充电电池芯片在小型设备中展开激烈竞争

锂离子电池已被广泛应用于手机、数码相机、便携式音乐播放器、笔记本电脑等数码产品中。在开发时,需要考虑电池的安全性和功能性,例如电池发热过度或充电时间长短的问题等。其中,对于锂电池本身的保护,厂商们一般会在电池单元中嵌入保护芯片。保护芯片的主要功能是在过量充放电时停止充放电,或当电池外部发生短路时停止大电流放电等。最近,一些新上市锂电池的充电控制都由内置的充电芯片来完成。这是因为很多用户希望无需拿出电池就能充电或者能通过笔记本电脑的USB接口来充电。除此之外,电池厂商们正在讨论是否要在电池中集成认证芯片,…     

基于TS201+Stratix架构的UART设计

TS201 Stratix是一种越来越流行于数字信号处理的架构.在Stratix中编写时钟分频模块、数据接收通道和数据发送通道来组建UART,不但为TS201扩展了串行通信功能,而且节约了电路板的空间,充分体现了Stratix器件资源丰富、可扩展性强的优点.实际应用表明,此设计在串行数据的接收和发送方面工作稳定可靠.     

4',5,7-三羟基二氢黄酮与人血清白蛋白相互作用的光谱学研究

应用紫外吸收光谱、荧光光谱和红外光谱等方法对人血清白蛋白(HSA)与4',5,7-三羟基二氢黄酮(naringenin, NAR)相互作用的机理进行了研究. 紫外光谱显示, 在生理pH下NAR分子中A环7位的酚羟基发生部分解离, 7位酚羟基的解离使A环与B环上羰基形成的共轭体系的紫外吸收峰发生明显红移; 药物与蛋白质的相互作用使该谱带发生了进一步的红移, 说明该共轭体系参与了与蛋白质的相互作用. 在药物与蛋白质浓度比(c_NAR/c_HSA)为0.1～10 的范围内, NAR在HSA上只有一个结合位点(可能位于site I), 结合常数为1.27×10⁵ L•mol^－1 (n＝5, RSD小于5%). 研究了不同pH值条件下药物对蛋白质荧光猝灭的影响, 发现药物分子中的没有解离的活性基团在结合过程中发挥着主导作用. 在缓冲水溶液和重水溶液中分别测定了与药物作用前后蛋白质二级结构的变化. 随着药物浓度的增加, NAR和HSA之间的相互作用使HSA的α-螺旋结构的含量明显降低, 而β-折叠和β-转角结构的含量增加, 无轨结构在药物浓度较高时也有少量的增加. 结合紫外吸收光谱、荧光光谱和红外光谱结果, 探讨了HSA与NAR相互作用的模式.     

基于红外热成像技术探讨腰椎间盘突出症人群的中医体质分布类型及特征

基于中医体质和红外热成像技术对腰椎间盘突出症（Lumbar Disc Herniation, LDH）人群进行流行病学调查,并分析了该人群的体质及红外皮温分布特点。对符合LDH纳入标准的243例人员采用标准化的中医体质量表判别和分析其体质类型;利用红外热成像技术观察腰骶椎投影区和双下肢神经支配区的皮温分布特点。LDH人群以兼夹体质类型为主,占70.7%。单一体质占26.3%。LDH人群的红外皮温特点表现为在腰骶部正中呈现热偏离,形状呈长条形、片状或小团状。双下肢神经支配区的红外皮温呈现冷偏离。结果表明,LDH人群的优势体质类型为阳虚血瘀质;其红外皮温呈规律性分布。红外热成像技术对LDH具有一定的诊断价值。     

双路高速高增益光电耦合器线性放大电路中加速电阻Rx的理论分析和计算

本文对双路高速高增益光电耦合器线性放大电路中的加速电阻R_x进行了理论分析和计算,并确定其取值范围。     

松下PND拆解

松下公司于2009年推出Strada PoCket（CN—MP100D／200D）系列PND（便携式导航设备）产品，正式进入PND市场。《日经电子》杂志社与拆解工程师一起对该产品进行了拆解。     

应用微电脑进行统计整理与分析

当前,在企业管理中的信息愈来愈多,而统计工作长期以来一直靠手工操作,统计人员约有90％以上的时间是做资料整理、累加、计算等繁忙复杂的事务性工作。一年来,在TRS-80微型机上,用Basic语言实现了近十项统计工作的软件程序。经实际使用,一小时内能完成过去需三天以上时间才能完成的各项季度资料,半小时中能提供全厂和十个车间的分析性资料。     

对数跳跃加法器的静态CMOS实现

介绍了一种32位对数跳跃加法器结构.该结构采用EL M超前进位加法器代替进位跳跃结构中的组内串行加法器,同EL M相比节约了30 %的硬件开销.面向该算法,重点对关键单元进行了晶体管级的电路设计.其中的进位结合结构利用L ing算法,采用支路线或电路结构对伪进位产生逻辑进行优化;求和逻辑的设计利用传输管结构,用一级逻辑门实现“与-异或”功能;1.0 μm CMOS工艺实现的32位对数跳跃加法器面积为0 .6 2 mm2 ,采用1μm和0 .2 5 μm工艺参数的关键路径延迟分别为6 ns和0 .8ns,在10 0 MHz下功耗分别为2 3和5 .2 m W.