基于PIN管的波束可重构双频反射阵列天线

利用PIN管实现反射阵列天线单元补偿相位的改变,使得反射阵列天线完成快速的双频宽角度电子波束扫描。天线结构为12×12反射天线阵列,通过在天线单元上添加PIN管,并编程控制PIN管的导通截止,可进行反射阵列天线双频宽角度电子波束扫描。仿真和实验表明,反射阵列天线在3.82 GHz和4.52 GHz均可实现±45°波束扫描,实测3.82 GHz增益为10 dB左右,4.52 GHz增益为13 dB左右。     

多色柔性自支撑胆甾相液晶薄膜反射器件

一维手性软光子晶体胆甾相液晶（CLC）在防伪标签、纳米激光器和传感等领域具有广泛的应用。本文采用多步图案化紫外固化方法并结合清洗-重填工艺，实现了多色的柔性自支撑CLC薄膜反射器件。采用标签打印机打印PET图案作为掩膜版，对可聚合的CLC材料进行紫外固化，得到图案化的柔性自支撑CLC薄膜反射器件。在此基础上，将非固化区域的液晶材料洗去并重新填充不同手性剂含量的CLC，再次图案化紫外曝光，即可实现多色的柔性自支撑CLC薄膜反射器件。研究了不同入射角、弯曲曲率半径和温度对反射器件光学性能的影响。实验结果表明，采用上述方法制备的多色可自支撑反射器件具有良好的柔性，不同曲率半径下的布拉格反射中心波长基本不变。随着温度升高，布拉格反射中心波长红移，且具有良好的线性度。多色的可自支撑柔性薄膜反射器件可拓展CLC在显示、传感、激光防护和微纳光学等领域的进一步应用。     

小功率LED光源封装光学结构的Monte Carlo模拟及实验分析

采用MonteCarlo方法对不同光学封装结构的LED进行模拟,建立了小功率LED的仿真模型,应用空间二次曲面方程描述LED的封装结构,对其光强分布进行模拟和统计.通过测量实际样品,并与模拟结果进行比较和分析,表明计算机模拟值与实验测量值比较吻合.     

一种采用双采样技术的高性能采样保持电路

介绍了一种高性能的采样保持电路。他采用双采样结构,使得在同样性能的运算放大器条件下,采样速率成倍提高,降低对运放的要求;使用补偿技术的两级运算放大器有较高增益和输出摆幅;采用栅压自举电路,消除开关导通电阻的非线性,减小电荷注入效应和时钟溃通。在SMIC 0.25μm标准工艺库下仿真,该采样保持电路可试用于高速高精度流水线ADC。     

MIM结构薄膜应变栅的工艺研究

阐述了采用直接沉积法制作MIM结构薄膜应变栅的工艺方法 ,对制备过程中所遇到的难点进行了分析并提出相应的解决方法 ,对所制作的薄膜应变栅式称重传感器进行了性能测试。     

H.264/AVC中Exp-Golomb编码器的实现

设计了一种适用于H.264/AVC标准的Exp_Golomb硬件编码器,在电路中提出了首1过滤器、首1检测器复用的电路结构,并采用了改进型并串转换器等关键单元,实现了码长及码字后缀信患值的快速生成,同时该编码器可以以串行方式连续输出二进制码流.仿真结果表明,平均编码一个句法元素需要13个时钟周期,在SMIC 0.18 μm工艺下综合结果显示,最大频率为238 MHz时,电路规模为1858门.本设计可满足实时编码H.264高清视频的要求.     

硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用

介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。     

真空分层蒸镀InSb薄膜的研究

采用双源分层蒸镀的方法制作ＩｎＳｂ薄膜，将区域熔融技术用于ＩｎＳｂ薄膜的热处理，提高了薄膜的纯度和择优定向程度，室温下电子迁移率达到３００００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）。在此基础上，分析了影响ＩｎＳｂ薄膜性能的几个主要因素。     

利用Astro-Rail分析FFT芯片的功耗和电源完整性

本文介绍如何使用Synopsys公司的Astro-Rail工具对采用SMIC0.18μmCMOS工艺、已完成布局布线的FFT芯片进行功耗分析、电压降分析和电迁移分析。通过在电压降图和电迁移图中用不同的颜色来显示不同区域的电压降和电迁移情况,可判断出最有可能出现问题的区域。文中利用功耗分析证明了电源和地PAD对的数目符合要求,利用电压降分析和电迁移图证明了电源环和电源条的布置符合工艺要求。     

用PECVD法在金属衬底上沉积氮化硅薄膜

采用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法在４０Ｃｒ钢（含Ｃｒ０．８％～１．１％）或铜等金属基片上沉积氨化硅薄膜。沉积温度为２５０℃时，制备的薄膜厚度为０．２～０．４μｍ，电阻率为８×１０￣（１６）Ω·ｃｍ，介质击穿场强达到１×１０￣７Ｖ／ｃｍ。用ＸＰＳ谱研究了薄膜的结构和成分，并分析了沉积时不同的工艺参数对薄膜绝缘耐压性能的影响。