高导热挠性铝基覆铜板用环氧胶粘剂的研究

采用高导热填料球形氧化铝填充环氧胶粘剂,并添加了适量离子捕捉剂有效地控制有害离子的离子迁移,利用该胶粘剂粘接铝箔和铜箔制备成挠性铝基覆铜板。文章中探讨了环氧胶粘剂的热固化温度和时间、球形氧化铝含量对胶膜热导率的影响,通过显微镜测试了导热填料在胶粘剂中的分散均匀性,最后确定最优配方制备出一种综合性能优异的挠性铝基覆铜板。     

氧气氛退火对La0.7Sr0.3MnO3薄膜结构及性能的影响

利用磁控溅射方法,在(100)Si、LaAlO_3(LAO)和SrTiO_3(STO)衬底上制备得到了La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3(LSMO)薄膜,通过X射线衍射仪、原子力显微镜以及磁性测量系统研究了不同温度氧气氛下的后续退火对LSMO薄膜结构及磁学性能的影响.结果表明随着退火温度的升高,LAO和STO衬底上的LSMO薄膜氧含量逐渐增加,Mn4 /Mn3 的比值逐渐趋向于3∶7,表现为面外晶格常数逐渐减少,饱和磁化强度及居里温度都有明显提高,而矫顽力则有所降低;拉曼散射实验结果更直观的给出了退火后LSMO晶格有序性的增加和Jahn-Teller畸变的减弱;而Si单晶上的LSMO薄膜在高温下由于与衬底发生了复杂的化学反应而导致相结构发生改变.     

磁控反应溅射制备择优取向氮化铝薄膜

以氮气为反应气体，采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜．通过XRD测试发现．靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向：大的靶基距及高的溅射气压利于（100）面择优取向，小的靶基距和低的溅射气压利于（002）面择优取向．通过对沉积速率的分析发现．高的沉积速率利于（002）面择优取向，低的沉积速率利于（100）面择优取向．研究结果表明：沉积速率影响了核在衬底表面的生长方向，从而影响了各晶面的生长速度．最终决定薄膜的择优取向．     

sol-gel法制备六方相ZnTiO3粉体的研究

首次采用溶胶-凝胶工艺得到了纯六方相ZnTiO3粉体。以Zn(NO3)2·6H2O和Ti(OC4H9)4为原料,通过溶胶-凝胶法制备了纯六方相ZnTiO3粉体。采用DSC-TG,XRD,FT-IR和Raman等现代测试分析手段,对凝胶粉体的热分解和相转变过程进行了研究。实验结果表明,800℃煅烧处理凝胶粉末可获得纯六方钛铁矿相ZnTiO3粉体;但是,这种六方相ZnTiO3的高温稳定性较差,当煅烧温度超过900℃时,六方相ZnTiO3分解为立方结构Zn2TiO4和金红石TiO2。     

采用局部二值模式与深度信念网络的人脸识别

针对人脸维度过高和人脸局部特征提取易忽略的问题,提出了一种将多尺度局部二值模式( LBP)算法与深度信念网络( DBN)算法相结合的人脸识别方法。首先采用多尺度LBP算法提取人脸纹理特征,进而将LBP提取的纹理特征作为深度信念网络的输入,最后通过逐层网络训练,得到网络的最优参数,并在ORL人脸库中进行测试,识别率可达95.2%,比使用Gabor小波和主成分分析(PCA)算法的人脸识别高2.6%,说明该算法具有很好的人脸识别能力。     

不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3薄膜结构及性能研究

利用磁控溅射方法,在(100),(110)和(111)LaAlO3(LAO)衬底上制备得到了不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜并对其结构及磁电学性能进行了系统研究.结果表明:LSMO薄膜完全按LAO衬底取向生长;(111)生长方向的薄膜由于晶格畸变程度最小,磁畴方向能较好的保持一致性,从而具有最大的磁饱和强度值;高的磁有序度减弱了巡游电子eg的自旋无序相关散射,有效降低了电阻.但外加磁场后电阻变化不明显,最大磁电阻值只有5.1%.     

电子自旋隧穿反平行磁结构的尺度效应

本文采用转移矩阵法,系统地研究了磁势垒尺度d对磁量子结构中电子自旋输运的影响.结果表明:在理想δ函数型磁势垒结构中,若保持隧穿能量不变,随d的变化,透射系数呈现出明显的正弦或余弦型的周期性振荡,且振荡周期与是否考虑自旋无关.而对于真实δ函数型磁势垒结构,随d的变化,透射系数的周期性振荡的规律明显消失.另外,当电子自旋分别隧穿理想δ函数型磁势垒结构与真实δ函数型磁势垒结构时,隧穿电导随d的变化也存在较大差异.研究结果表明:尺寸的变化对器件的性能产生了较大的影响;且采用理想δ函数型磁势垒结构得出的结论可能了偏离实际应用中的真实δ函数型磁势垒结构的物理规律.     

溶胶-凝胶法Ba2TiSi2O8铁电薄膜的制备及结构表征

采用溶胶-凝胶工艺在Si(100)衬底上制备了Ba2 TiSi2O8(BTS)薄膜.通过XRD衍射、傅立叶红外(FT-IR)、拉曼(Raman)散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的显微结构进行了表征.AFM分析显示,BTS薄膜表面光滑,晶粒尺寸在0.30～0.50μm.薄膜结构分析表明:随着退火温度的增加,BTS薄膜的结晶度增加,薄膜结构变得更加致密.同时,随着退火温度的升高,晶胞尺寸出现了收缩,导致了BTS薄膜的四方比c/a从0.613上升到0.618,将对薄膜的压电性能产生影响.     

STRESS ANALYSIS IN CUBIC BORON NITRIDE FILMS BY X-RAY DIFFRACTION USING sin2 ψ METHOD

The boron nitride (BN) films containing cubic boron nitride (c-BN) and hexagonal boron nitride (h-BN) were prepared by radio frequency a ssisted thermal filament chemical vapor deposition. The stress and strain in BN films were investigated by X-ray diffraction analysis using the sin² ψ method. The results showed that both c-BN and h-BN in the same film have similar values of elastic strain, however, the compressive stress in c-BN is much greater than that in h-BN for the same film. Both stress and strain gradually decre ased with the increase of substrate temperature (T_s). The effective stress in the films calculated by the effective stress model increased with the increase of T_s. Furthermore, the dependence of effective stress in the films on T_s was also investigated.     

CVD法沉积金刚石薄膜中成核与生长的势垒研究

探明成核与生长的机理对于沉积高质量金刚石薄膜是十分重要的.本文采用PM3方法,计算了化学汽相沉积金刚石薄膜成核与生长阶段反应势垒.研究了对于不同反应气体(甲烷和乙炔)脱氢和增加沉积基团势垒的差异.结果说明,无论是成核阶段,还是生长阶段,脱氢势垒都小于加生长基团的势垒.然而,增加乙炔基的势垒大于增加甲基的势垒,这可能是因为乙炔分子必须打开C≡C键才能沉积到衬底表面.