十二烷基硫酸钠辅助制备高电容性能多孔碳

本工作通过一步水浴法制备高氮/氧含量密胺树脂(MF),引入阴离子型表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)改变聚合物的反应历程,使进入SDS胶束中的三聚氰胺与甲醛在盐酸催化条件下进行聚合反应,高温碳化后成功制备MF衍生多孔碳材料.对MF衍生多孔碳材料分别进行了扫描电镜、比表面积等表征,结果表明,其具有多孔互穿网络结构,比表面...     

一种常温水相一步还原法制备Co/C复合材料的方法

本项目的目的与设计思路是制造一种用碳包裹金属钴粒子的复合材料,通过这种方法改变金属钴密度,以此来解决吸波涂料重量大的问题。同时,通过用碳材料来进行包裹,改变其介电性弱这一问题,提高了以单一金属作为主要组分的吸波材料的吸波性能。设计了一种反应温度在30℃～40℃之间的还原法制备钴碳复合材料工艺,改善了传统水热法合成钴碳复合材料能耗大的问题。     

电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极

本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺.     

硫酸根对钙基层状双金属氢氧化物去除SDS的影响

利用铝酸三钙（C3A）水化合成钙基层状双金属氢氧化物（CaAl-LDH-Cl）。通过静态吸附实验考察不同十二烷基硫酸钠（sodium dodecyl sulphate,简称SDS）初始浓度下,CaAl-LDH-Cl在SDS体系、SDS-SO42-共存体系中对SDS的吸附效果,并结合XRD、FTIR、SEM和TG等测试手段探究硫酸根对CaAl-LDH-Cl去除SDS的影响机制。结果表明:SDS-SO42-共存体系中CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附量(4.65mmol·g-1)明显高于SDS体系吸附量(3.42mmol·g-1);两种体系中CaAl-LDH-Cl吸附SDS的行为均符合Langmuir模型,属于单分子层吸附;硫酸根促进CaAl-LDH-Cl去除SDS的机理:（1）CaAl-LDH-Cl自溶解产生的Ca2+与SDS生成Ca-SDS沉淀,以及SO42-通过离子交换作用生成的CaAl-LDH-SO4,均增加了产物的层间距,提高CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附量;（2）SO42-的存在有利于SDS胶束形成,促进了CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附。     

m-NA随机变量部分和的若干强收敛性（英文）

In this paper, by the three series theorem of m-negatively associated(m-NA,in short) random variables and the truncation method of random variables, we mainly investigated the strong convergence properties for partial sums of m-NA random variables.In addition, the Khintchine-Kolmogorov convergence theorem and Kolmogorov-type strong law of large numbers for m-NA random variables are also obtained. The results obtained in the paper generalize some corresponding ones for independent random variables and some dependent random variables.     

Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Applying Larger Back-Gate Voltage Stress

Owing to the fifll isolation and minimization of the silicon active volume, silicon-on-insulator （SOI） tech- nology has better resistance against transient ionizing effects like single event effects （SEE） or latch up.However, the total ionizing dose （TID） irradiation responses of SOI transistors are more complex than bulk-silicon devices. In addition to the gate and par- asitic field leakage current, which are common to SOI and bulk-silicon devices, irradiation induced charges trapped in the SOI buried oxide （BOX） can also affect SOI device performance. Typically, there is a par- asitic edge transistor in the back-gate of SOI devices paralleled with the main transistor, which is formed by the corner region of the silicon island. Due to the high electric field induced by the back-gate voltage at the corner of the silicon island, the threshold of the parasitic edge transistor is lower than the main transistor, resulting in a sub-threshold hump in the transfer characteristic of the back-gate transistor. Even though the threshold of the parasitic edge tran- sistor is lower than the main transistor, it is still larger than zero, which has no effect on the front- gate of devices. However, the sub-threshold hump in the back-gate is the ＇Achilles heel＇ for total dose responses of deep sub-micron SOI n-type metal-oxide- semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） iso- lated by shallow trench isolation （STI）. As reported in Refs., the threshold of the parasitic edge transis- tor is negative shifted by radiation-induced charges trapped in STI, leading to off-state leakage in the front-gate of devices.     

空气斜槽浓相煤粉输送的实验研究

在一个长7 m的空气斜槽内进行浓相输送煤粉的实验研究.实验结果表明,随着空气表观速度增加,煤粉饱和输送量先增加,随后达到稳定,约为0.25kg/s.槽倾角低于5°时,煤粉不流动.倾角在5°～7°内,煤粉的饱和输送量和最大固气质量比随角度变化不明显,但随倾角增大,处于最大固气比下的工作空气速度范围增大.输送槽高度对煤粉的...     

应用于可穿戴式设备的超低功耗SAR ADC研究与设计

针对便携式可穿戴移动设备的低功耗要求,提出了一种超低功耗逐次逼近型（SAR）模数转换器（ADC）。所提出的SAR ADC在数模转换器（DAC）电容阵列中设计了改进型电容拆分电路来降低系统的功耗和面积;并采用双尾电流型动态比较器架构降低比较器功耗。采用0.18μm CMOS工艺对所提出的SAR ADC进行设计并流片。测试结果表明在1.8V供电电压,采样率为50kHz的条件下,其有效位数为9.083位,功耗仅为1.5μW,优值55.3fJ,所设计的ADC适合于可穿戴式设备的低功耗应用。     

浅析电子签章应用安全与技术

随着信息技术的快速发展,电子签章作为数字办公系统的一种重要工具,应用范围越来越大,涉及的行业越来越广。当前电子签章的规范性不够完善,安全性令人担忧,而云密码技术与电子签章技术的结合必将促使电子签章向云端迁移,推动密码泛在化和安全服务化的发展。因此,从电子签章的规范化、安全化和云密码技术下电子签章的应用3个层面分析电子签章应用的安全与技术发展,提出了当前电子签章产品的设计思路和方向,以期为电子签章应用产品的设计提供技术参考。     

低电压,低噪声BBD的原理和应用

ＢＬ３２０８是一种单电源工作的低噪声，低电压ＢＢＤ器件。经具有失真小、动态范围宽，外围元件少等特点，所以被广泛在各种音响装置中。文中主要介绍它的性能特点、工作原理和实际应用电路。