我国将举办国际半导体和电子产品展览会

<正> 据美刊《电子封装与生产》1980年20卷12期报道,中国将于1982年4月15日至24日在首都北京展览馆举行一次时新的国际半导体和电子产品贸易展览会。同时举办约100项专家讨论会。这一展览会是美国 Cahners ExpositionGrollp 发起,由设在北京的中国国际贸易促进委员会接受和承办的。它将是中国举办的首次具有国际水平的盛大规模电子产品展览。     

6000系列DSW

<正> 据美国GCA公司集成电路系统分公司报道,他们生产的6000系列DSW片子步进系统能把中间版的电路图形缩小五或十倍后,以多阵列的形式直接复印在片子上。6000系列中,6100型DSW系统生产效率较高,能加工2μm或2μm以上线条的片子。用该系统每小时能曝光直径125mm的片子60枚;100mm的片子96枚。6200型DSW系统能刻作常精细的几何线条     

法国X射线光刻机能提供0.1μm的分辨率

<正> 据《Semiconductor International》83年1月号报道:地处巴黎近郊的Cameca公司已把他们第一台步进重复x射线光刻机交付于委托者——汤姆逊——CSF元件与材料公司使用。该设备采用以激光为基础的连续光刻系统和铜靶x射线源;分辨率达到0.1μm,对准精度为0.2μm。设备的价格约为一百五十万美元。制造商声称,他们提供的分辨率和对准精度是迄今最佳的。Cameca公司还打算向欧洲共同体编制中的其它欧洲半导体制造商提供类似的设备以发展微细光刻技术。     

磁自旋耦合作用对OLEDs性能的影响

介绍了近年来有关磁自旋耦合作用对有机电致发光器件性能影响的研究进展,包括有机磁阻效应、电致发光效应、光电导效应、量子效率效应等.其中,磁场作用下的有机磁阻可达到10%,理论上最大值为-50%;自旋极化注入的引入使得OLEDs的内量子效率达到32%,并且磁场作用下的电致发光强度也增强了8%左右;磁场作用下,器件的光电导和外量子效率分别增大了6%.以上效应随磁场增加逐渐趋于饱和.对于这些效应产生的理论机制,一般认为是由于三线态-三线态的猝灭、塞曼效应及超精细作用等产生的.三线态-三线态的猝灭形成了激发单线态激子S*,形成滞后的电致发光;而塞曼效应及超精细作用则认为是磁场抑制了单线态向三线态的转化致使发光增强.现在这方面的理论仍在完善过程中.     

基于CzHQZn发光的白光有机电致发光器件

利用一种新材料(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-Zinc(CzHQZn)作空穴传输层和发光层制备了白光有机电致发光器件(WOLED),器件的结构为indium-tin oxide(ITO)/4,4′,4′′-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(22 nm)/CzHQZn(xnm)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPBX)(ynm)/2,9-dimethyl,-4,7-diaphenyl,1,10-phenanthroline(BCP)(10nm)/tris(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)(68-x-ynm)/LiF(0.5 nm)/Al。研究发现发光层CzHQZn和NPBX的厚度对器件的发光性能有较大的影响。当CzHQZn厚度x为22 nm、NPBX厚度y为8 mm时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为0.9 cd/A(at ...     

以CzHQZn为主体的有机发光器件的发光效率

采用真空热蒸镀技术,分别制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/CzHQZn(10～25nm)/TPBi(35nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:x%CzHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%CzHQZn(xnm)/Alq3((70-x)nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED)。器件中,CzHQZn既有空穴传输特性,又是黄光发射的主体。为了提高其发光效率,利用磷光敏化技术,研究了掺杂层中不同掺杂浓度和掺杂层不同厚度时器件的发光效率。结果表明,器件的效率随着掺杂发光层的厚度和掺杂浓度的变化而改变,当发光层的厚度为18nm时,CzHQZn掺杂浓度为10%的器件性能较好;在10V电压下,器件的最大电流效率达到3.26cd/A,色坐标为(0.4238,0.5064),最大亮度达到17560cd/m2。     

对全固态10kw DAM中波发射机的调试技术研究

随着广播发射机技术的快速发展,全固态10kw DAM中波发射机顺势而生并迅速发展成为了广播发射机市场的主流产品。本文对全固态10kw DAM中波发射机的原理进行了分析,并对其进行了具体的调试。     

要满足VLSI的要求必须改进光刻技术

<正>目前在IC生产中,一方面光学设备仍占统治地位,另一方面二种X射线装置在趋向商品化,离子束设备即将脱颖而出。光刻工艺-集成电路批量生产中的第一道障碍,目前正处于设计新一代超大规模集成电路所要求的变革过程中。这些新的芯片上将排布25。