CPU电源电路用沟槽棚MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率 下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。     

超高频功率晶体管金属栅格电极结构的研究

本文提出一种提高晶体管发射区条长有效率的简单而有效的技术——自对准铂硅栅格电极结构。其特点是制造简单、通用性强、在不增加生产工艺难度的情况下就能够显著地提高晶体管的最大输出功率和功率增益。经在3DA200系列超高频中功率晶体管制造中进行试验,在不改变原生产用的版图和工艺的情况下,只在制造过程的中间加入制造铂硅栅格电极这步工艺就能把最大输出功率和额定功率下的功率增益提高为原来的1.5～2倍。同时本文也给出了发射区条长有效率的简明理论分析,所得公式和图表可以用来简单直接地计算出发射区条长有效率,从而根据有效率的改善来决定应取的铂硅栅格的薄层电阻率。     

一种新结构IGBT——内透明集电区IGBT

本文对一种新的IGBT结构——“内透明集电区IGBT”（ITC-IGBT）进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层，同时适当降低高复合层以上P区掺杂浓度。仿真结果表明，无论是穿通型结构（有缓冲层）还是非穿通型结构（无缓冲层）的ITC—IGBT，在器件工作电流范围内都具有饱和电压正温度系数，解决了现有的用外延片制造的PT—IGBT所难以克服的饱和电压负温度系数的缺点，有利于IGBT的并联使用。对于1200V以下的IGBT，该新结构开辟了一种可以避免超薄片操作的简单的制造良好温度性能器件的途径。     

中小型切换台的选型与应用分析

介绍了切换台的历史以及发展趋势，详细介绍了目前主流切换台的功能和参数，讨论分析了中小型切换台的选型与应用。     

WT3DG系列宽温区晶体管：一种BSIT的改进型器件

利用BSIT电流放大系数具有负温度系数的特点,结合目前我国半导体工艺水平研制的改进型BSIT——WT3DG系列宽温区硅高频小功率晶体管,具有良好的电性能和温度特性。是工作在-65～200℃温度范围内电子仪器的理想器件。     

新闻非线性直播网络的应用实践

今天，新闻非线性网络在国内电视台里的应用越来越广泛，通过新闻网络的建设和使用工作实践，分析了新闻非线性直播网络的结构、制作流程，从素材采集后的数据流程，网络安全及播出安全，网络和传统设备的结合使用等方面阐述了该网络的工作原理。     

沟道基区晶体管

本文报导了一类新的晶体管-沟道基区晶体管(CBT)的实验研究和初步理论分析结果。这种晶体管在原理上同时含有双极晶体管和常闭型结型场效应晶体管的成份,其突出优点是电流增益随温度的变化和小电流区电流增益随电流的变化都远比双极晶体管小。     

双材料界面应力分析的局部杂交法

本文用云纹干涉法测取双材料高梁受集中载荷时沿ｘ，ｙ轴的位移场ｕ，ｖ．以其作为界面局部微区的边界条件，用有限元计算此微区内界面上的应力分量．与光弹性及全梁有限元法比较，发现局部杂交法的精度最高．     

数字电视地面传输标准DMB—TH分析

对数字电视地面传输标准DMB-TH进行分析。介绍了其系统原理、技术特点及行业优势。重点介绍了系统中的新技术FEC、TDS-OFDM和信道估计方法。     

非线性编辑卡的比较分析

分析了非线性编辑卡的编/解码芯片的结构、特点,以及MPEG-2实现帧精度编辑的原理.