薄膜厚度对La0.85 Sr0.15 MnO3/TiO2异质Pn结的整流特性的影响

采用磁控溅射法制备的La0.85Sr0.15MnO3 (100nm;50nm;17nm)/TiO2(70nm)异质pn结表现出明显的整流特性,其中La0.85Sr0.15MnO3 (100nm)/TiO2异质pn结所呈现的整流特性相对较好,同时发现该整流特性在很宽的测量温度范围(80~320K)内存在. 通过拟合发现,所有样品都呈现很大的串联电阻,并且串联电阻对整流特性有很大的影响. 变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,结电压增大,这可能是由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化. 应该指出的是,La0.85Sr0.15MnO3/TiO2异质pn结结电阻随温度变化曲线显示出单层LSMO所特有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这个变化趋势也同拟合后的串联电阻变化趋势相似.     

合成醋酸阿比特龙的工艺改进

以去氢表雄酮为起始原料,经与肼缩合、碘代、Suzuki偶联、乙酰化四步反应制得醋酸阿比特龙粗品;粗品通过与三氟甲磺酸成盐进行纯化,纯度达99.6%,总收率36.5%,其结构经1H NMR,13C NMR和HR-MS确证。     

退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅(a-Si∶H(Er))样品.进一步通过200—500℃温度递增的后退火处理，获得了不同的Si悬挂键(Si-DBs)密度，并在此基础上研究了Si-DBs密度改变对其Er光荧光(Er-PL)的影响.退火温度低于350℃时，Er-PL强度持续增加，但Si-DBs密度的变化显得较复杂；350℃以上时，Er-PL强度随Si-DBs密度的增加而减小.在200—250℃的退火温度范围内，Si-DBs是由于结构弛豫而减少；在250—500℃的退火温度范围内，可能由于Si—H键的断 关键词： 氢化非晶硅 铒掺杂 Si悬挂键 光荧光     

基于电力载波通信的空调控制系统网络节点的设计

为合理使用空调,节约能源,将电力载波(PLC)技术、红外遥控技术用于对空调设备的远程控制。文中给出了空调控制系统的整体结构,设计了基于现场测控的电力载波通信的网络节点,详细介绍了节点电路的软硬件实现。     

PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展

PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一.本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势.     

高性能FPC基材保护膜的制备与性能研究

文章首先合成了溶剂型的丙烯酸酯压敏胶。为了进一步提高胶液的耐高温性能,加入了不同种类的有机硅氧烷对其进行改性。改性后的胶液具有相容性好、高温持粘力佳、剥离强度值适中、能够耐受酸碱溶剂、能够耐受200℃高温且在粘附物表面不留残胶的优良性能。改性胶作为一种高档压敏保护胶膜,在FPC生产中具有良好的应用前景。     

Na1/2Bi1/2TiO3基无铅压电体系退极化行为

本文总结了钛酸铋钠[Na1/2Bi1/2 TiO3,BNT]的相变过程,特别是其低温下出现的退极化现象的研究现状.同时,对目前研究的NBT基复合体系的准同型相界及其退极化行为方面的研究进展进行了总结,归纳了关于影响退极化温度的机制的几种观点.     

Anomalous spin of the Chern-Simons-Georgi-Glashow model

With the Coulomb gauge, the Chern-Simons-Georgi-Glashow (CSGG) model is quantized in the Dirac formalism for the constrained system. Combining the Gauss law and Coulomb gauge consistency condition, the difference between the Schwinger angular momentum and canonical angular momentum of the system is found to be an anomalous spin. The reason for this result lies in the fact that the Schwinger energy momentum tensor and the canonical one have different symmetry properties in the presence of the Chern-Simons term.     

不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究

采用脉冲激光沉积 (PLD) 方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析. 结果表明: 基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响. 在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜, 其场发射性能得到显著提升, 其场发射电流可以数量级增大. 场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应. 本研究结果表明, 要获得优异性能场发射薄膜, 合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑. 关键词： 基底 GaN 纳米薄膜 场发射     

La1－xSrxMnO3/TiO2 (x=0.2, 0.15, 0.04)异质pn结的整流特性

采用磁控溅射法制备的La_1-xSr_xMnO₃ (LSMO)/TiO₂异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加，扩散电压增大，这可能由于Sr掺杂的增加导致载流子浓度增大所致.电流电压变温特性曲线显示随着测量温度的降低，扩散电压增大，这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化所致.值得提出的，异质pn结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO的金属绝缘相变特性，并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大，这可能是由于宽带隙的TiO₂的引入导致. 关键词： 异质结 整流特性 庞磁阻