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41.
依文思蓝光度法测定阿昔洛韦及其分析应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在pH 5.74 HAc-NaAc缓冲介质中, 阿昔洛韦(ACV)与依文思蓝(EB)反应形成离子缔合物, 溶液颜色发生明显改变, 最大褪色波长为638 nm. 在此波长处, 阿昔洛韦的浓度与褪色程度呈良好线性关系, 从而建立测定阿昔洛韦的光度法. 在最大褪色波长处, 阿昔洛韦的浓度在0~2.01×10-5 mol/L范围内遵守比尔定律, 表观摩尔吸光系数1.71×104 L·mol-1·cm-1, 检出限为7.47×10-7 mol/L. 方法具有较高的灵敏度和良好的选择性, 可用于实际药品、血浆及尿液中阿昔洛韦的测定. 相似文献
42.
NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能. 相似文献
43.
寻呼成功率用来考核各地无线覆盖情况、网络运行维护优化的质量等.这项指标的高低反映了,网络的覆盖质量。通常,网络优化的目的是尽可能地使寻呼成功率达到工程设计应该达到的水平。BSS是这项指标的理想跟踪对象,可以将大的系统指标分解到各个小区来定点分析.通过对各个小区或基站的障碍清除、参数调整、高度调整及俯仰角变换等手段来达到无线的最佳覆盖.从而优化寻呼成功率。其次在NSS侧也有一些优化手段可以提高这项指标。本文主要讲述NSS侧的一些优化方法.并对BSS的优化手段做简单介绍。 相似文献
44.
Z-boson decay provides a good opportunity to search for the ΞbQ baryon because a large number of its events can be collected at high energy colliders.In this paper,we perform a complete investigation of the indirect production of the Ξbc and Ξbb baryons via the Z-boson decay process Z→ΞbQ+■+■ with a Q=(c,b) quark under the NRQCD factorization approach.After considering the contribution from the diquark states ■,■ and ■,the calculated branching fraction... 相似文献
45.
46.
基于小波变换的红外图像去噪 总被引:11,自引:7,他引:4
提出一种基于新型阈值函数的小波域红外图像去噪法,其阈值函数表达式简单且连续,既克服了硬阈值函数不连续的缺点,又克服了软阈值函数中估计小波系数与含噪小波系数间存在恒定偏差的缺陷。同时新的阈值函数还有效地利用了小波系数的成串性,即在小波系数的估计计算中考虑了邻域小波系数的大小。仿真结果表明,在去噪红外图像视觉效果和峰值信噪比两个方面,文中提出的去噪法优于已有的各种门限去噪法和Matlab-wiener2滤波算法。 相似文献
47.
正交匹配追踪(Orthogonal Matching Pursuit, OMP)算法是一种重要的压缩感知重构算法. OMP算法在每次迭代中选择与当前残差最相关的原子. 针对每次迭代需要重新计算残差的问题, 本文考虑偶数次迭代下残差未知的情况. 首先, 研究了奇数次迭代的残差与下一次迭代的残差之间的关系, 得到了一种偶数次迭代时选择原子的标准. 然后, 引入一种回溯机制来处理前面所得的迭代结果, 这种机制通过剔除其中多余的原子来实现精确重建. 据此, 提出了可减少计算残差的改进型正交匹配追踪算法. 相似文献
48.
文中提出一种输出结构能克服传统的激光二极管驱动电路在直流耦合方式下不支持低电源电压操作的问题。新的APC能稳定输出平均光功率和消光比分别在0.3dBm和±0.4dB(-40°C~100°C)范围内。此外,快速二分查找算法使APC初始化时间不超过0.6μs,突发开启和突发关断延时小于5ns,满足PON要求。样片采用TSMC0.8μmBiCMOS工艺实现,芯片面积为1.56mm×1.67mm,功耗为105mW。 相似文献
49.
Microstructure evolution and passivation quality of hydrogenated amorphous silicon oxide(a-SiOx:H) on〈100〉- and 〈111〉-orientated c-Si wafers 下载免费PDF全文
Hydrogenated amorphous silicon oxide(a-SiOx:H) is an attractive passivation material to suppress epitaxial growth and reduce the parasitic absorption loss in silicon heterojunction(SHJ) solar cells. In this paper, a-SiOx:H layers on different orientated c-Si substrates are fabricated. An optimal effective lifetime(τ(eff)) of 4743 μs and corresponding implied opencircuit voltage(iV(oc)) of 724 mV are obtained on〈100〉-orientated c-Si wafers. While τ(eff) of 2429 μs and iVoc of 699 mV are achieved on 111-orientated substrate. The FTIR and XPS results indicate that the a-SiOx:H network consists of SiOx(Si-rich), Si–OH, Si–O–SiHx, SiO2 ≡ Si–Si, and O3 ≡ Si–Si. A passivation evolution mechanism is proposed to explain the different passivation results on different c-Si wafers. By modulating the a-SiOx:H layer, the planar silicon heterojunction solar cell can achieve an efficiency of 18.15%. 相似文献
50.