面向21世纪的电力电子和变频调速技术

1.回顾与展望 电力电子学是使用电力半导体器件及电子技术对电气设备的电功率进行变换和控制的技术。它诞生于60年代后期,早期以晶闸管电路和系统为代表。经过40多年的发展,电力电子学已经形成较为完整的学科体系和     

聚酞菁硅氧烷多晶型现象的HREM观察

把酞菁硅二醇单体置于440℃、1Pa的动态真空下,升华到新的NaCl单晶体的(100)解理面上,使之聚合并外延生成薄膜晶体,也用事先聚合好的聚酞菁硅氧烷作升华源制备了这类薄膜晶体。发现分子链垂直于薄膜平面。并用HREM观察了其多晶型现象。其中β-晶型为四方晶系,a=1.4nm,c=0.66nm,z=2;α-晶型属正交晶系,a=1.4nm,b=2.8nm,c=0.66nm,z=4;γ-晶型属正交晶系,a=1.4nm,b=5.6nm,c=0.66nm,z=8;θ-晶型为正交晶系,a=1.4nm,b=5.6nm,c=0.66nm,z=8。     

用有机金属法生长的高质量Hg_(1-x)Cd_xTe外延层

把许多光电探测器元件(金属-绝缘体-半导体光电二极管或光导器件)制成阵列形的能力取决于在适当的衬底上制得具有优良电子性能和均匀性的这类材料薄层的能力。而这种均匀性要求用传统方法如液相外延法(LPE)是难以满足的。有机金属化学汽相淀积法(OMCVD)是为此原因提出的另一种可供选择的方法。用OMCVD法生长Hg_(1-x)Cd_xTe最初是由Irvine等作者报导的,采用的是Cd和Te物     

LiX-Li_2O-P_2O_5系统玻璃的红外和拉曼光谱研究

本文系统地研究了Li_2O-P_2O_5二元系统和LiX(X=F,Cl,Br)-Li_2O-P_2O_5三元系统玻璃的红外和拉曼光谱,讨论了LiX对玻璃结构的影响。当m(Li_2O/P_2O_5摩尔比)较小(m=0.8—1.2)且LiCl含量较低时,LiCl具有与Li_2O一样的断桥氧作用,Cl~-进入网络结构,生成含Cl~-的磷酸盐基团;m及LiCl含量增大时,游离存在的LiCl增多;m大于某值(～1.5)时,LiCl主要以游离形式存在。在上述m范围内,LiF也和Li_2O一样起断桥氧作用,F~-进入网络结构,生成含F~-的磷酸盐基团;LiBr则以游离形式存在。     

光盘存储技术的动向

一、引言在六十年代前半期,就开始进行光学存储器的研究,并对各种方法、方案进行了尝试,然而至今尚未达到实用水平。最近,对于逐点记录式的补写型光盘装置,半导体激光器、光盘介质等基本技术业已齐备,大容量外存装置已开始商品化。目前,虽然磁记录装置在外存装置范围内占有绝对的地位。     

聚合物点:合成方法、性能及光学应用进展EI北大核心CSCD

聚合物点由于具有易调控的光电特性一直备受相关领域研究者们的关注。作为一种新型碳基纳米材料,聚合物点的分类、合成方法及性能仍缺乏较为系统的总结。本篇综述根据聚合物点的结构,将其分为共轭聚合物点和碳化聚合物点,主要围绕两种聚合物点的定义、合成方法及发光机理进行了讨论。此外,本文还对聚合物点近年来的光学应用进行了总结,包括生物成像和荧光标记、药物和基因传递、传感、光电器件、光催化和防伪等。     

损伤和断裂的统一

本文讨论了连续损伤力学基础的缺陷,从微裂纹随机演化出发给损伤概念作出新的普适的统计定义,导出了损伤断裂几率的动力学方程,使损伤、断裂、统计、微观机理及宏观特性五者有机地相结合,从而有可能形成一个统一的损伤断裂微观统计理论。     

铁苯基膦配合物均相催化乙酰丙酸乙酯与甲酸反应转化为γ-戊内酯的分子机制

本文基于密度泛函理论,计算了Fe(CF3SO3)2/PP3催化乙酰丙酸乙酯与甲酸反应转化为γ-戊内酯的反应机理。分析了单重态和三重态反应路径的热力学和动力学性质,结果表明除了预催化剂活化出现势能面交叉外,反应主要在三重态势能面上进行,包括以下几个步骤：甲酸盐配位方式重置,β-H消除得到活性催化剂[FeH(PP3)]+,接着乙酰丙酸乙酯的羰基碳和羰基氧接连被质子化得到中间体4-羟基戊酸乙酯,最后质子化的反离子CF3SO3H作为氢转移梭子协助分子内脱醇—关环生成目标产物γ-戊内酯。进一步探讨不同金属苯基膦配合物的催化活性,证实金属适宜的配位能力是筛选催化剂的关键。理论计算结果为优化设计高性能的生物质转化催化剂提供一定的理论指导。     

RICB：基于缓冲区溢出的整数溢出漏洞动态分析

Integer overflow vulnerability will cause buffer overflow. The research on the relationship between them will help us to detect integer overflow vulnerability. We present a dynamic analysis methods RICB (Run-time Integer Checking via Buffer overflow). Our approach includes decompile execute file to assembly language; debug the execute file step into and step out; locate the overflow points and checking buffer overflow caused by integer overflow. We have implemented our approach in three buffer overflow types: format string overflow, stack overflow and heap overflow. Experiments results show that our approach is effective and efficient. We have detected more than 5 known integer overflow vulnerabilities via buffer overflow.