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高效钙钛矿太阳电池中通常采用有机p型半导体材料作为空穴传输层.有机材料在湿度、温度、紫外照射等环境因素下会出现严重的性能衰退,加速钙钛矿太阳电池的老化,成为实现其实际应用的主要障碍之一.本文提出采用无机硫氢酸亚铜(CuSCN)作为空穴传输材料,并通过锂掺杂提高其空穴传输特性;在此基础上采用聚[双(4苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]修饰CuSCN表面,避免CuSCN和碘化铅(PbI2)间的相互作用,实现了大晶粒、致密钙钛矿薄膜的制备,最终实现了钙钛矿太阳电池性能的有效提升.本工作为稳定、高效钙钛矿太阳电池的制备提供了可借鉴的策略. 相似文献
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74.
75.
纹理是使图像具有视觉真实感的重要因素,红外纹理生成是场景红外成像仿真的重要组成部分,也是真实感场景仿真的迫切需求。以在图像平面直接生成具有真实感的景物红外纹理图像为目标,提出了一种草地的红外纹理建模与真实感绘制方法,从模拟组分温度分布和空间结构形态两方面开展研究。首先,考虑土壤-植被-大气间的热交换过程,建立红外辐射的耦合求解模型;其次,构建各组分的空间分布模式;最后,将已经求解的红外辐射数据映射到图像空间,生成具有真实感的红外纹理图像。对近距离或放大状态下草地红外纹理的视觉效果进行了模拟,理论分析和仿真结果表明:所提出的红外纹理模拟方法具有一定的合理性和有效性。 相似文献
76.
空间目标场景模拟器是在实验室环境下进行星等探测能力评价和定标的设备,该系统的关键是对弱星等的标定要求很高,最高检测星等为16等星。本文设计了基于光电倍增管的单光子计数器作为模拟星的能量检测设备,给出了光电倍增管的选择方法及其分压器的设计原理,最后通过实验验证了该单光子计数器的测量精度能够满足定标的要求。 相似文献
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78.
Theoretical description of improving measurement accuracy for incoherence Mie Doppler wind lidar
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For the nonlinearity of Fabry-Perot interferometer(FPI) transmission spectrum,the measurement uncertainty of incoherent Mie Doppler wind lidar based on it increases evidently with the increase of backscattering signal Doppler shift.A method of repeating the use of the approximate linear part of FPI transmission spectra for reducing the high uncertainty of a big Doppler shift is proposed.One of the ways of realizing this method is discussed in detail,in which the characteristics of FPI transmission spectrum changing with thickness and incident angle are utilized simultaneously.Under different atmosphere conditions,it has been proved theoretically that the range of measurement uncertainty drops to one-sixth while its minimum has no serious change.This method can be used not only to guide the new system design,but also as a new working way for the fabricated system. 相似文献
79.
Device research on GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors grown by metal organic chemical vapour deposition
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This paper applies a novel quad-layer resist and e-beam
lithography technique to fabricate a GaAs-based InAlAs/InGaAs
metamorphic high electron mobility transistor (HEMT) grown by metal
organic chemical vapour deposition (MOCVD). The gate length of
the metamorphic HEMT was 150~nm, the maximum current density was
330~mA/mm, the maximum transconductance was 470~mS/mm, the threshold
voltage was -0.6~V, and the maximum current gain cut-off frequency
and maximum oscillation frequency were 102~GHz and 450~GHz,
respectively. This is the first report on tri-termination devices
whose frequency value is above 400~GHz in China. The excellent
frequency performances promise the possibility of metamorphic HEMTs
grown by MOCVD for millimetre-wave applications, and more
outstanding device performances would be obtained after optimizing
the material structure, the elaborate T-gate and other device
processes further. 相似文献
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