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51.
本文报道了三异丙氧钐(5%)催化下,以乙酸乙酯为乙酰化试剂醇的选择性乙酰化反应。此法操作简便,产率良好。 相似文献
52.
本文研究了Bi(2223)超导体屏蔽筒的磁屏蔽效应,从而得出了屏蔽效果与超导体的微观结构、临界电流密度、屏蔽空间大小有关,以及双筒套构的方法可进一步增强磁屏蔽效果的结论。 相似文献
53.
砷化镓是当前除硅之外应用最广泛的半导体材料之一。尤其在微波器件、半导体激光器及光电器件等领域占有重要的地位。在器件的设计及制备中,少数载流子扩散长度是一项重要参数。用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度,具有测试装置比较简单,又有非破坏性的特点。这里,虽然仅对于光电器件进行讨论,但可供其它有关方面参考。 相似文献
54.
55.
将Ta_2O_5与V_2O_5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜.在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜.X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向.XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在.温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃.Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta 替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因. 相似文献
56.
58.
以四丁基碘化铵(BNI) 为有机催化剂, 碘单质(I2) 与偶氮二异庚腈(ABVN) 原位生成的碘代异庚腈为引发剂, 进行甲基丙烯酸甲酯(MMA) 的溶液聚合. 以甲苯为溶剂, MMA:I2:ABVN的摩尔比为200:1:1.7, 考察了催化剂用量对聚合的影响. 结果表明, 加入催化剂可以缩短诱导期, 当I2:BNI摩尔比为1:1时聚合反应的诱导期最短(1.7 h); 当BNI:I2摩尔比为0.25:1~2:1之间时, 聚合物实测分子量与理论值十分接近, 分子量分布较窄, 分子量分布指数(Mw/Mn) 多在1.2以下. 考察了在N,N'-二甲基甲酰胺(DMF)、 四氢呋喃(THF)、 苯甲醚、 苯和甲苯5种溶剂中的聚合反应, 发现在苯和甲苯中聚合可控性最佳, Mw/Mn多在1.2以下; 苯甲醚和THF中聚合速率较快, 聚合物分子量分布较苯中的略宽. 以DMF为溶剂时所得聚合物分子量分布很宽, 聚合可控性差. 核磁共振分析聚合物为碘封端结构, 碘原子封端的聚合物链所占比为91.6%. 相似文献
59.
60.
利用二氨基马来腈(DMNA)与二聚氰胺(DCDA)的高温共聚合反应, 制备了石墨相氮化碳 (g-C3N4), 并通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、透射电镜 (TEM)、氮气吸脱附实验 (N2-sorption)、电子顺磁共振 (EPR)、紫外-可见漫反射光谱 (UV-Vis DRS) 和荧光 (PL) 光谱等表征手段,系统考察了共聚合改性对g-C3N4晶体结构、化学结构、能带结构、织构、光吸收性能和光催化性能等的影响.研究结果表明:共聚合改性后氮化碳材料仍保持石墨相晶体结构, 但其π电子的离域性增强, 并在催化剂表面产生异质结构, 进而提高了氮化碳在可见光区域的光吸收性能, 并促进了光生载流子的有效分离. 性能评价结果显示, DMNA改性的氮化碳在可见光下光催化产氢活性明显高于未改性的样品, 当DMNA用量为0.01g时, 催化剂的产氢速率最高, 达到45.0 μmol·h-1, 为纯氮化碳样品的4.5倍. 相似文献