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991.
Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。  相似文献   
992.
提出在随机媒质中采用时间反转镜对主动换能器阵列超声成像的一种新算法。这种算法主要特征是:对散射中接收的信号进行到达时间分解;响应矩阵频域奇异值分解;时城内目标函数的构建是统计稳定的并且对散射形成峰值。  相似文献   
993.
在电视技术数字化及网络化迅猛发展的今天、电视台正在进行一系列数字化改造、其中的非线性编辑网络就是一个方面。目的其一是实现资源共享.节约节目制作成本:二是提高全台的数字化、网络化的水平,为将来的全程数字化、非线化做准备。但是非线性编辑网络毕竟是基于服务器和工作站的网络系统,较之于传统编辑模式,  相似文献   
994.
采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF-PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0.45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0.253cm2.  相似文献   
995.
近年来,高等院校的不断扩招使中等职业学校的招生工作受到冲击,这也导致职业教育生源整体文化基础水平的下降。为了响应国务院《关于大力发展职业教育的决定》的号召,落实职业教育改革与发展的指导思想、目标任务和政策措施,改革中等职业学校过去的教学体系势在必行。根据企业和劳动力市场的需求,以服务经济建设为宗旨,坚持“以  相似文献   
996.
USB On-The-Go工作原理分析和应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
USB的传输速度目前已达480Mbps,而USB OTG(On—The—Go)则以其双重强大功能使USB设备摆脱了对PC的完全依赖。USB OTG是USB2.0规范的补充,它可使外设在无主机参与的情况下直接互连以进行通信。文章介绍了USB OTG的工作原理,并在分析了USB OTG的基础上,提出了针对数码相机伴侣问题的一种解决方案。  相似文献   
997.
同轴气动送粉激光熔覆过程中,金属粉末落入熔池的速度、浓度的分布等物理参数对熔覆层的形貌有一定的影响。DPIV(d igital partic le im age veloc im etry)是试验确定粉末流运动规律的有效方法,通过建立DPIV试验装置,对同轴载气送粉装置输送的粉末的速度、浓度进行了取值计算。结果表明,随气体流量的增加粉末的浓度有一定的减少。沿z轴方向,存在发散汇聚在发散的变化,粉末粒子流量与粒子速度在一定范围内有线性关系,超出Mp=0.33g/s~0.83g/s,Vp=0~1.3m/s范围,其影响将减弱。  相似文献   
998.
介绍了采用S01-3聚氨酯清漆对某型号舰载无人机用电子设备印制电路板组装件进行三防涂覆的实用工艺过程,比较了不同材料和工艺对印制电路板组装件三防性能的影响。  相似文献   
999.
幸存路径存储及输出的一种新方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
提出了一种Viterbi译码器FPGA设计中幸存路径存储及输出的新方法———SMSO法 ,该方法与传统的寄存器交换法和回索法相比具有存储量小、译码延迟短的特点 ,并且极适合于利用FPGA内置的EAB块实现  相似文献   
1000.
迎九  付传斌 《电子产品世界》2003,(7A):U002-U005
哪些是FPD热门 ADI显示驱动器部门的Ed Spence介绍了ADI对FPD行业的理解。整个显示领域的应用与技术的划分如图1所示。  相似文献   
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