磨损微粒的模式识别系统的研究

提出了一个关于磨损微粒的模式识别系统．该系统先把磨粒从背景中分割出来，然后从3个方面对磨粒进行特征提取：用于辨别磨粒的材料的特征矢量，用于辨别磨粒的轮廓形状的特征矢量，用于辨别磨粒的表面纹理特征的矢量．系统最后由这3个特征对磨粒所属的类型进行了计算机分类．     

AlGaInP红,橙,黄光高亮度LED外延材料

采用金属有机化合物汽相沉积技术生长用于高亮度发光管（ＵＢ－ＬＥＤ）的ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ半导体微结构材料，突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术，生长出满足于Ｃｄ级的红、橙、黄光ＬＥＤ器件的外延材料。     

低相位噪声微波频率合成器的研究

本文讨论了在采用等效微波单环的情况下,如何实现低相位噪声的理论及具休措施。实施方案采用了窄带VCXO环、低噪声倍频源,微波宽带晶体管机械调谐VCO和ECL程序分频器,实现了C波段上两种方案的锁相与频率合成。本文还结合电路实际,提供了一种使相噪最佳的办法,并明确给出了各主要部分对合成器总噪声贡献的综合性曲线,使合成器的相位噪声指标与理论值趋于一致,并达到国内先进水平     

通孔最小化的一种神经网络方法

本文在布线的群图模型基础上，利用离散型Hopfield神经网络解决群图的最大割问题，并着重论述了如何跳出局部最优点的问题，从而较好地解决了双层布线通孔最小化问题。算法考虑了许多来自实际的约束，并进行大量的布线实例验证。     

HL-2A装置偏滤器运行模式的探针测量

HL-2A装置是一个具有偏滤器位形的托卡马克装置，为我们开展先进偏滤器物理实验和改善主等离子体约束性能研究准备了良好的条件。等离子体的杂质含量由杂质源分布以及SOL和芯部等离子体中各种杂质输运过程确定。由于离子碰撞可导致狭窄的偏滤器入口部件处杂质溅射的增强，与起源于靶板处的杂质相比，偏滤器入口处的杂质更有效地污染芯部等离子体。     

绝热搅拌槽内流体平均剪切速率的一种计算方法

基于流体流动的剪切速率与能量耗散率、以及能量散率与流体温升速率的关系,提出了根据搅拌过程中流体温升速率计算绝热搅拌槽内流体平均剪切速率的方法,并会对一个实验室用的小型高速搅拌系统,建立了流体平均剪切速率与流体黏度及搅拌转速关系的经验模型。本方法确定的是全槽流体的平均剪切速率,其应用不受叶轮类型的限制,可用于湍流搅拌,弥补了Metzner-Otto方法的若干不足。对于控温搅拌槽,可先在绝热条件下确定平均剪切速率与搅拌转速、流体流变性参数及体积的关系。     

倾斜跟踪与Intelsat11个参数的实时加权估算

以Ｉｎｔｅｌｓａｔ１１个参数为依据，给出实时加权估算，实现倾斜轨道跟踪。     

如何把握中国3G产业机遇

众所周知，中国3G产业将是一个对国民经济和国计民生有重要影响的产业，因此得到了国内外广泛的关注。据信息产业部电信研究院的研究预测。2005年3G业务收入将达到179-225亿元人民币，至2010年将达到2418-3370亿元人民币。3G还将带动大批相关产业的发展，仅系统设备、系统软件、芯片和手机2005-2010年累计投资就将达7763-9540亿元。目前3G产业的争论也已在到白热状态。在众说纷纭话3G的时候，我们首先要问：究竟什么是中国的3G产业？怎样才能算是完善的中国3G产业？中国应如何把握3G发展的机遇？只有在这些问题得到清晰解答后，我们才能继续探索中国发展3G产业的最佳策略。     

由各向异性海森伯自旋环链组成的量子位及其通用量子逻辑门

研究了各向异性耦合的三粒子海森伯自旋环链团簇在随时间变化的磁场中的运动.该系统的哈密顿量具有SU(2)代数结构.用代数动力学方法对此系统进行求解，得到了严格的解析解.基于严格解, 可以构造一位量子逻辑门.通过调节磁场强度和频率, 就可以控制该量子逻辑门, 实现一位量子逻辑门的任何操作. 关键词： 代数动力学 自旋环链团簇 一位量子逻辑门     

射频功率合成技术

在高频功放中,当需要的输出功率超过单个器件所能输出的功率时,可以将几个器件的输出功率叠加起来,以获得足够大的输出功率,即为功率合成技术。