深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。     

高可靠军用DC／DC电源变换器

介绍采用先进厚膜混合集成工艺制造的高可靠DC／DC电源变换器，包括厚膜导体复合结构、高可靠粘结工艺、等离子体清洗工艺、深腔键合工艺、Cu丝漆包线点焊工艺和平行缝焊结构等许多新工艺、新材料和新技术，此类电源变换器的电性能优良，可靠性高，气密性指标(漏气率)可达5&;#215;10^-4kPa&;#183;cm^3／s，丝焊的键合强度和剪切强度均满足GJB548A的要求，完全适用于航天、弹、箭、星、船和舰等各类型号的电源变换。     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

氮分压对CrNx薄膜相结构与力学性能的影响

ＣｒＮｘ 薄膜具有很高的硬度和耐磨性 ,其高温抗氧化性和耐腐蚀性优良 ,不但可作为耐磨涂层用于工模具和切削工具的表面强化 ,而且在表面防腐和装饰等许多工业领域也有重要用途[1] 。同已经得到广泛工业应用的ＴｉＮ薄膜相比 ,ＣｒＮｘ 薄膜的硬度更高 ,而且具有比ＴｉＮ更好的耐腐蚀性能[2 ] 。ＣｒＮｘ 薄膜溅射产额比较高 ,有利于大批量的工业生产 ,更具有实用价值[3 ] 。ＣｒＮｘ 薄膜采用ＳＰＣ 35 0多功能磁控溅射仪制备。在射频阴极 (ｒ .ｆ.)上安装纯Ｃｒ靶 (99 99% )作为溅射材料 ,高速钢基片经 1μｍ金刚石研磨膏抛光后 ,用丙酮…     

按键电话机检修一例

一台香港生产的SHERITONE牌BSY9LDGR4044型收音电话机出现下述故障:当按下号码键后,脉冲信号发不出去,并且切不断通话蜂音,但外面来电话时铃能正常发声,通话也正常。由于该收音     

智能网的体系结构研究

本文介绍在体系结构和功能上截然不同的两大类智能网－－基于电信网的智能网和基于计算机网的智能网。论述它们的体系结构和功能及其开发研究。     

混合光学双稳系统混沌的控制

对混合光学双稳（MOB）系统的混沌态提出辅助参考反馈（ARF）控制方法。介绍了ARF控制方法对混沌系统的控制原理以及控制参数的选择，数值分析了MOB系统经混沌控制后的动力学行为。数值分析表明，适当调整反馈系数和参考项不仅可以有效地控制原系统不稳定轨道，而且还可以将系统控制在其它预期的目标轨道上。