压电智能结构拓扑优化研究进展

压电材料因其变形精度高、反应速度快、易于制作成小型化元件已经被广泛应用于精密驱动、振动控制、精确定位等领域。改变压电智能结构中压电元器件的位置、大小、形状等参数能够有效地改善系统的力学性能,因而吸引了许多学者和工程师的关注和研究。拓扑优化作为有效的优化工具,已经成功应用于压电智能结构的优化设计中。本文首先阐述了压电智能结构拓扑优化的背景和意义,简要回顾了压电智能结构主动控制及分析方法,并综述了面向结构静变形控制的压电智能结构优化、面向振动控制的压电智能结构优化、压电俘能器的设计与优化等三个方面的研究进展。最后,简单归纳压电智能结构拓扑优化研究中值得关注的几个问题。     

陌生氧化还原反应考题探讨

陌生氧化还原反应考题能够考查新情境中考生利用所学知识分析解决新问题的能力而备受高考命题专家的青睐,已成为高考理综化学试题中一道亮丽的风景.面对陌生的试题情境,很多考生有畏难心理,或者虽然敢于解题,但因知识、方法和能力等方面的缺失而丢分,下面对这类试题的呈现方式、解题思路和复习应考策略等进行探讨.     

一种新结构IGBT--内透明集电极IGBT的仿真

对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.     

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真

对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.     

衬底温度对HfO2薄膜结构和光学性能的影响

采用直流磁控反应溅射法,分别在室温,200,300,400和500 ℃下制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、椭圆偏振光谱（SE）和紫外可见光谱（UV-vis）研究了衬底温度对HfO2薄膜的晶体结构和光学性能的影响。XRD研究结果显示：不同衬底温度下制备的HfO2薄膜均为单斜多晶结构;随衬底温度的升高,（-111）面择优生长更加明显,薄膜中晶粒尺寸增大。SE和UV-vis研究结果表明：随衬底温度升高,薄膜折射率增加,光学带隙变小;制备的HfO2薄膜在250～850 nm范围内有良好的透过性能,透过率在80%以上。     

复合材料层合板的率模可靠度研究

传统的结构可靠性分析是基于二值状态假设的,即结构要么处于失效状态,要么处于安全状态,但在许多工程实际中,在失效和安全之间有一系列中间状态,因此判断结构是否失效,引用模糊状态的概念更为合理.该文将失效(或安全)的模糊状态假设引入到复合材料层合板的可靠度分析和计算中,建立了复合材料层合板的率模可靠度模型和相应的计算模型.在该模型中,考虑了单层复合材料强度指标的随机性,以及极限状态的模糊性.由层合板结构可靠性分析的具体算例,说明了该文模型和计算方法的合理性及有效性.同时,对参数的影响也进行了分析和讨论.结果表明,强度参数的均值以及失效准则的选取对可靠度有较大的影响.     

埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验

提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd.首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和现在正在广泛应用的Trench-MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较,得到有重要意义的结论.采用阻性负载电路.仿真结果表明,与T-MOSFET和常开型TB-JFET相比,常开型BTB-JFET在1MHz时开关功耗分别降低了37%和14%.进行实验以证明仿真上作的合理性,首次成功地制造出常开型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧结构是通过热氧化的方法实现的.实验结果表明,与TB-JFET相比,在源漏零偏压时,BTB-JFET的Cgd减小了45%;在1MHz时,其开关时时与开关功耗分别降低了约7.4%和11%.因此常开型BTB-JFET应是今后低压高频功率开关器件的研究发展方向.     

GSM边际网的规划与建设探讨

本文针对边际网的特殊性,阐述边际网络的建设思路和不同的组网方式,探讨了不同区域、不同地理环境下的边际网典型覆盖解决方案。     

EMX2500移动交换机的信号系统对接通率的影响

ＥＭＸ２５００移动交换机的信号系统对接通率的影响武汉市电信局周玉荣ＥＭＸ２５００移动交换机采用的是Ｒ２信号系统。所谓Ｒ２信号系统是一种用于呼叫建立、控制、监测的国际性信号系统。这个系统包括线路信号（监测信号）和内部寄发器信号（用于呼叫建立和控制的多频...