对一道错误习题的纠正

一、问题的提出我们认为对于工科院校的大学生来说,高等数学课的教学只注重计算而不甚注意严密的思维训练是不行的。举一个例子,同济大学樊映川等编《高等数学讲义》在全国大多数院校已延用了三十来     

函数的图象与性质

本讲主要讨论函数图象的三种变换：平移、对称、翻折，并介绍如何利用函数的图象解题。     

I_1-ch窗函数及其应用

I_1-ch窗函数是Dolph-窗函数的一个极好的近似,它在时域和频域都能给出显式表达,因而应用上比Dolph-窗函数方便得多。本文研究了I_1-ch窗函数的性质,着重讨论了在滤波器设计中的应用,说明了与其他窗函数方法以及最优化方法相比,I_1-ch窗方法兼有运算量小和接近最佳设计的优点。最后还给出了实际应用的例子。     

重写系统和的合流性

在实际应用中,常常使用多个重写系统。本文主要讨论重写系统和的合流性,并给出了一个重写系统和具有合流性的充分条件。     

对一道组合题解法的质疑

题目有两个同心圆,在外圆周上有相异的6个点,内圆周上有相异的3个点,由这9个点所确定的直线最少有几条?我们所看到的所有参考书的答案均为21条,其理由如下:这9个点中最多有4点共线,当共线4点的组数最多时,即这9个点的位置如图1所示时,所确定的直线最少.共C92-3C42 3=21条.图2我     

超晶格

所谓超晶格是指1970年江崎玲於奈博士同R.Tsu博士一起提出的人工超晶格物质而言。它是把两种半导体物质,厚度大约按着电子的德波罗意波长,周期地重叠起来的异质结多层薄膜。这样的物质在自然界是不存在的,它要通过分子束外延(MBE)、有机金属化学汽相淀积(MO-CVD)等晶体生长技术的不断提高才能制备出来。因为这两种技术不仅能进行二维晶体生长,并能控制到单分子层量级。     

超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布

离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。