快速微量测定有机化合物中碳、氫的改良法

以K(?)rbl的高锰酸银热分解产物作接触氧化剂和空管快速法(用套管进行热分解)相联合的方法测定微量有机化合物中的碳、氢,分析时间为二十至二十五分钟,误差在±0.3％之内。     

LD泵浦高重频腔倒空Nd∶YAG激光输出研究

文中从声光腔倒空动态过程的速率方程出发,分析了腔倒空过程中,在光泵浦和倒空超声波脉冲序列的共同作用下,激光增益介质的反转粒子数密度及谐振腔光场变化的动态过程。以此为基础,讨论了声光腔倒空过程中影响激光倒空效率、激光脉冲形状等的关键因素,在理论分析的基础上,进行了LD泵浦Nd∶YAG声光腔倒空高重频激光输出的实验研究,获得了重复频率1. 2MHz、脉宽120ns、平均功率9W的腔倒空激光脉冲。     

Shuttle Service大幅降低模拟及高端逻辑芯片的制造费片

目前可以低价格试制5个～100个少量芯片的服务，即“Shuttle Service”，受到了大家的关注。事实上，大型的晶圆代工厂，及一些可以提供高性能芯片的大型半导体厂商都相继推出了该项服务。对于有技术能力、但缺乏资金实力的设备厂家及半导体厂家的研究开发部门、小型设计公司、大学及各种研究机构而言，这种服务使他们能在实际的晶圆上验证自己的电路及设计思想。     

二氧化硫与戊烷的气相光化学反应研究

Baclock等^[1]的研究表明,在SO2与烃的光化学反应体系中,单重态SO2通过系间窜跃转化为三重态SO2参与光化学反应,Penzhorn等^[2,3]的研究表明,在SO2与C4以下气相烃的光化学反应中有多种产物存在,产物的复杂性预示反应为自由基链反应。Smith等^[4]等认为体系中存在烃的逐步氧化,同时证明SO2与烷烃光化学反应中自由基链反应的重要性,文献报道的研究多以凝聚态产物为切入点^[5],为避免器壁对光化学反应的影响,本文以气相物质为研究对象,对挥发性烷烃中结构最简单的戊烷与二氧化硫的光化学反应的气相反应产物,反应机理和影响因素等进行了研究。     

Hg1-xMnxTe的化学抛光研究

本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnxTe的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnxTe进行化学抛光,发现用3;的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,得到光亮、整洁表面.AFM分析发现,化学抛光后表面粗糙度降低19.8;,整体均匀性提高.SEM分析发现,化学抛光后表面损伤层被全部去除.77 K时,化学抛光前后的范德堡霍尔测量发现,晶片化学抛光后,电阻率增加.     

n圈中辐图的团覆盖数和团划分数

本主要讨论Petersen图的一类推广图－n圈中辐图的团覆盖数和团划分数,由此得出该图的团覆盖数和团划分数相等的结论,同时给出了其在不同情况下的计算公式。     

椭圆方程组径向非负解的存在性

应用锥不动点定理证明了圆环中半线性椭圆方程径向非负解的存在性.     

激光表面熔覆层凝固组织特征形成过程

试验研究了激光熔覆层的凝固特征和组织形成规律.结果表明:熔覆层不同位置的凝固特征参数不同.熔覆层底部属于典型的平面外延生长组织,且枝晶粗大;而顶部是较规则的树枝状共晶组织;中部为细小的胞晶和柱状晶;且晶体生长受结晶学各向异性影响.熔覆层组织晶粒形核的非均匀形核特征显著.熔覆层微区成分存在着不均匀性,不同元素沿晶间偏析(富集),是组织不均匀的重要原因.     

PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究

对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制出了高质量的氮化硅介质膜,对样品进行了湿法腐蚀和超声实验,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。     

两种新型对称卟啉的合成及紫外可见光谱特性研究

本文采用一种新型的合成方法合成了两种新型对称卟啉meso-四（对苯甲酰胺基苯基）卟啉和meso－四（邻苯甲酰胺基苯基）卟啉,用元素分析,红外光谱,核磁共振谱对两种卟啉进行了表征,并对其紫外可见光谱特性进行了研究。