Air Stability of Cs2CO3:Ag/Ag Cathode for Organic Light-Emitting Diodes

We report the superior stability of the composite Cs2CO3 ：Ag/Ag cathode structure, which can be used in efficient organic light-emitting diodes （OLEDs）. Devices with the Cs2CO3：Ag （1：10, 5nm）/Ag （95nm） cathode show a considerably improved lifetime compared with the control device with the Cs2CO3 （0.5 nm）/Ag （100 nm） cathode. The composite Cs2CO3 ：Ag/Ag film is proved to be stable in the atmosphere. X-ray diffraction （XRD） is applied to analyze the crystalline structure of the Cs2CO3：Ag film, and it is demonstrated that CsAg alloy is formed, leading to the improved stability of the thin film and the devices.     

手性配体交换毛细管电泳在氨基酸手性分析中的应用研究进展

氨基酸的手性分析在生命科学中具有重要的研究意义。手性配体交换毛细管电泳法作为常用的氨基酸的手性分析方式之一,具有高效、快速、样品迁移顺序可调等优点,引起了研究者们极大的兴趣。本文主要综述了近年来手性配体交换毛细管电泳法在氨基酸的手性分析中的应用研究进展。     

蓝色磷光有机发光材料

有机发光二极管在信息显示和固体照明领域具有广阔的应用前景,二十多年来得到了广泛关注,取得了很大进展。但显示和照明必需的蓝色发光材料,特别是蓝色磷光材料是目前有机发光材料研究领域的瓶颈,其稳定性和效率亟待提高。本文总结了近年来蓝色磷光有机发光材料的研究进展,系统介绍了蓝色磷光染料和主体材料这两大类材料的分子设计思想和发展动态,以及它们在有机发光二极管中的应用,并对蓝色磷光有机发光材料未来的研究方向进行了展望。     

超声法合成聚[2-甲氧基-5-(2''''-乙基己氧基)-对亚苯基亚乙烯基]的研究

采用超声合成方法,以对甲氧基苯酚为起始原料,经醚化、溴甲基化和聚合反应,得到无凝胶、完全可溶、高分子量的聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-对亚苯基亚乙烯基)(MEH-PPV),其数均分子量高达9.5×105,分子量分布为2.4.并通过核磁共振氢谱(1H-NMR)和红外光谱进行了结构表征.与常规的机械搅拌反应相比,超声合成方法具有反应时间短、反应温度低、产率高、聚合物分子量较大等特点,特别是这种方法有效抑制了聚合过程中的凝胶化问题,合成的MEH-PPV具有更高的荧光量子效率.     

超声法合成聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-对亚苯基亚乙烯基]的研究

采用超声合成方法,以对甲氧基苯酚为起始原料,经醚化、溴甲基化和聚合反应,得到无凝胶、完全可溶、高分子量的聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-对亚苯基亚乙烯基)(MEH-PPV),其数均分子量高达9.5×105,分子量分布为2.4.并通过核磁共振氢谱(1H-NMR)和红外光谱进行了结构表征.与常规的机械搅拌反应相比,超声合成方法具有反应时间短、反应温度低、产率高、聚合物分子量较大等特点,特别是这种方法有效抑制了聚合过程中的凝胶化问题,合成的MEH-PPV具有更高的荧光量子效率.     

溶液法制备氧化锌半导体薄膜及其顶栅极晶体管器件

采用旋涂法用浓度分别为0.05,0.10和0.25 mol·L^-1的氧化锌前躯体溶液制备了氧化锌薄膜,并且制备了基于氧化锌多层膜的顶栅极晶体管器件,其中以利用光刻工艺刻蚀的氧化铟锡为源漏电极。通过原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射(XRD)分别表征了薄膜的形貌以及结晶情况,并且讨论了前躯体的浓度顺序对氧化锌多层膜的影响。按照浓度从大到小的顺序依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜表现出了较高的载流子迁移率(7.1×10^-3 cm²·V^-1·s^-1),而按照浓度从小到大的顺序依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的载流子迁移率为5.2×10^-3 cm²·V^-1·s^-1。文中通过对两种多层薄膜的形貌和结晶性能的分析表明影响顶栅极薄膜晶体管性能的主要因素是薄膜的粗糙度。平整的薄膜有利于形成较好的半导体层/绝缘层接触界面,从而有利于提高器件的载流子迁移率。