to the initial phase of the Schrodinger cat state.     

羰基镍分析报警仪

羰基镍分析报警仪运用化学发光原理构成，不仅适用于羰基镍生产车间现场的检测和报警，也适于实验室的研究工作。检出限达0.037mg/m^3(0.5ppb），响应时间2min。     

高发射率节能涂料及其应用

讨论了高发射率涂料节能的条件，了一种在1000℃仍保持高发射率的优质涂料，并解决了涂料与金属基体的粘结工艺，用此涂料制成增强辐射电阻带和复合炉衬，得到的新炉比旧炉节能20－40％。     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。