基于斜向背散射偏振拉曼光谱的{100}c-Si面内应力分析

复杂应力状态下应力分量的解耦分析对半导体的设计和制造具有重要意义。本文开展了方法学研究,首先建立了{100}晶面族单晶硅面内应力分量解耦分析模型,基于该模型,通过改变入射光和散射光的几何构型和偏振构型,可得到单晶硅拉曼频移与应力分量的解析关系。在此基础上,提出了一种利用斜向背散射偏振拉曼光谱在不同倾角、偏振方向和样品旋转角度下开展原位拉曼探测实现应力分量解耦分析的实用技术。本文通过实验验证了该方法的可靠性和适用性。     

2-硫代丁基-5-巯基-1，3，4-噻二唑Ag[I]修饰的钼硅酸盐纳米颗粒的制备及摩擦性能

以合成的2-硫代丁基-5-巯基-1,3,4-噻二唑为配体,在醇-水体系中制备了Keggin结构钼硅杂多阴离子有机衍生物的纳米颗粒,以透射电子显微镜、扫描电子显微镜、傅立叶变换红外光谱仪、热分析仪等测试手段对此纳米颗粒的形貌、组成和结构进行了表征,并在机械式四球长时抗磨损试验机上考察了其摩擦学性能．分散型实验结果表明化合物在有机溶剂中分散性能良好,红外光谱表明所合成的纳米颗粒具有杂多酸Keggin骨架结构无机核,透射电镜分析表明颗粒平均粒径约为10nm,热分析娃示分解温度范围为200～300℃．作为新型纳米润滑油添加剂,在最佳添加质量分数为0．05％,负荷300N,摩擦时间30min,转速1450r／min的条件下,与空白相比磨斑直径减小27．9％,摩擦系数减小15．3％．     

短侧链可溶性聚酰亚胺的制备和表征

利用3种廉价易得的含短侧链(甲基或乙基)芳香族二胺单体分别与3,3′,4,4′-二苯甲醚四酸二酐(ODPA)进行溶液缩聚反应制备了聚酰胺酸,再在三乙胺催化、乙酸酐脱水作用下进行化学亚胺化反应,成功制备出聚酰亚胺(PI)。通过红外光谱(FT-IR)证明PI已经完全亚胺化。溶解性实验表明这3种PI具有优异的溶解性能,如:在极性非质子溶剂1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基亚砜(DMSO)乃至低沸点溶剂氯仿和四氢呋喃(THF)中都可以溶解。采用DSC、TG、频谱分析仪、交流耐压试验装置、电阻测量仪、万能电子拉力机等多种手段对PI薄膜进行了性能测试。结果表明这3种PI保持了优良的热性能、电性能、力学性能等。     

基于2-硫代海因的氟离子探针

通过异亮氨酸甲酯盐酸盐与4-硝基苯基异硫氰酸酯或4-氰基苯基异硫氰酸酯反应合成2-硫代海因探针1和2.在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,用系列含阴离子的四正丁基铵盐来评价其阴离子识别能力.加入F-后,1和2的DMF溶液由无色立即变为黄色,而加入Cl-,4HSO-,Br-,3NO-和3 2CH CO-均不变,表明1和2对氟离子显示出良好的识别性能.核磁滴定氢谱揭示了F-与2-硫代海因的氢键作用引发了1和2的识别,结合常数显示1比2对F-更敏感.此外,1作为化学传感器还可以制成试纸检测F-.     

基于[LnMo12]二十面体的三维稀土钼酸盐骨架的合成、结构及荧光性能

通过缓慢蒸发溶剂法合成了2例新的三维稀土钼酸盐：[Ln (H₂O)₃]₃[LnMo₁₂O₄₂]·xH₂O,其中Ln=Eu (1)、Tb (2),x=7(1),10.17(2)。这2种稀土钼酸盐中都含有新颖的二十面体[LnMo₁₂O₄₂]构建单元,该单元通过与{LnO₉}多面体进一步连接形成三维网络。光致发光测试表明,化合物1和2显示出明显不同的发射特征,这与Eu³⁺和Tb³⁺离子的不同能级跃迁密切相关。化合物1表现出较强的红色发射(CIE色度坐标为(0.66,0.33))、高发光强度、较大的荧光量子产率(约60%),对应于从⁵D0到⁷F_J (J=4、3、2、1、0)的跃迁;化合物2表现出浅绿色发射(CIE色度坐标为(0.34,0.60)),对应从⁵D₄到⁷F_J (J=6、5、4、3)的能级跃迁,其发光强度较弱和荧光量子产率较低(约20%)。有趣的是,一定量的Tb³⁺引入和大量溶剂分子的存在导致化合物2发生部分荧光猝灭,但对化合物1的荧光几乎没有影响。     

鸡(兔)肝中玉米赤霉醇残留量测定研究

玉米赤霉醇(ZER)是略带雌激素活性的合成激素,作为家蓄增重的外源激素,效果良好,但对家蓄和人体健康有影响.家蓄组织中ZER一般为10-9水平,确证方法采用气相色谱-质谱法[1]和液相色谱-质谱法[2].近来液相色谱与质谱-质谱(LC-MS-MS)的联用得到了极大的重视和发展,本文采用LC-MS-MS方法确证鸡(兔)肝中玉米赤霉醇残留量,检测限为0.2 ng/g,较文献方法灵敏[1,2].本法作为鸡(兔)肝中ZER确证方法,已在实际中得到应用.     

用热反射热成像技术测量封装GaN/AlGaN HEMT芯片热阻

为解决封装GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的芯片热阻难以测量的问题,提出了采用热反射热成像测温装置测量芯片热阻的方法。采用365 nm波长紫外发光二极管(LED)作为测温装置的光源测量芯片沟道区域GaN材料的温度,以近似峰值结温;采用530 nm波长可见光LED作为光源测量芯片底面金属的温度。测温过程中,采用图像配准技术和自动重聚焦技术调整由于热膨胀引起的位置偏移和离焦。对芯片底面金属测温结果进行了误差分析。最后,在4个加热功率下测量了芯片热阻,测量结果显示芯片热阻与总热阻之比超过52%。     

基于高斯插值提高雷达测距精度的研究

本文结合脉冲法雷达测距原理,分析了距离量化误差产生的原因.针对LFM信号加入高斯白噪声作脉冲压缩得到的脉压波形,结合先验信息,将脉压结果主瓣内的波形近似为高斯分布,利用脉压结果中采样最大值点和次大值点的位置信息和幅度信息作高斯插值处理,预估脉压波形真实峰值时间.仿真结果表明,通过高斯插值处理,距离量化误差显著减小,雷达...     

一种诊断故障的新的测试节点选择法：混叠集分析法

本文根据存在容差时电路的特点,对现有的故障字典法作了改进。提出了一种能有效地解决有容差情况下最佳测试节点选取问题的新方法——混叠集分析法。对这种新方法进行了理论分析,提出了相应的算法,并在计算机上对实例进行仿真验证,证明该法是有效的。与基本的故障字典法相比,在很大程度上提高了诊断效率。