In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜, 并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性 能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换 Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高, 其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂 质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄 膜相近。     

支持隐私保护的K-means聚类模型研究

K-means是一种典型的聚类算法,在机器学习领域有着重要的作用.随着外包聚类服务的发展以及用户隐私保护意识的日益提高,K-means聚类也需要对密文数据提供支持,进而保证用户数据的隐私性.为此,文中利用全同态加密(Fully Homomorphic Encryption,FHE)设计了面向加密数据的 K-means ...     

含顺磁杂质超导体中的束缚态

本文利用广义正则变换和自洽场方法,讨论了单个杂质对超导体的影响。证明在磁性杂质附近,可能形成一个束缚态的元激发,其能量位于能隙之中。求出了能级和波函数的解析表达式,并计算了束缚能级所引起的附加电磁吸收。讨论了与此有关的隧道和高频吸收实验。此外,还讨论了非磁性杂质对连续谱元激发的影响及杂质附近能隙的变化。     

任意波长云母波片的制作技术

本文给出了由已测得的云母片对6328 A激光的相位延迟,推算任意波长的延迟的几种方法。对这几种方法进行了分析、比较。根据误差讨论,确定了制作任意波长波片的方法。     

复合广义齐次Poisson过程的多险种破产概率

本文推广了经典的复合泊松风险模型，建立了两类复合广义齐次poisson过程的多险种破产模型．对于新模型，我们得到了初始资本为u的破产概率φ(u)的精确表达式以及特殊情况下φ(0)的表达式，并且导出了调节系数方程和调节系数R的上下界．     

高阶特征线性及其与semi-Lagrangian方法的比较

特征线性与semi-Lagrangian方法都是处理流体方程时间离散的两种有效的方法．它们比经典的半隐格式，如Backward-Euler／Adams-Bashforth方法有更好的稳定性．本提出一种基于高阶空间离散的特征线法，通过稳定性，精度和计算复杂性与semi-Lagrangian方法进行比较，分析了高阶特征线法的有效性和适用性，并从数值试验上对分析结果进行验证．     

稀疏过程下变破产下限多元相依风险模型的破产概率

研究了稀疏过程下多元相依风险模型在假定变破产下限的破产概率,其中索赔产生时依赖概率ρ的可能性同时产生一次续保,即续保过程是索赔的ρ-稀疏过程.运用鞅方法得到了当破产下限为某些特征函数时破产概率所满足的不等式或破产概率的具体表达式.     

Eu2+,Dy3+共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷

首次介绍了一种新型长余辉材料:Eu^2 ,Dy^3 共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷，该玻璃陶瓷用紫外灯、日光、荧光灯均可激发，发射黄绿色余辉，余辉的发射峰位于516nm，来自于Eu^2 的5d→^8S7/2跃迁。用12000 lx的荧光灯激发样品20分钟，停止激发后10秒时，该玻璃陶瓷的余辉亮度为3．53cd/m^2，色坐标为：x=0.2842,y=0.5772;停止激发后5小时55分钟，该玻璃陶瓷的余辉亮度为0．01cd/m^2；停止激发30小时后，余辉在黑暗中仍肉眼可见。文中对该玻璃陶瓷的相关性质进行了表征，并提出了可能的长余辉机理。