激光二极管光束质量评价方法

讨论了几种常见的光束质量评价方法,并分析了这些方法在对激光二极管光束质量进行评价时的局限性.分析了影响激光二极管光束利用透镜进行准直的难易程度的主要因素,给出了一种新的光束质量评价标准lθ5(l是发光源在平行于结平面方向的长度,θ是光束在垂直于结平面方向的发散角)较好地反映了在实际工程应用中光束准直的难易程度,此值越小光束越容易准直.并且还给出了一个参考值,当光束的lθ5值低于此值时,此光束可以被较好地准直而不引起较大困难.     

流谱心率系统在电动自行车上的应用

介绍了心率监控系统在电动自行车上的应用,在骑行电动自行车过程中,通过车把传感器进行心率实时监控,当骑行人心率体征发生变化时系统可以及时报警,减少因为骑行人体征变化引起的交通事故,从而引领人们健康生活的理念。     

梳齿式静电微驱动器的边缘效应影响分析

针对梳齿式静电微驱动器横向静电力的边缘效应问题,采用基于保角变换的修正公式和有限元法分别进行建模分析。采用修正公式虽然可以减小分析误差,但不能准确捕获边缘效应对驱动器驱动性能的动态影响过程,而有限元法能够准确捕获横向静电力受边缘效应影响而发生突变的过程。通过有限元法分析得出,驱动器的结构参数及其工艺误差均对横向静电力的边缘效应有影响,而驱动电压对边缘效应的影响可以忽略;当梳齿接近完全交叠时,边缘效应的影响显著,驱动器驱动性能具有明显的非线性特征。     

如何计算有质量弹簧的形变量

在高中物理阶段,所处理的弹簧问题,都是将弹簧理想化为轻质弹簧,即没有质.如果将两个大小不等的F作用于轻弹簧的两端,根据牛顿第二定律F=ma,轻弹簧将会产生无穷大的加速度,导致问题无法研究.因此大多高中题目中都强调是轻弹簧,弹簧各处张力相等,两端受的的拉力大小时刻相等,弹簧伸长量根据胡克定律△x=F/k,其中F是弹簧一端受力的大小.如果是有质量的弹簧则不同,对于有质量的弹簧两端的拉力可以随便取,一旦弹簧两端拉力不同时,伸长量又是多少呢?     

英特尔嵌入式计算战略逐渐明朗

在今年4月份刚刚结束的英特尔信息技术峰会(IDF)上,英特尔中国区总裁杨叙在开场致辞中着重强调了转型一词,应对未来市场变化、新技术发展,英特尔公司要转型。     

创新成果源于环境和个人努力——陈宝兴博士谈ADI公司创新人才培养经验

陈宝兴,美国ADI公司Fellow(院士),信号隔离领域的项尖专家。作为第一位获到ADI院士这个职位和荣誉的中国人,这个1985年毕业于南京大学理论物理专业的小伙子,先后又完成了美国密西根大学电子工程系线路和器件专业硕士和物理系博士学业。1997年博士毕业后,陈宝兴进入美国ADI公司工作,13年后的2010年正式当选为院士。一位理论物理专业的毕业生为何能够成长为ADI公司的院士呢?能把一位来自他国的工程师培养成为一名资深技术人才,ADI公司一定有其不可复制的沃土。     

移动通信技术专业市场分析

3G网络在中国已经进入全面建设阶段。各种业务开始广泛应用,标准、融合、开放、增值成为网络建设的主导思想,存储、安全、无线、多媒体应用等基于IP架构的产品大规模应用,将网络建设带入了IP行用的新阶段。现在无论是在电信市场还是在企业网市场,未来的发展方向就是IP+移动。     

氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究

采用传统降温法从不同程度氘化(x=0, 0.51, 0.85)的生长溶液中生长氘化KH₂PO₄(KDP) 晶体, 利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD) 结构分析, 对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究, 讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化; 正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加, 引起晶体晶格畸变; 氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷, 缺陷浓度不断减少; 团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应, 缺陷浓度表现为不断减少. 多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升, 晶体内部各类缺陷表现为同步变化. 实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱, 而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.     

沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响

采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳球和呈花瓣状的疏松结构。在合适的沉积温度下,SiC薄膜的致密性和平整度较好,且其具有较好的附着力和一定的强度,而这样的SiC薄膜可以阻止在金刚石涂层沉积过程中硬质合金中含有的Co对金刚石相沉积过程的有害作用。