埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验

提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd.首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和现在正在广泛应用的Trench-MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较,得到有重要意义的结论.采用阻性负载电路.仿真结果表明,与T-MOSFET和常开型TB-JFET相比,常开型BTB-JFET在1MHz时开关功耗分别降低了37%和14%.进行实验以证明仿真上作的合理性,首次成功地制造出常开型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧结构是通过热氧化的方法实现的.实验结果表明,与TB-JFET相比,在源漏零偏压时,BTB-JFET的Cgd减小了45%;在1MHz时,其开关时时与开关功耗分别降低了约7.4%和11%.因此常开型BTB-JFET应是今后低压高频功率开关器件的研究发展方向.     

沟槽栅低压功率MOSFET的发展（下）——减小优值FoM

近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻R DS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。     

基于Q学习的异构无线网络动态切换策略

提出了一种基于Q学习的动态切换策略,用于最大化用户体验(QoE).基于Q学习的动态切换策略选择最佳网络,不仅利用当前网络状态还利用了未来网络状态和用户终端状态.不同于其他动态规划算法,该算法不需要获取无线网络环境的信息,而是通过利用用户终端过去经验来学习最优策略.仿真结果显示,该动态切换策略能以较少网络间切换次数来接近甲骨文优化算法性能,从而使用户体验得到更优质的网络音频服务.     

4K节目管理和后期制作网设计

为完善用户管理、流程化制作和审核送播,广州市广播电视台搭建了4K超高清节目制作网.本文从4K超高清工作站、分布式存储、智能管理系统等多个方面,介绍了4K超高清节目制作网.     

压电智能结构拓扑优化研究进展

压电材料因其变形精度高、反应速度快、易于制作成小型化元件已经被广泛应用于精密驱动、振动控制、精确定位等领域.改变压电智能结构中压电元器件的位置、大小、形状等参数能够有效地改善系统的力学性能,因而吸引了许多学者和工程师的关注和研究.拓扑优化作为有效的优化工具,已经成功应用于压电智能结构的优化设计中.论文首先阐述了压电智能结构拓扑优化的背景和意义,简要回顾了压电智能结构主动控制及分析方法,并综述了面向结构静变形控制的压电智能结构优化、面向振动控制的压电智能结构优化、压电俘能器的设计与优化等三个方面的研究进展.最后,简单归纳压电智能结构拓扑优化研究中值得关注的几个问题.     

栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究

新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析,与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即Q0最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,Q0的改善分别可达到86．3％和13．4％。     

高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化

对GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题,并对此进行了计算机仿真及试验研究仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高     

浅谈"金帆奖"参评节目录制的技术指标测试

介绍了参加“金帆奖”录制技术质量类评奖的节目，在录制时进行技术指标测试的一些经验和体会。     

局域铂掺杂寿命控制快恢复二极管的研究

利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术.报告了改变质子注入剂量对二极管反向恢复时间和反向漏电流等参数的影响.结果表明,当辐照剂量较低时,随着辐照剂量的增加,电活性铂浓度不断提高,器件性能不断优化.而辐照剂量增加到一定程度,有效区电活性铂杂质的浓度会趋向饱和,二极管反向恢复时间基本上不再继续减小.     

SiGe异质结微波功率晶体管

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。